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離散半導体製品（16626）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	入力タイプ	テクノロジー	パワー -マックス	構造	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	フェットタイプ	現在-hold（ihmax）	テスト条件	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	電圧 -状態外	現在 -state（it （rms	電圧 -ゲートトリガー（ vgt ）（最大）	現在 -非担当者サージ50、60Hz	現在 -ゲートトリガー（ Igt ）（最大）	現在 -State	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	scr の数、ダイオード	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターパルス（ icm）	vce（on max） @ vge	エネルギーの切り替え	ゲートチャージ	TD （オン/オフ） @ 25°C	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	入力容量（ cies @ vce	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移
BSC050NE2LSATMA1	0.9600	RFQ	29	Infineon Technologies	Optimos™	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	8-powertdfn	BSC050		モスフェット（金属酸化物）				PG-TDSON-8-5	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	5,000			nチャネル			25 v	39a	4.5V 、10V	5mohm @ 30a 、10V	2V @ 250µA	10.4 NC @ 10 V	±20V	760 pf @ 12 v	-	2.5W
IPS06N03LZ g	-	RFQ	8462	Infineon Technologies	Optimos™	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-251-3 スタブリード、IPAK	IPS06N		モスフェット（金属酸化物）				PG-to251-3-11	ダウンロード		3 （168 時間）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	1,500			nチャネル			25 v	50a（tc）	4.5V 、10V	5.9mohm @ 30a 、10V	2V @ 40µA	22 NC @ 5 V	±20V	2653 PF @ 15 V	-	83W
IPI120N06S402AKSA1	-	RFQ	4842	Infineon Technologies	Optimos™	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	穴を通して	To-262-3 Long Leads	IPI120N		モスフェット（金属酸化物）				PG-to262-3-1	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	500			nチャネル			60 V	120a（tc）	10V	2.8mohm @ 100a 、10V	4V @ 140µA	195 NC @ 10 V	±20V	15750 PF @ 25 V	-	188W
FD400R12KE3B5HOSA1	223.5100	RFQ	2153	Infineon Technologies	c	トレイ	アクティブ	-40°C〜125°C	シャーシマウント	モジュール	FD400R12			2000 w		標準	モジュール	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	10	シングルチョッパー																															トレンチフィールドストップ	1200 v	580 a		2.15V @ 15V 、400A				5 Ma	いいえ	28 nf @ 25 v
IRF8302MTR1PBF	-	RFQ	5624	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜150°C （TJ	表面マウント	directfet™mx	IRF8302		モスフェット（金属酸化物）				DirectFet™MX	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	1,000			nチャネル			30 V	31a（タタ）、190a（tc）	4.5V 、10V	1.8mohm @ 31a 、10V	2.35V @ 150µA	53 NC @ 4.5 v	±20V	6030 PF @ 15 V	-	2.8W
BC817K-25WH6433	0.0500	RFQ	20	Infineon Technologies	aec-q101	バルク	アクティブ	150°C （TJ）	表面マウント	SC-70、SOT-323	BC817			500 MW			PG-SOT323-3-1	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.21.0075	6,217																																	45 v	500 Ma						100na（icbo）			700mv @ 50ma 、500ma	160 @ 100MA、1V	170MHz
auirfu8403	-	RFQ	3264	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	穴を通して	to-251-3	auirfu8403		モスフェット（金属酸化物）				i-pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	3,000			nチャネル			40 v	100a（tc）	10V	3.1mohm @ 76a 、10V	3.9V @ 100µA	99 NC @ 10 V	±20V	3171 PF @ 25 V	-	99W
SPI16N50C3	1.1300	RFQ	300	Infineon Technologies	coolmos™	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	To-262-3 Long Leads			モスフェット（金属酸化物）				PG-to262-3-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	300			nチャネル			500 V	16a（tc）	10V	280mohm @ 10a 、10v	3.9V @ 675µA	66 NC @ 10 V	±20V	1600 pf @ 25 v	-	160W
IDP06E60XKSA1	0.9800	RFQ	8	Infineon Technologies	aec-q101	バルク	アクティブ		穴を通して	TO-220-2			標準				PG-to220-2-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns																					600 V		2 V @ 6 a	70 ns	50 µA @ 600 V	-40°C〜175°C	14.7a	-
SIDC03D60F6X1SA1	-	RFQ	5797	Infineon Technologies	-	バルク	廃止		表面マウント	死ぬ	SIDC03		標準				死ぬ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns																					600 V		1.6 V @ 6 a		27 µA @ 600 v	-40°C〜175°C	6a	-
IPI120N06S4H1AKSA1	-	RFQ	6795	Infineon Technologies	Optimos™	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	穴を通して	To-262-3 Long Leads	IPI120N		モスフェット（金属酸化物）				PG-to262-3-1	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	500			nチャネル			60 V	120a（tc）	10V	2.4mohm @ 100a 、10V	4V @ 200µA	270 NC @ 10 V	±20V	21900 PF @ 25 V	-	250W
IPP60R600P7XKSA1	1.8400	RFQ	2024	Infineon Technologies	coolmos™p7	チューブ	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3	IPP60R600		モスフェット（金属酸化物）				PGから220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	50			nチャネル			650 V	6a（tc）	10V	600mohm @ 1.7a、10V	4V @ 80µA	9 NC @ 10 V	±20V	363 PF @ 400 v	-	30W （TC）
SPA06N60C3IN	-	RFQ	1927年年	Infineon Technologies	*	バルク	アクティブ											-	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8541.29.0095	389
