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離散半導体製品（16626）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	入力タイプ	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	フェットタイプ	現在 -マックス	テスト条件	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	容量 @ vr、f	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターパルス（ icm）	vce（on max） @ vge	エネルギーの切り替え	ゲートチャージ	TD （オン/オフ） @ 25°C	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	入力容量（ cies @ vce	@ @ if、f	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移
IPU20N03L g	-	RFQ	9839	Infineon Technologies	Optimos™	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	穴を通して	to-251-3	UP20N		モスフェット（金属酸化物）			P-to251-3-1	ダウンロード		3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,500			nチャネル			30 V	30a（tc）	4.5V 、10V	20mohm @ 15a 、10V	2V @ 25µA	11 NC @ 5 V	±20V	700 PF @ 25 V	-	60W （TC）
IPW50R280CE	0.7700	RFQ	108	Infineon Technologies	coolmos™	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-247-3			モスフェット（金属酸化物）			PG-to247-3-41	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1			nチャネル			500 V	18.1a（tc）	13V	280mohm @ 4.2a、13V	3.5V @ 350µA	32.6 NC @ 10 V	±20V	773 PF @ 100 V	-	119w
DD98N22KHPSA2	131.2867	RFQ	1910年	Infineon Technologies	DD98N	トレイ	アクティブ		シャーシマウント	モジュール			標準			モジュール	-	ROHS3準拠			448-DD98N22KHPSA2	ear99	8541.30.0080	15		標準回復> 500ns														1ペアシリーズ接続	2200 v	98a	1.53 V @ 300 a		25 mA @ 2.2 kV	150°C
IRG4BC20FDPBF	-	RFQ	1085	Infineon Technologies	-	チューブ	廃止	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3		標準		60 W		TO-220AB	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000					480V 、9A 、50OHM、15V															37 ns				-	600 V	16 a	64 a	2V @ 15V、9a	250µj（640µj （オフ）	27 NC	43ns/240ns
SIGC42T60SNCX7SA1	-	RFQ	6168	Infineon Technologies	-	バルク	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	死ぬ	SIGC42T60	標準				死ぬ	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		廃止		1					400V 、50A 、6.8OHM、15V																			npt	600 V	50 a	150 a	2.5V @ 15V 、50a	-		57ns/380ns
auirf7309q	-	RFQ	3071	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）	auirf7309		モスフェット（金属酸化物）	1.4W		8-SOIC	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	SP001522058	ear99	8541.29.0095	95	nおよびpチャネル					30V	4a、3a		50mohm @ 2.4a 、10V	3V @ 250µA	25NC @ 4.5V		520pf @ 15V	ロジックレベルゲート
SPI47N10	-	RFQ	2817	Infineon Technologies	SIPMOS®	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	穴を通して	To-262-3 Long Leads	SPI47N		モスフェット（金属酸化物）			PG-to262-3-1	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	SP000013951	ear99	8541.29.0095	500			nチャネル			100 V	47a（tc）	10V	33mohm @ 33a 、10V	4V @ 2MA	105 NC @ 10 V	±20V	2500 PF @ 25 V	-	175W
BSZ050N03LSGATMA1	0.9500	RFQ	4	Infineon Technologies	Optimos™	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	8-powertdfn	BSZ050		モスフェット（金属酸化物）			PG-TSDSON-8	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	5,000			nチャネル			30 V	16a（タタ）、40a（tc）	4.5V 、10V	5mohm @ 20a 、10V	2.2V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V	2800 PF @ 15 V	-	2.1W
IRLC024NB	-	RFQ	9241	Infineon Technologies	hexfet®	バルク	廃止	-	表面マウント	死ぬ			モスフェット（金属酸化物）			死ぬ	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	448-IRLC024NB	廃止		1			-			55 v	17a	10V	65mohm @ 17a 、10V	-		-		-	-
