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離散半導体製品（16626）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	電圧 -定格	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	入力タイプ	頻度	テクノロジー	パワー -マックス	構造	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	フェットタイプ	現在の評価（ amp）	現在 -マックス	現在-hold（ihmax）	テスト条件	現在 -テスト	電力 -出力	得	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	電圧 -状態外	現在 -state（it （rms	電圧 -ゲートトリガー（ vgt ）（最大）	現在 -非担当者サージ50、60Hz	現在 -ゲートトリガー（ Igt ）（最大）	現在 -State	ノイズ図	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	scr の数、ダイオード	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターパルス（ icm）	vce（on max） @ vge	エネルギーの切り替え	ゲートチャージ	TD （オン/オフ） @ 25°C	電圧 -テスト	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧 -破壊（ V	現在の - ドレイン（IDSS @ vds（vgs = 0）	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	入力容量（ cies @ vce	抵抗-RDS （オン）	@ @ if、f	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移	電流排水（ id） -最大
TD104N14KOFAHPSA2	128.8913	RFQ	5408	Infineon Technologies	TD	トレイ	アクティブ		140°C （TJ）	シャーシマウント	モジュール						一般的なアノード -すべてのscr			-	ROHS3準拠				ear99	8541.30.0080	15						200 ma															1.4 kV	160 a	1.4 v	2050A @ 50Hz	120 Ma	102 a											1 scr、1ダイオード
BCX68-25E6327	1.0000	RFQ	6198	Infineon Technologies	aec-q101	バルク	アクティブ		150°C （TJ）	表面マウント	TO-243AA					3 W			PG-SOT89-4-2	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0075	1,000																																							20 v	1 a											100na（icbo）					500MV @ 100MA、1a	160 @ 500MA、1V	100MHz
SPI02N65C3	-	RFQ	7524	Infineon Technologies	*	バルク	アクティブ													-	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.29.0095	1
IDD10G65C6XTMA1	5.1200	RFQ	1	Infineon Technologies	coolsic™+	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	10-POWERSOPモジュール	iddd10			sic （炭化シリコン）ショットキー				PG-HDSOP-10-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,700		回復時間なし> 500ma																											650 V			0 ns	33 µA @ 420 v	-55°C〜175°C	29a	495pf @ 1V、1MHz
IDH10SG60CXKSA2	7.1200	RFQ	360	Infineon Technologies	coolsic™+	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-2	IDH10SG60			sic （炭化シリコン）ショットキー				PG-to220-2-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50		回復時間なし> 500ma																											600 V		2.1 V @ 10 a	0 ns	90 µA @ 600 V	-55°C〜175°C	10a	290pf @ 1V、1MHz
IRFR3607TRPBF	1.7200	RFQ	25	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3	IRFR3607			モスフェット（金属酸化物）				d-pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,000			nチャネル								75 v	56a（tc）	10V	9mohm @ 46a 、10V	4V @ 100µA	84 NC @ 10 V	±20V	3070 PF @ 50 V	-	140W
IAUZ40N08S5N100ATMA1	0.6636	RFQ	2228	Infineon Technologies	Automotive 、AEC-Q101、Optimos™-5	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜175°C	表面マウント	8-powertdfn				モスフェット（金属酸化物）				PG-TDSON-8	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	5,000			nチャネル								80 v	40a（tc）	6V 、10V	10mohm @ 20a 、10V	3.8V @ 27µA	24.2 NC @ 10 V	±20V	1591 PF @ 40 V	-	68W （TC）
IPP039N10N5XKSA1	-	RFQ	5694	Infineon Technologies	Optimos™	チューブ	アクティブ		-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3				モスフェット（金属酸化物）				PGから220-3	-				448-IPP039N10N5XKSA1	ear99	8541.29.0095	1			nチャネル								100 V	100a（tc）	6V 、10V	3.9mohm @ 50a 、10V	3.8V @ 125µA	95 NC @ 10 V	±20V	7000 pf @ 50 V	-	188W
FB50R07W2E3C36BPSA1	63.6600	RFQ	15	Infineon Technologies	-	トレイ	アクティブ					FB50R07								-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	15
