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離散半導体製品（16626）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	構造	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	フェットタイプ	現在-hold（ihmax）	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	電圧 -状態外	現在 -state（it （rms	電圧 -ゲートトリガー（ vgt ）（最大）	現在 -非担当者サージ50、60Hz	現在 -ゲートトリガー（ Igt ）（最大）	現在 -State	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	scr の数、ダイオード	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	vce（on max） @ vge	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	入力容量（ cies @ vce
IRFH5215TRPBF	1.9300	RFQ	242	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	8-VQFN露出パッド	IRFH5215	モスフェット（金属酸化物）				PQFN （5x6	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	4,000			nチャネル		150 v	5a（ta ）、27a（tc）	10V	58mohm @ 16a 、10V	5V @ 100µA	32 NC @ 10 V	±20V	1350 PF @ 50 V	-	3.6W （TA ）、104W（TC）
BCP49H6419	0.1200	RFQ	16	Infineon Technologies	*	バルク	アクティブ										-	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.29.0075	4,000
BSS139IXTSA1	0.4600	RFQ	3550	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3		モスフェット（金属酸化物）				PG-SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	3,000			nチャネル		250 v	100ma（ta）	0V 、10V	14OHM @ 100MA 、10V	1V @ 56µA	2.3 NC @ 5 V	±20V	60 pf @ 25 v	-	360MW
BSO201SPH	-	RFQ	7896	Infineon Technologies	SIPMOS®	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）		モスフェット（金属酸化物）				PG-DSO-8	ダウンロード					ear99	8541.29.0095	1			pチャネル		20 v	12a（ta）	2.5V 、4.5V	8mohm @ 14.9a 、4.5V	1.2V @ 250µA	88 NC @ 4.5 v	±12V	9600 PF @ 15 V	-	1.6W
IPP90R800C3XKSA1	-	RFQ	7921	Infineon Technologies	coolmos™	チューブ	廃止	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3	IPP90R	モスフェット（金属酸化物）				PG-to220-3-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	500			nチャネル		900 V	6.9a（tc）	10V	800mohm @ 4.1a 、10V	3.5V @ 460µA	42 NC @ 10 V	±20V	1100 PF @ 100 V	-	104W
PX8746HDNG018XTMA1	-	RFQ	5743	Infineon Technologies	-	トレイ	廃止				PX8746HD						-	ROHS3準拠		影響を受けていない		廃止		1
DD89N12KHPSA2	104.2340	RFQ	7275	Infineon Technologies	-	トレイ	アクティブ		シャーシマウント	モジュール		標準				モジュール	-	ROHS3準拠				ear99	8541.30.0080	15		標準回復> 500ns																			1ペアシリーズ接続	1200 v	89a	1.5 V @ 300 a		20 mA @ 1.2 kV	150°C
BSZ100N03MSGATMA1	0.8900	RFQ	10	Infineon Technologies	Optimos™	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	8-powertdfn	BSZ100	モスフェット（金属酸化物）				PG-TSDSON-8	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	5,000			nチャネル		30 V	10a（タタ）、40a（tc）	4.5V 、10V	9.1mohm @ 20a 、10v	2V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±20V	1700 PF @ 15 V	-	2.1W
IRF8736PBF	-	RFQ	8330	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	sicで中止されました	-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）		モスフェット（金属酸化物）				8-SO	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	95			nチャネル		30 V	18a（ta）	4.5V 、10V	4.8mohm @ 18a 、10v	2.35V @ 50µA	26 NC @ 4.5 v	±20V	2315 PF @ 15 V	-	2.5W