IRF7805ZTRPBF-1	-	RFQ	4338	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）			モスフェット（金属酸化物）			8-SOIC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	4,000			nチャネル			30 V	16a（ta）	4.5V 、10V	6.8mohm @ 16a 、10V	2.25V @ 250µA	27 NC @ 4.5 v	±20V	2080 PF @ 15 V	-	2.5W
FF450R17ME4B11BPSA1	367.5180	RFQ	7720	Infineon Technologies	econodual™3	トレイ	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	モジュール	FF450R17			2500 W	標準	ag-conod	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	10	2独立																							トレンチフィールドストップ	1700 v	600 a		2.3V @ 15V 、450A						3 Ma	はい	36 nf @ 25 v
IPW65R090CFD7XKSA1	7.4100	RFQ	6141	Infineon Technologies	coolmos™cfd7	チューブ	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-247-3	IPW65R		モスフェット（金属酸化物）			PG-to247-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	30			nチャネル			650 V	25a（tc）	10V	90mohm @ 12.5a 、10V	4.5V @ 630µA	53 NC @ 10 V	±20V	2513 PF @ 400 v	-	127W
IRFS3004PBF	-	RFQ	8511	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	sicで中止されました	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3			モスフェット（金属酸化物）			d2pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	SP001557216	ear99	8541.29.0095	50			nチャネル			40 v	195a（ta）	10V	1.75mohm @ 195a 、10V	4V @ 250µA	240 NC @ 10 V	±20V	9200 PF @ 25 V	-	380W
IGC39T65QEX1SA1	-	RFQ	8038	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ	-40°C〜175°C	表面マウント	死ぬ	IGC39T65	標準				死ぬ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない			0000.00.0000	1					-																			トレンチフィールドストップ	650 V	75 a	225 a	2.22V @ 15V 、75a	-		-
IPN50R800CEATMA1	0.7200	RFQ	18	Infineon Technologies	coolmos™ce	テープ＆リール（ tr）	新しいデザインではありません	-40°C〜150°C （TJ	表面マウント	TO-261-4、TO-261AA	IPN50R800		モスフェット（金属酸化物）			PG-SOT223	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	3,000			nチャネル			500 V	7.6a	13V	800mohm @ 1.5a、13V	3.5V @ 130µA	12.4 NC @ 10 V	±20V	280 PF @ 100 V	-	5W （TC）
BC807-40E6327	-	RFQ	6398	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ	150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3				330 MW		PG-SOT23-3-11	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	3,000																									45 v	500 Ma								100na（icbo）				PNP	700mv @ 50ma 、500ma	250 @ 100MA、1V	200MHz
FF8MR12W1M1HS4PB11BPSA1	229.0000	RFQ	30	Infineon Technologies	coolsic™	トレイ	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	モジュール	FF8MR12		炭化シリコン（原文）	20MW		ag-easy1b	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない				30	2 nチャネル					1200V	100A （TJ）		8.1mohm @ 100a、18V	5.15V @ 40MA	297NC @ 18V		8800pf @ 800V	炭化シリコン（原文）
auxmmf7484qtr	-	RFQ	2599	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	廃止										-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		廃止		1,000							-
BAT68E6359HTMA1	0.0700	RFQ	30	Infineon Technologies	BAT68	バルク	アクティブ	150°C （TJ）		TO-236-3						PG-SOT23-3-1	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.10.0070	10,000				130 Ma											150 MW								1PF @ 0V、1MHz									Schottky-シングル	8V				10ohm @ 5ma 、10kHz
BSM200GB120DLCE3256HDLA1	-	RFQ	8135	Infineon Technologies	-	バルク	廃止	-40°C〜125°C	シャーシマウント	モジュール	BSM200			1550 w	標準	AG-62mmhb	-					廃止		1	ハーフブリッジ																							-	1200 v	420 a		2.6V @ 15V 、200A						5 Ma	いいえ	13 nf @ 25 v