IPB65R380C6ATMA1	-	RFQ	5502	Infineon Technologies	coolmos™	テープ＆リール（ tr）	廃止		-55°C〜150°C	表面マウント	TO-263-3	IPB65R			モスフェット（金属酸化物）				PG-to263-3	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000			nチャネル								650 V	10.6a（tc）	10V	380mohm @ 3.2a 、10V	3.5V @ 320µA	39 NC @ 10 V	±20V	710 PF @ 100 V	-	83W
auirf1010zl	1.2400	RFQ	5	Infineon Technologies	hexfet®	バルク	アクティブ		-55°C〜175°C	穴を通して	To-262-3 Long Leads				モスフェット（金属酸化物）				TO-262	ダウンロード		適用できない	影響を受けていない	2156-AUIRF1010ZL-448	ear99	8541.29.0095	1			nチャネル								55 v	75a（tc）		7.5mohm @ 75a 、10V	4V @ 250µA	95 NC @ 10 V		2840 PF @ 25 V	-	140W
IDW20G120C5BFKSA1	14.7700	RFQ	2748	Infineon Technologies	coolsic™+	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-247-3	IDW20G120			sic （炭化シリコン）ショットキー				PG-to247-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	30		高速回復= <500ns																										1ペア共通カソード	1200 v	31a	1.65 V @ 10 a		83 µA @ 1200 v	-55°C〜175°C
IPP47N10S33AKSA1	-	RFQ	7171	Infineon Technologies	SIPMOS®	チューブ	廃止		-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3	IPP47N			モスフェット（金属酸化物）				PG-to220-3-1	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	500			nチャネル								100 V	47a（tc）	10V	33mohm @ 33a 、10V	4V @ 2MA	105 NC @ 10 V	±20V	2500 PF @ 25 V	-	175W
BSP322PL6327	-	RFQ	9707	Infineon Technologies	SIPMOS®	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	TO-261-4、TO-261AA				モスフェット（金属酸化物）				PG-SOT223-4-21	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000			pチャネル								100 V	1a（tc）	4.5V 、10V	800mohm @ 1a 、10v	1V @ 380µA	16.5 NC @ 10 V	±20V	372 PF @ 25 V	-	1.8W
DD89N12KHPSA1	114.8300	RFQ	15	Infineon Technologies	-	トレイ	アクティブ			シャーシマウント	モジュール	DD89N12			標準				モジュール	ダウンロード	ROHS3準拠	適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	15		標準回復> 500ns																										1ペア共通カソード	1200 v	89a	1.5 V @ 300 a		20 mA @ 1200 v	-40°C〜150°C
DF11MR12W1M1B11BOMA1	-	RFQ	3861	Infineon Technologies	-	トレイ	廃止		-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	モジュール	DF11MR12			炭化シリコン（原文）	20MW			ag-easy1bm-2	ダウンロード		適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	24	2 nチャンネル（デュアル）										1200V（1.2kv）	50a		23mohm @ 50a、15V	5.5V @ 20MA	125NC @ 5V		3950pf @ 800V	-
SPD06N80C3BTMA1	-	RFQ	1861年年	Infineon Technologies	coolmos™	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました		-55°C〜150°C	表面マウント	to-252-3	SPD06N			モスフェット（金属酸化物）				PG-to252-3-11	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,500			nチャネル								800 V	6a（ta）	10V	900mohm @ 3.8a 、10V	3.9V @ 250µA	41 NC @ 10 V	±20V	785 PF @ 100 V	-	83W
IDW30G120C5BFKSA1	20.2600	RFQ	43	Infineon Technologies	coolsic™+	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-247-3	IDW30G120			sic （炭化シリコン）ショットキー				PG-to247-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	30		高速回復= <500ns																										1ペア共通カソード	1200 v	44a	1.65 V @ 15 a		124 µA @ 1200 v	-55°C〜175°C
IRFHM8363TR2PBF	-	RFQ	2333	Infineon Technologies	-	カットテープ（CT）	廃止			表面マウント	8-POWERVDFN	IRFHM8363			モスフェット（金属酸化物）	2.7W			8-PQFN-DUAL （3.3x3.3	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	400	2 nチャンネル（デュアル）										30V	11a		14.9mohm @ 10a 、10V	2.35V @ 25µA	15NC @ 10V		1165pf @ 10V	ロジックレベルゲート
