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離散半導体製品（16626）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	フェットタイプ	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	vce（on max） @ vge	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	入力容量（ cies @ vce	静電容量比	静電容量比条件	Q @ vr、f
bav70we6327	-	RFQ	1236	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ		表面マウント	SC-70、SOT-323	bav70	標準			SOT-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	3,000		小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度												1ペア共通カソード	80 v	200MA （DC）	1.25 V @ 150 MA	4 ns	150 NA @ 70 V	150°C （最大）
IPI60R190C6XKSA1	3.8800	RFQ	500	Infineon Technologies	coolmos™	チューブ	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	To-262-3 Long Leads	IPI60R190	モスフェット（金属酸化物）			PG-to262-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	500			nチャネル	600 V	20.2a	10V	190mohm @ 9.5a 、10V	3.5V @ 630µA	63 NC @ 10 V	±20V	1400 PF @ 100 V	-	151W
IPT044N15N5ATMA1	6.9900	RFQ	3467	Infineon Technologies	Optimos™	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	8-POWERSFN	IPT044N	モスフェット（金属酸化物）			PG-HSOF-8	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,000			nチャネル	150 v	174a（tc）	8V 、10V	4.4mohm @ 50a、10V	4.6V @ 221µA	84 NC @ 10 V	±20V	6500 PF @ 75 v	-	300W （TC）
FF23MR12W1M1B11BOMA1	98.1400	RFQ	315	Infineon Technologies	coolsic™+	トレイ	廃止	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	モジュール	FF23MR12	炭化シリコン（原文）	20MW		モジュール	ダウンロード	ROHS3準拠	適用できない	影響を受けていない	SP001602224	ear99	8541.21.0095	24	2 nチャンネル（デュアル）			1200V（1.2kv）	50a		23mohm @ 50a、15V	5.55V @ 20MA	125NC @ 15V		3950pf @ 800V	-
IPP80N06S2L11AKSA1	-	RFQ	4941	Infineon Technologies	Optimos™	チューブ	sicで中止されました	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3	IPP80N	モスフェット（金属酸化物）			PG-to220-3-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	500			nチャネル	55 v	80a（tc）	10V	11mohm @ 60a 、10V	2V @ 93µA	80 NC @ 10 V	±20V	2075 PF @ 25 V	-	158W
IRD3CH16DB6	-	RFQ	7438	Infineon Technologies	-	バルク	廃止		表面マウント	死ぬ	IRD3CH16	標準			ウェーハ	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	SP001539714	ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns													1200 v		2.7 V @ 25 a	190 ns	5 µA @ 1200 v	-40°C〜150°C	25a	-
SPA07N65C3XKSA1	-	RFQ	6886	Infineon Technologies	coolmos™	チューブ	廃止	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3フルパック	SPA07N	モスフェット（金属酸化物）			PG-to220-3-31	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	500			nチャネル	650 V	7.3a（tc）	10V	600mohm @ 4.6a 、10V	3.9V @ 350µA	27 NC @ 10 V	±20V	790 PF @ 25 V	-	32W
IRF6709S2TR1PBF	-	RFQ	2703	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜175°C	表面マウント	directfet™s1		モスフェット（金属酸化物）			directfet™s1	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000			nチャネル	25 v	12a（ta ）、 39a	4.5V 、10V	7.8mohm @ 12a 、10V	2.35V @ 25µA	12 NC @ 4.5 v	±20V	1010 pf @ 13 v	-	1.8W （TA ）、21W（TC）
IMT65R260M1HXTMA1	-	RFQ	2036	Infineon Technologies	*	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました				IMT65R					-	ROHS3準拠		影響を受けていない				2,000
