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離散半導体製品（16626）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	入力タイプ	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	フェットタイプ	テスト条件	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターパルス（ icm）	vce（on max） @ vge	エネルギーの切り替え	ゲートチャージ	TD （オン/オフ） @ 25°C	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	入力容量（ cies @ vce	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移
BSC014N04LSIATMA1	3.0700	RFQ	91	Infineon Technologies	Optimos™	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	8-powertdfn	BSC014		モスフェット（金属酸化物）			PG-TDSON-8 FL	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	5,000			nチャネル		40 v	31a（タタ）、 100a（tc）	4.5V 、10V	1.45mohm @ 50a 、10V	2V @ 250µA	55 NC @ 10 V	±20V	4000 pf @ 20 v	-	2.5W
IPP039N10N5XKSA1	-	RFQ	5694	Infineon Technologies	Optimos™	チューブ	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3			モスフェット（金属酸化物）			PGから220-3	-				448-IPP039N10N5XKSA1	ear99	8541.29.0095	1			nチャネル		100 V	100a（tc）	6V 、10V	3.9mohm @ 50a 、10V	3.8V @ 125µA	95 NC @ 10 V	±20V	7000 pf @ 50 V	-	188W
IAUZ40N08S5N100ATMA1	0.6636	RFQ	2228	Infineon Technologies	Automotive 、AEC-Q101、Optimos™-5	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	8-powertdfn			モスフェット（金属酸化物）			PG-TDSON-8	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	5,000			nチャネル		80 v	40a（tc）	6V 、10V	10mohm @ 20a 、10V	3.8V @ 27µA	24.2 NC @ 10 V	±20V	1591 PF @ 40 V	-	68W （TC）
D3001N68TXPSA1	2.0000	RFQ	9674	Infineon Technologies	-	トレイ	アクティブ		シャーシマウント	DO-200AE	D3001N68		標準			-	ダウンロード	ROHS3準拠	適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns														6800 v		1.7 V @ 4000 a		100 mA @ 6800 v	-40°C〜160°C	3910a	-
SPI16N50C3	1.1300	RFQ	300	Infineon Technologies	coolmos™	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	To-262-3 Long Leads			モスフェット（金属酸化物）			PG-to262-3-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	300			nチャネル		500 V	16a（tc）	10V	280mohm @ 10a 、10v	3.9V @ 675µA	66 NC @ 10 V	±20V	1600 pf @ 25 v	-	160W
BC817K-25WH6433	0.0500	RFQ	20	Infineon Technologies	aec-q101	バルク	アクティブ	150°C （TJ）	表面マウント	SC-70、SOT-323	BC817			500 MW		PG-SOT323-3-1	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	6,217																									45 v	500 Ma						100na（icbo）			700mv @ 50ma 、500ma	160 @ 100MA、1V	170MHz
auirfu8403	-	RFQ	3264	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	穴を通して	to-251-3	auirfu8403		モスフェット（金属酸化物）			i-pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	3,000			nチャネル		40 v	100a（tc）	10V	3.1mohm @ 76a 、10V	3.9V @ 100µA	99 NC @ 10 V	±20V	3171 PF @ 25 V	-	99W
IDP06E60XKSA1	0.9800	RFQ	8	Infineon Technologies	aec-q101	バルク	アクティブ		穴を通して	TO-220-2			標準			PG-to220-2-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns														600 V		2 V @ 6 a	70 ns	50 µA @ 600 V	-40°C〜175°C	14.7a	-
IPB65R380C6ATMA1	-	RFQ	5502	Infineon Technologies	coolmos™	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-263-3	IPB65R		モスフェット（金属酸化物）			PG-to263-3	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000			nチャネル		650 V	10.6a（tc）	10V	380mohm @ 3.2a 、10V	3.5V @ 320µA	39 NC @ 10 V	±20V	710 PF @ 100 V	-	83W
auirf1010zl	1.2400	RFQ	5	Infineon Technologies	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	To-262-3 Long Leads			モスフェット（金属酸化物）			TO-262	ダウンロード		適用できない	影響を受けていない	2156-AUIRF1010ZL-448	ear99	8541.29.0095	1			nチャネル		55 v	75a（tc）		7.5mohm @ 75a 、10V	4V @ 250µA	95 NC @ 10 V		2840 PF @ 25 V	-	140W
SPI02N65C3	-	RFQ	7524	Infineon Technologies	*	バルク	アクティブ										-	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.29.0095	1
IDD10G65C6XTMA1	5.1200	RFQ	1	Infineon Technologies	coolsic™+	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		表面マウント	10-POWERSOPモジュール	iddd10		sic （炭化シリコン）ショットキー			PG-HDSOP-10-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,700		回復時間なし> 500ma														650 V			0 ns	33 µA @ 420 v	-55°C〜175°C	29a	495pf @ 1V、1MHz
BCX68-25E6327	1.0000	RFQ	6198	Infineon Technologies	aec-q101	バルク	アクティブ	150°C （TJ）	表面マウント	TO-243AA				3 W		PG-SOT89-4-2	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0075	1,000																									20 v	1 a						100na（icbo）			500MV @ 100MA、1a	160 @ 500MA、1V	100MHz
buz73a h	-	RFQ	3050	Infineon Technologies	SIPMOS®	チューブ	廃止	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3			モスフェット（金属酸化物）			PGから220-3	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	500			nチャネル		200 v	5.5a（tc）	10V	600mohm @ 4.5a 、10V	4V @ 1MA		±20V	530 PF @ 25 V	-	40W （TC）