SPI47N10	-	RFQ	2817	Infineon Technologies	SIPMOS®	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	穴を通して	To-262-3 Long Leads	SPI47N	モスフェット（金属酸化物）				PG-to262-3-1	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	SP000013951	ear99	8541.29.0095	500			nチャネル		100 V	47a（tc）	10V	33mohm @ 33a 、10V	4V @ 2MA	105 NC @ 10 V	±20V	2500 PF @ 25 V	-	175W
auirf7309q	-	RFQ	3071	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）	auirf7309	モスフェット（金属酸化物）	1.4W			8-SOIC	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	SP001522058	ear99	8541.29.0095	95	nおよびpチャネル				30V	4a、3a		50mohm @ 2.4a 、10V	3V @ 250µA	25NC @ 4.5V		520pf @ 15V	ロジックレベルゲート
FS75R12KS4BOSA1	304.2550	RFQ	1544	Infineon Technologies	-	トレイ	新しいデザインではありません	-40°C〜125°C	シャーシマウント	モジュール	FS75R12		500 W		標準	モジュール	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	10	三相インバーター																														-	1200 v	100 a	3.7V @ 15V 、75a	5 Ma	いいえ	5.1 nf @ 25 v
IPP100N06S3L-03	-	RFQ	7966	Infineon Technologies	Optimos™	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3	IPP100N	モスフェット（金属酸化物）				PG-to220-3-1	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	500			nチャネル		55 v	100a（tc）	5V、10V	3mohm @ 80a 、10V	2.2V @ 230µA	550 NC @ 10 V	±16V	26240 PF @ 25 V	-	300W （TC）
IPB80N06S2L05ATMA1	-	RFQ	1643	Infineon Technologies	Optimos™	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3	IPB80N	モスフェット（金属酸化物）				PG-to263-3-2	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000			nチャネル		55 v	80a（tc）	4.5V 、10V	4.5mohm @ 80a 、10V	2V @ 250µA	230 NC @ 10 V	±20V	5700 PF @ 25 V	-	300W （TC）
IRLC024NB	-	RFQ	9241	Infineon Technologies	hexfet®	バルク	廃止	-	表面マウント	死ぬ		モスフェット（金属酸化物）				死ぬ	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	448-IRLC024NB	廃止		1			-		55 v	17a	10V	65mohm @ 17a 、10V	-		-		-	-
BSZ050N03LSGATMA1	0.9500	RFQ	4	Infineon Technologies	Optimos™	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	8-powertdfn	BSZ050	モスフェット（金属酸化物）				PG-TSDSON-8	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	5,000			nチャネル		30 V	16a（タタ）、40a（tc）	4.5V 、10V	5mohm @ 20a 、10V	2.2V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V	2800 PF @ 15 V	-	2.1W
IRFR3607TRPBF	1.7200	RFQ	25	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3	IRFR3607	モスフェット（金属酸化物）				d-pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,000			nチャネル		75 v	56a（tc）	10V	9mohm @ 46a 、10V	4V @ 100µA	84 NC @ 10 V	±20V	3070 PF @ 50 V	-	140W
IRF7902PBF	-	RFQ	4986	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）	IRF7902	モスフェット（金属酸化物）	1.4W 、2W			8-SO	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	SP001566344	ear99	8541.29.0095	95	2 nチャンネル（デュアル）				30V	6.4a、9.7a		22.6mohm @ 6.4a 、10V	2.25V @ 25µA	6.9NC @ 4.5V		580pf @ 15V	ロジックレベルゲート
FF300R17ME3BOSA1	289.6780	RFQ	9620	Infineon Technologies	econodual™3	トレイ	新しいデザインではありません	-40°C〜125°C	シャーシマウント	モジュール	FF300R17		1650 w		標準	モジュール	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	10	ハーフブリッジ																														トレンチフィールドストップ	1700 v	375 a	2.45V @ 15V、300A	3 Ma	はい	27 nf @ 25 v
BAS70-07WE6327	-	RFQ	9116	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ		表面マウント	SC-82A 、SOT-343	BAS70	ショットキー				PG-SOT343-4-1	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.10.0070	4,750		小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度																			2独立	70 v	70ma	1 V @ 15 mA	100 ps	100 Na @ 50 V	150°C