SIDC08D60C8X7SA1	-	RFQ	5224	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ		表面マウント	死ぬ	SIDC08		標準				死ぬ	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns																					600 V		1.95 V @ 30 a		27 µA @ 600 v	-40°C〜175°C	30a	-
STT5000N18P110XPSA1	2.0000	RFQ	1870年	Infineon Technologies	-	トレイ	アクティブ	125°C （TJ）	シャーシマウント	モジュール	STT5000N				1フェースコントローラー -すべてのscr			ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.30.0080	1				300 Ma												1.8 kv	4780 a	2 v	44000A @ 50Hz	250 Ma											2 SCRS
IRGS4045DTRLPBF	-	RFQ	7533	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3		標準		77 W			d²pak	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	800					400V 、6a 、47ohm、15V																					74 ns						-	600 V	12 a	18 a	2V @ 15V、6a	56µj（122µj（オフ）	19.5 NC	27ns/75ns
BAS7004E6433HTMA1	0.4200	RFQ	50	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		表面マウント	TO-236-3	BAS7004		ショットキー				PG-SOT23	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0070	10,000		小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度																				1ペアシリーズ接続	70 v	70ma	1 V @ 15 mA	100 ps	100 Na @ 50 V	150°C （最大）
TT320N16SOFTIMHPSA1	119.8200	RFQ	5767	Infineon Technologies	-	トレイ	アクティブ	130°C （TJ）	シャーシマウント	モジュール	TT320N16				シリーズ接続 -すべてのscr			ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	ear99	8541.30.0080	3				150 Ma												1.6 kV	520 a	2 v	9500A @ 50Hz	150 Ma	320 a										2 SCRS
D850N32TXPSA1	-	RFQ	2289	Infineon Technologies	-	バルク	廃止		クランプオン	do-200ab、b-puk	D850N		標準				-	ダウンロード		適用できない	影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns																					3200 v		1.28 V @ 850 a		50 mA @ 3200 v	-40°C〜160°C	850A	-
BSO201SPH	-	RFQ	7896	Infineon Technologies	SIPMOS®	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）			モスフェット（金属酸化物）				PG-DSO-8	ダウンロード				ear99	8541.29.0095	1			pチャネル			20 v	12a（ta）	2.5V 、4.5V	8mohm @ 14.9a 、4.5V	1.2V @ 250µA	88 NC @ 4.5 v	±12V	9600 PF @ 15 V	-	1.6W
BCP49H6419	0.1200	RFQ	16	Infineon Technologies	*	バルク	アクティブ											-	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8541.29.0075	4,000
IRFH5215TRPBF	1.9300	RFQ	242	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	8-VQFN露出パッド	IRFH5215		モスフェット（金属酸化物）				PQFN （5x6	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	4,000			nチャネル			150 v	5a（ta ）、27a（tc）	10V	58mohm @ 16a 、10V	5V @ 100µA	32 NC @ 10 V	±20V	1350 PF @ 50 V	-	3.6W （TA ）、104W（TC）
IPP90R800C3XKSA1	-	RFQ	7921	Infineon Technologies	coolmos™	チューブ	廃止	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3	IPP90R		モスフェット（金属酸化物）				PG-to220-3-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	500			nチャネル			900 V	6.9a（tc）	10V	800mohm @ 4.1a 、10V	3.5V @ 460µA	42 NC @ 10 V	±20V	1100 PF @ 100 V	-	104W
BSS139IXTSA1	0.4600	RFQ	3550	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3			モスフェット（金属酸化物）				PG-SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.21.0095	3,000			nチャネル			250 v	100ma（ta）	0V 、10V	14OHM @ 100MA 、10V	1V @ 56µA	2.3 NC @ 5 V	±20V	60 pf @ 25 v	-	360MW
BSZ100N03MSGATMA1	0.8900	RFQ	10	Infineon Technologies	Optimos™	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	8-powertdfn	BSZ100		モスフェット（金属酸化物）				PG-TSDSON-8	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	5,000			nチャネル			30 V	10a（タタ）、40a（tc）	4.5V 、10V	9.1mohm @ 20a 、10v	2V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±20V	1700 PF @ 15 V	-	2.1W
PX8746HDNG018XTMA1	-	RFQ	5743	Infineon Technologies	-	トレイ	廃止				PX8746HD							-	ROHS3準拠		影響を受けていない	廃止		1
DD89N12KHPSA2	104.2340	RFQ	7275	Infineon Technologies	-	トレイ	アクティブ		シャーシマウント	モジュール			標準				モジュール	-	ROHS3準拠			ear99	8541.30.0080	15		標準回復> 500ns																				1ペアシリーズ接続	1200 v	89a	1.5 V @ 300 a		20 mA @ 1.2 kV	150°C
IRF8736PBF	-	RFQ	8330	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	sicで中止されました	-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）			モスフェット（金属酸化物）				8-SO	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	95			nチャネル			30 V	18a（ta）	4.5V 、10V	4.8mohm @ 18a 、10v	2.35V @ 50µA	26 NC @ 4.5 v	±20V	2315 PF @ 15 V	-	2.5W
BSL306NH6327XTSA1	-	RFQ	6560	Infineon Technologies	Automotive 、AEC-Q101、Optimos™	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	SOT-23-6薄い、TSOT-23-6	BSL306		モスフェット（金属酸化物）	500MW			PG-TSOP6-6	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.21.0095	3,000	2 nチャンネル（デュアル）					30V	2.3a		57mohm @ 2.3a 、10V	2V @ 11µA	1.6NC @ 5V		275pf @ 15V	ロジックレベルゲート、4.5Vドライブ
buz73a h	-	RFQ	3050	Infineon Technologies	SIPMOS®	チューブ	廃止	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3			モスフェット（金属酸化物）				PGから220-3	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	500			nチャネル			200 v	5.5a（tc）	10V	600mohm @ 4.5a 、10V	4V @ 1MA		±20V	530 PF @ 25 V	-	40W （TC）

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²