IPL70R2K1CESATMA1	-	RFQ	3637	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました				IPL70R						ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	SP001409154	ear99	8541.29.0095	5,000						2.3a
IDH10SG60CXKSA2	7.1200	RFQ	360	Infineon Technologies	coolsic™+	チューブ	アクティブ		穴を通して	TO-220-2	IDH10SG60		sic （炭化シリコン）ショットキー			PG-to220-2-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50		回復時間なし> 500ma														600 V		2.1 V @ 10 a	0 ns	90 µA @ 600 V	-55°C〜175°C	10a	290pf @ 1V、1MHz
FB50R07W2E3C36BPSA1	63.6600	RFQ	15	Infineon Technologies	-	トレイ	アクティブ				FB50R07						-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	15
SIGC42T60SNCX7SA1	-	RFQ	6168	Infineon Technologies	-	バルク	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	死ぬ	SIGC42T60	標準				死ぬ	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		廃止		1				400V 、50A 、6.8OHM、15V																				npt	600 V	50 a	150 a	2.5V @ 15V 、50a	-		57ns/380ns
IRG4BC20FDPBF	-	RFQ	1085	Infineon Technologies	-	チューブ	廃止	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3		標準		60 W		TO-220AB	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000				480V 、9A 、50OHM、15V															37 ns					-	600 V	16 a	64 a	2V @ 15V、9a	250µj（640µj （オフ）	27 NC	43ns/240ns
IPB120N06S403ATMA2	2.9800	RFQ	8316	Infineon Technologies	Automotive 、AEC-Q101、Optimos™	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3	IPB120		モスフェット（金属酸化物）			PG-to263-3-2	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000			nチャネル		60 V	120a（tc）	10V	3.2mohm @ 100a 、10V	4V @ 120µA	160 NC @ 10 V	±20V	13150 PF @ 25 V	-	167W （TC）
SIDC04D60F6X1SA4	-	RFQ	1378	Infineon Technologies	-	バルク	廃止		表面マウント	死ぬ	SIDC04		標準			死ぬ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns														600 V		1.6 V @ 9 a		27 µA @ 600 v	-40°C〜175°C	9a	-
IRF6621TRPBF	-	RFQ	1547	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜150°C （TJ	表面マウント	directfet™sq			モスフェット（金属酸化物）			directfet™sq	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	4,800			nチャネル		30 V	12a（タタ）、 55a（tc）	4.5V 、10V	9.1mohm @ 12a 、10v	2.25V @ 250µA	17.5 NC @ 4.5 v	±20V	1460 PF @ 15 V	-	2.2W
IRF7811AVTRPBF-1	-	RFQ	4907	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）			モスフェット（金属酸化物）			8-SO	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	448-IRF7811AVTRPBF-1TR	ear99	8541.29.0095	4,000			nチャネル		30 V	10.8a（ta）	4.5V	14mohm @ 15a 、4.5v	3V @ 250µA	26 NC @ 5 V	±20V	1801 pf @ 10 v	-	2.5W
AUIRF1324S-7P	-	RFQ	2273	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止		表面マウント	TO-263-7	auirf1324		モスフェット（金属酸化物）			d2pak（7 リード）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000			nチャネル		24 v	240a		1mohm @ 160a 、10v	4V @ 250µA	252 NC @ 10 V		7700 PF @ 19 V	-
94-2312pbf	-	RFQ	7067	Infineon Technologies	-	チューブ	アクティブ	-			94-2312		-				-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1			-			-	-	-	-		-		-	-
BSO052N03S	-	RFQ	8568	Infineon Technologies	Optimos™	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）			モスフェット（金属酸化物）			PG-DSO-8	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,500			nチャネル		30 V	14a（ta）	4.5V 、10V	5.2mohm @ 17a 、10V	2V @ 70µA	43 NC @ 5 V	±20V	5530 PF @ 15 V	-	1.56W
buz73alin	-	RFQ	1870年	Infineon Technologies	*	バルク	アクティブ										ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.29.0095	503
FD400R12KE3B5HOSA1	223.5100	RFQ	2153	Infineon Technologies	c	トレイ	アクティブ	-40°C〜125°C	シャーシマウント	モジュール	FD400R12			2000 w	標準	モジュール	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	10	シングルチョッパー																							トレンチフィールドストップ	1200 v	580 a		2.15V @ 15V 、400A				5 Ma	いいえ	28 nf @ 25 v
IPI120N06S402AKSA1	-	RFQ	4842	Infineon Technologies	Optimos™	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	穴を通して	To-262-3 Long Leads	IPI120N		モスフェット（金属酸化物）			PG-to262-3-1	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	500			nチャネル		60 V	120a（tc）	10V	2.8mohm @ 100a 、10V	4V @ 140µA	195 NC @ 10 V	±20V	15750 PF @ 25 V	-	188W
IDW20G120C5BFKSA1	14.7700	RFQ	2748	Infineon Technologies	coolsic™+	チューブ	アクティブ		穴を通して	TO-247-3	IDW20G120		sic （炭化シリコン）ショットキー			PG-to247-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	30		高速回復= <500ns													1ペア共通カソード	1200 v	31a	1.65 V @ 10 a		83 µA @ 1200 v	-55°C〜175°C

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²