IRFR6215TRL	-	RFQ	9525	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3		モスフェット（金属酸化物）			d-pak	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	3,000			pチャネル	150 v	13a（tc）	10V	295mohm @ 6.6a 、10V	4V @ 250µA	66 NC @ 10 V	±20V	860 PF @ 25 V	-	110W
DD89N16KHPSA1	120.0900	RFQ	4481	Infineon Technologies	-	トレイ	アクティブ		シャーシマウント	モジュール	DD89N16	標準			モジュール	ダウンロード	ROHS3準拠	適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	15		標準回復> 500ns												1ペア共通カソード	1600 v	89a	1.5 V @ 300 a		20 mA @ 1600 v	-40°C〜150°C
BB55502VH7902XTSA1	-	RFQ	5645	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-79、SOD-523	BB555				PG-SC79-2	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	3,000																						2.3pf @ 28V、1MHz					シングル	30 V				9.8	C1/C28	-
SIDC06D60F6X7SA1	-	RFQ	9034	Infineon Technologies	-	バルク	廃止		表面マウント	死ぬ	SIDC06D60	標準			死ぬ	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns													600 V		1.6 V @ 15 a		27 µA @ 600 v	-40°C〜175°C	15a	-
FS450R12OE4B81BPSA1	1.0000	RFQ	8228	Infineon Technologies	econopack™+	トレイ	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	モジュール	FS450R12		20 MW	標準	ag-econopp	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	4	三相インバーター																						トレンチフィールドストップ	1200 v	450 a	2.1V @ 15V 、450A			3 Ma	はい	27.9 nf @ 25 v
FS30R06VE3BOMA1	-	RFQ	3578	Infineon Technologies	-	トレイ	廃止	-40°C〜150°C	シャーシマウント	モジュール	FS30R06		88 W	標準	モジュール	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	40	三相インバーター																						-	600 V	34 a	2V @ 15V、30A			1 Ma	いいえ	1.65 NF @ 25 V
BSL308PEH6327XTSA1	0.7100	RFQ	5570	Infineon Technologies	Automotive 、AEC-Q101、Optimos™	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	SOT-23-6薄い、TSOT-23-6	BSL308	モスフェット（金属酸化物）	500MW		PG-TSOP6-6	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	3,000	2 P-Channel （デュアル）			30V	2a		80mohm @ 2a 、10V	1V @ 11µA	5NC @ 10V		500pf @ 15V	ロジックレベルゲート、4.5Vドライブ
IST026N10NM5AUMA1	4.8800	RFQ	1	Infineon Technologies	Optimos™5	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	5-POWERSFN	IST026N	モスフェット（金属酸化物）			PG-HSOF-5-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,000			nチャネル	100 V	27a	6V 、10V	2.6mohm @ 100a 、10V	3.8V @ 148µA	125 NC @ 10 V	±20V	6300 PF @ 50 V	-	3.8w
auirl3705n	1.3900	RFQ	5	Infineon Technologies	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3		モスフェット（金属酸化物）			TO-220AB	ダウンロード		未定義のベンダー	影響を受けた	2156-Auirl3705N-448			1			nチャネル	55 v	89a（tc）		10mohm @ 46a 、10V	2V @ 250µA	98 NC @ 5 V		3600 PF @ 25 V	-	170W
BAS70-06B5000	0.0300	RFQ	180	Infineon Technologies	aec-q101	バルク	アクティブ		表面マウント	TO-236-3	BAS70	ショットキー			PG-SOT23-3-3	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.10.0070	10,000		小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度												1ペア共通アノード	70 v	70ma	1 V @ 15 mA		100 Na @ 50 V	150°C
IPA50R650CEZKSA2	-	RFQ	7670	Infineon Technologies	coolmos™	バルク	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	穴を通して	TO-220-3フルパック		モスフェット（金属酸化物）			PG-to220フルパック	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.29.0095	1			nチャネル	500 V	9a（ta）	13V	650mohm @ 1.8a、13V	3.5V @ 150µA	15 NC @ 10 V	±20V	342 PF @ 100 V	-	27.2W