IPB041N04NGATMA1	-	RFQ	7455	Infineon Technologies	Optimos™	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3	IPB041N		モスフェット（金属酸化物）			PG-to263-3	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000			nチャネル			40 v	80a（tc）	10V	4.1mohm @ 80a 、10v	4V @ 45µA	56 NC @ 10 V	±20V	4500 PF @ 20 V	-	94W
IRF7341TRPBFXTMA1	1.2000	RFQ	4613	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）			モスフェット（金属酸化物）	2W （TC）		PG-DSO-8-902	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない				4,000	2 nチャネル					55V	4.7a（tc）		50mohm @ 4.7a 、10V	1V @ 250µA	36NC @ 10V		740pf @ 25V	ロジックレベルゲート
IRF7902PBF	-	RFQ	4986	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）	IRF7902		モスフェット（金属酸化物）	1.4W 、2W		8-SO	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	SP001566344	ear99	8541.29.0095	95	2 nチャンネル（デュアル）					30V	6.4a、9.7a		22.6mohm @ 6.4a 、10V	2.25V @ 25µA	6.9NC @ 4.5V		580pf @ 15V	ロジックレベルゲート
IPB120N06S403ATMA2	2.9800	RFQ	8316	Infineon Technologies	Automotive 、AEC-Q101、Optimos™	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3	IPB120		モスフェット（金属酸化物）			PG-to263-3-2	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000			nチャネル			60 V	120a（tc）	10V	3.2mohm @ 100a 、10V	4V @ 120µA	160 NC @ 10 V	±20V	13150 PF @ 25 V	-	167W （TC）
IPP100N06S3L-03	-	RFQ	7966	Infineon Technologies	Optimos™	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3	IPP100N		モスフェット（金属酸化物）			PG-to220-3-1	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	500			nチャネル			55 v	100a（tc）	5V、10V	3mohm @ 80a 、10V	2.2V @ 230µA	550 NC @ 10 V	±16V	26240 PF @ 25 V	-	300W （TC）
IRFSL7534PBF	-	RFQ	7240	Infineon Technologies	hexfet®、 strongirfet™	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	表面マウント	To-262-3 Long Leads	IRFSL7534		モスフェット（金属酸化物）			TO-262	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	SP001568208	ear99	8541.29.0095	1,000			nチャネル			60 V	195a（tc）	6V 、10V	2.4mohm @ 100a 、10V	3.7V @ 250µA	279 NC @ 10 V	±20V	10034 PF @ 25 V	-	294W
IPD90R1K2C3BTMA1	-	RFQ	2606	Infineon Technologies	coolmos™	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	to-252-3	IPD90		モスフェット（金属酸化物）			PG-to252-3	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,500			nチャネル			900 V	5.1a（tc）	10V	1.2OHM @ 2.8A 、10V	3.5V @ 310µA	28 NC @ 10 V	±20V	710 PF @ 100 V	-	83W
IPI50R299CP	0.9500	RFQ	9	Infineon Technologies	coolmos™	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	To-262-3 Long Leads			モスフェット（金属酸化物）			PG-to262-3-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1			nチャネル			500 V	12a（tc）	10V	299mohm @ 6.6a 、10V	3.5V @ 440µA	31 NC @ 10 V	±20V	1190 PF @ 100 V	-	104W
IPA50R140CPXK	-	RFQ	9087	Infineon Technologies	coolmos™	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3フルパック			モスフェット（金属酸化物）			PG-to220-3-111	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.29.0095	1			nチャネル			500 V	23a（tc）	10V	140mohm @ 14a 、10V	3.5V @ 930µA	64 NC @ 10 V	±20V	2540 PF @ 100 V	-	34W （TC）
IMBF170R450M1XTAM1	8.9500	RFQ	1748	Infineon Technologies	coolsic™	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-8	IMBF170		sicfet （炭化シリコン）			PG-to263-7-13	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000			nチャネル			1700 v	9.8a（tc）	12V、15V	450mohm @ 2a、15V	5.7V @ 2.5MA	11 NC @ 12 v	+20V、 -10V	610 pf @ 1000 v	-	107W （TC）

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²