IRF2804LPBF	1.6624	RFQ	4017	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	新しいデザインではありません		-55°C〜175°C	穴を通して	To-262-3 Long Leads	IRF2804			モスフェット（金属酸化物）				TO-262	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000			nチャネル								40 v	75a（tc）		2.3mohm @ 75a 、10V	4V @ 250µA	240 NC @ 10 V		6450 PF @ 25 V	-	300W （TC）
IRF3205ZSTRLPBF	1.9400	RFQ	2	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3	IRF3205			モスフェット（金属酸化物）				d2pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	800			nチャネル								55 v	75a（tc）	10V	6.5mohm @ 66a 、10V	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	3450 PF @ 25 V	-	170W
IRFB4127PBF	4.0200	RFQ	2	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	アクティブ		-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3	IRFB4127			モスフェット（金属酸化物）				TO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50			nチャネル								200 v	76a（tc）	10V	20mohm @ 44a 、10V	5V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±20V	5380 PF @ 50 V	-	375W
IRG6B330UDPBF	-	RFQ	4113	Infineon Technologies	-	チューブ	廃止		-40°C〜150°C （TJ	穴を通して	TO-220-3	IRG6B330	標準			160 W			TO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000							196v																									60 ns						溝	330 v	70 a		2.76V @ 15V 、120A	-	85 NC	47ns/176ns
IHW30N120R3FKSA1	-	RFQ	3253	Infineon Technologies	TrenchStop®	チューブ	廃止		-40°C〜175°C	穴を通して	TO-247-3	IHW30	標準			349 w			PG-to247-3-1	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	240							600V 、30A 、10OHM15V																															-	1200 v	60 a	90 a	1.75V @ 15V 、30a	1.47MJ （オフ）	263 NC	- /326ns
BAR9002ELSE6327XTSA1	0.4700	RFQ	75	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		150°C （TJ）		0201 （0603 メトリック）	bar9002							PG-TSSLP-2-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	15,000					100 Ma															250 MW																0.35pf @ 1V、1MHz											ピン -シングル	80V							800mohm @ 10ma 、100MHz
BAT1502LSE6433XMA1	0.6000	RFQ	69	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		150°C （TJ）		0201 （0603 メトリック）	BAT1502							PG-TSSLP-2-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	70,000					110 Ma															100 MW																0.23pf @ 0V、1MHz											Schottky-シングル	4V							10ohm @ 50ma、1MHz
IJW120R070T1FKSA1	-	RFQ	7377	Infineon Technologies	coolsic™	チューブ	廃止		-55°C〜175°C	穴を通して	TO-247-3					238 w			PG-to247-3	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	SP000871652	ear99	8541.29.0095	240			nチャネル								1200 v							2000pf @ 19.5v																															1200 v	3.3 µA @ 1200 V				70モーム					35 a
PTFA091503ELV4R0XTMA1	-	RFQ	4305	Infineon Technologies	-	ストリップ	廃止	65 v			2 フラットパック、フィンのリード、フランジ			920MHz〜960MHz	ldmos				H-33288-6	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	SP001422954	ear99	8541.29.0095	50				10µA				1.25 a	150W	17dB																	-																			30 V
FF600R12IE4BOSA1	521.2400	RFQ	3	Infineon Technologies	-	トレイ	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	モジュール	FF600R12				3350 w		標準	モジュール	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	3	ハーフブリッジ																																					トレンチフィールドストップ	1200 v	600 a		2.05V @ 15V、600A									5 Ma	はい	37 nf @ 25 v
FF600R12IP4BOSA1	521.2400	RFQ	8	Infineon Technologies	-	トレイ	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	モジュール	FF600R12				3350 w		標準	モジュール	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	3	ハーフブリッジ																																					トレンチフィールドストップ	1200 v	600 a		2.05V @ 15V、600A									5 Ma	はい	37 nf @ 25 v

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²