BSL215PL6327HTSA1	-	RFQ	2887	Infineon Technologies	Optimos™	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	SOT-23-6薄い、TSOT-23-6	BSL215	モスフェット（金属酸化物）	500MW		PG-TSOP6-6	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	3,000	2 P-Channel （デュアル）			20V	1.5a		150mohm @ 1.5a 、4.5V	1.2V @ 11µA	3.55NC @ 4.5V		346pf @ 15V	ロジックレベルゲート
buz73ahxksa1	0.4200	RFQ	12	Infineon Technologies	SIPMOS®	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3		モスフェット（金属酸化物）			PG-to220-3-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.29.0095	1			nチャネル	200 v	5.5a（tc）	10V	600mohm @ 4.5a 、10V	4V @ 1MA		±20V	530 PF @ 25 V	-	40W （TC）
IPG20N04S4L18AATMA1	1.0900	RFQ	4	Infineon Technologies	Automotive 、AEC-Q101、 Optimos™-T2	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント、濡れ可能な側面	8-POWERVDFN	IPG20N	モスフェット（金属酸化物）	26W （TC）		PG-TDSON-8-10	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	5,000	2 nチャンネル（デュアル）			40V	20a（tc）		18mohm @ 17a 、10V	2.2V @ 8µA	15NC @ 10V		1071pf @ 25V	-
IPG20N06S2L65AAUMA1	-	RFQ	6223	Infineon Technologies	Optimos®	バルク	廃止	-55°C〜175°C	表面マウント、濡れ可能な側面	8-POWERVDFN	IPG20N	モスフェット（金属酸化物）	43W		PG-TDSON-8-10	-			影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	2 nチャンネル（デュアル）			55V	20a（tc）		65mohm @ 15a 、10V	2V @ 14µA	12NC @ 10V		410pf @ 25V	ロジックレベルゲート
SPD06N80C3BTMA1	-	RFQ	1861年年	Infineon Technologies	coolmos™	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました	-55°C〜150°C	表面マウント	to-252-3	SPD06N	モスフェット（金属酸化物）			PG-to252-3-11	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,500			nチャネル	800 V	6a（ta）	10V	900mohm @ 3.8a 、10V	3.9V @ 250µA	41 NC @ 10 V	±20V	785 PF @ 100 V	-	83W
IDW30G120C5BFKSA1	20.2600	RFQ	43	Infineon Technologies	coolsic™+	チューブ	アクティブ		穴を通して	TO-247-3	IDW30G120	sic （炭化シリコン）ショットキー			PG-to247-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	30		高速回復= <500ns												1ペア共通カソード	1200 v	44a	1.65 V @ 15 a		124 µA @ 1200 v	-55°C〜175°C
DF11MR12W1M1B11BOMA1	-	RFQ	3861	Infineon Technologies	-	トレイ	廃止	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	モジュール	DF11MR12	炭化シリコン（原文）	20MW		ag-easy1bm-2	ダウンロード		適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	24	2 nチャンネル（デュアル）			1200V（1.2kv）	50a		23mohm @ 50a、15V	5.5V @ 20MA	125NC @ 5V		3950pf @ 800V	-
DDB6U145N16LHOSA1	170.6400	RFQ	9772	Infineon Technologies	-	トレイ	アクティブ		シャーシマウント	モジュール	DDB6U145	標準			モジュール	ダウンロード	ROHS3準拠	適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	4		-												3独立	1600 v	-	1.43 V @ 150 a		5 ma @ 1600 v	-40°C〜150°C
D950N22TXPSA1	-	RFQ	1422	Infineon Technologies	-	バルク	廃止		シャーシマウント	do-200aa、a-puk	D950N22	標準			-	ダウンロード	ROHS3準拠	適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	18		標準回復> 500ns													2200 v		1.12 V @ 650 a		40 mA @ 2200 v	-40°C〜180°C	950A	-
auirfu3607	-	RFQ	3401	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	穴を通して	to-251-3		モスフェット（金属酸化物）			i-pak	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	SP001520676	ear99	8541.29.0095	3,000			nチャネル	75 v	56a（tc）	10V	9mohm @ 46a 、10V	4V @ 100µA	84 NC @ 10 V	±20V	3070 PF @ 50 V	-	140W

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²