IPS70R600CEAKMA1	-	RFQ	7914	Infineon Technologies	coolmos™	チューブ	sicで中止されました	-40°C〜150°C （TJ	穴を通して	TO-251-3 スタブリード、IPAK	IPS70R	モスフェット（金属酸化物）				PG-to251-3-11	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	SP001407894	ear99	8541.29.0095	1,500			nチャネル		700 V	10.5a	10V	600mohm @ 1a 、10V	3.5V @ 210µA	22 NC @ 10 V	±20V	474 PF @ 100 V	-	86W
IPD06P005NSAUMA1	-	RFQ	9041	Infineon Technologies	Optimos™	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3	IPD06P	モスフェット（金属酸化物）				PG-to252-3-313	-		1 （無制限）	影響を受けていない	SP001863502	ear99	8541.29.0095	2,500			pチャネル		60 V	6.5a（tc）	10V	250mohm @ 6.5a 、10V	4V @ 270µA	10.6 NC @ 10 V	±20V	420 PF @ 30 V	-	28W （TC）
TD104N14KOFAHPSA2	128.8913	RFQ	5408	Infineon Technologies	TD	トレイ	アクティブ	140°C （TJ）	シャーシマウント	モジュール				一般的なアノード -すべてのscr			-	ROHS3準拠				ear99	8541.30.0080	15				200 ma											1.4 kV	160 a	1.4 v	2050A @ 50Hz	120 Ma	102 a										1 scr、1ダイオード
IDH08G65C 5XKSA1	-	RFQ	6243	Infineon Technologies	coolsic™+	チューブ	sicで中止されました		穴を通して	TO-220-2	IDH08G65	sic （炭化シリコン）ショットキー				PG-to220-2-2	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	500		回復時間なし> 500ma																				650 V		1.7 V @ 8 a	0 ns	280 µA @ 650 v	-55°C〜175°C	8a	250pf @ 1V、1MHz
IRF7904TRPBF-1	-	RFQ	3098	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）	IRF7904	モスフェット（金属酸化物）	1.4W 、2W			8-SO	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	SP00155688	ear99	8541.29.0095	4,000	2 nチャンネル（ハーフブリッジ）				30V	7.6a 、11a		16.2mohm @ 7.6a 、10V	2.25V @ 25µA	11NC @ 4.5V		910pf @ 15V	ロジックレベルゲート
SIDC06D60E6X1SA4	-	RFQ	6100	Infineon Technologies	-	バルク	廃止		表面マウント	死ぬ	SIDC06D60	標準				死ぬ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns																				600 V		1.25 V @ 10 a		27 µA @ 600 v	-55°C〜150°C	10a	-
FF2MR12KM1PHOSA1	-	RFQ	5563	Infineon Technologies	coolsic™	トレイ	廃止	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	モジュール	FF2MR12	モスフェット（金属酸化物）	-			AG-62mm	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	8	2 nチャンネル（ハーフブリッジ）				1200V（1.2kv）	500a		2.13mohm @ 500a、15V	5.15V @ 224ma	1340NC @ 15V		39700pf @ 800V	-
SPI15N60C3	1.6200	RFQ	16	Infineon Technologies	*	バルク	アクティブ										ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1
BSC014N04LSIATMA1	3.0700	RFQ	91	Infineon Technologies	Optimos™	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	8-powertdfn	BSC014	モスフェット（金属酸化物）				PG-TDSON-8 FL	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	5,000			nチャネル		40 v	31a（タタ）、 100a（tc）	4.5V 、10V	1.45mohm @ 50a 、10V	2V @ 250µA	55 NC @ 10 V	±20V	4000 pf @ 20 v	-	2.5W
IPP039N10N5XKSA1	-	RFQ	5694	Infineon Technologies	Optimos™	チューブ	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3		モスフェット（金属酸化物）				PGから220-3	-				448-IPP039N10N5XKSA1	ear99	8541.29.0095	1			nチャネル		100 V	100a（tc）	6V 、10V	3.9mohm @ 50a 、10V	3.8V @ 125µA	95 NC @ 10 V	±20V	7000 pf @ 50 V	-	188W

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²