画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | 入力タイプ | テクノロジー | パワー -マックス | 入力 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | フェットタイプ | 現在 -マックス | テスト条件 | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | IGBTタイプ | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 現在 -コレクターパルス( icm) | vce(on max) @ vge | エネルギーの切り替え | TD (オン/オフ) @ 25°C | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | NTCサーミスタ | 入力容量( cies @ vce | @ @ if、f | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRFU5410 | - | ![]() | 2626 | 0.00000000 | Infineon Technologies | hexfet® | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | to-251-3 | モスフェット(金属酸化物) | IPAK(TO-251AA) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 75 | pチャネル | 100 V | 13a(tc) | 10V | 205mohm @ 7.8a 、10V | 4V @ 250µA | 58 NC @ 10 V | ±20V | 760 PF @ 25 V | - | 66W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FF8MR12W1M1HS4PB11BPSA1 | 229.0000 | ![]() | 30 | 0.00000000 | Infineon Technologies | coolsic™ | トレイ | アクティブ | -40°C〜150°C (TJ | シャーシマウント | モジュール | FF8MR12 | 炭化シリコン(原文) | 20MW | ag-easy1b | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 30 | 2 nチャネル | 1200V | 100A (TJ) | 8.1mohm @ 100a、18V | 5.15V @ 40MA | 297NC @ 18V | 8800pf @ 800V | 炭化シリコン(原文) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | auxmmf7484qtr | - | ![]() | 2599 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 廃止 | 1,000 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPSH6N03LA g | - | ![]() | 1103 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos™ | チューブ | 廃止 | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-251-3 スタブリード、IPAK | IPSH6N | モスフェット(金属酸化物) | PG-to251-3-11 | ダウンロード | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1,500 | nチャネル | 25 v | 50a(tc) | 4.5V 、10V | 6.2mohm @ 50a 、10V | 2V @ 30µA | 19 NC @ 5 V | ±20V | 2390 PF @ 15 V | - | 71W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFP4768PBFXKMA1 | 7.8200 | ![]() | 4143 | 0.00000000 | Infineon Technologies | hexfet® | チューブ | アクティブ | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-247-3 | モスフェット(金属酸化物) | PG-to247-3-901 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 448-IRFP4768PBFXKMA1 | 25 | nチャネル | 250 v | 93a(tc) | 10V | 17.5mohm @ 56a 、10V | 5V @ 250µA | 270 NC @ 10 V | ±20V | 10880 PF @ 50 V | - | 520W | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC807-40E6327 | - | ![]() | 6398 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-236-3 | 330 MW | PG-SOT23-3-11 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 45 v | 500 Ma | 100na(icbo) | PNP | 700mv @ 50ma 、500ma | 250 @ 100MA、1V | 200MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IGC39T65QEX1SA1 | - | ![]() | 8038 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | アクティブ | -40°C〜175°C | 表面マウント | 死ぬ | IGC39T65 | 標準 | 死ぬ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 1 | - | トレンチフィールドストップ | 650 V | 75 a | 225 a | 2.22V @ 15V 、75a | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPN50R800CEATMA1 | 0.7200 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Infineon Technologies | coolmos™ce | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | -40°C〜150°C (TJ | 表面マウント | TO-261-4、TO-261AA | IPN50R800 | モスフェット(金属酸化物) | PG-SOT223 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 500 V | 7.6a | 13V | 800mohm @ 1.5a、13V | 3.5V @ 130µA | 12.4 NC @ 10 V | ±20V | 280 PF @ 100 V | - | 5W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFS3004PBF | - | ![]() | 8511 | 0.00000000 | Infineon Technologies | hexfet® | チューブ | sicで中止されました | -55°C〜175°C | 表面マウント | TO-263-3 | モスフェット(金属酸化物) | d2pak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | SP001557216 | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 40 v | 195a(ta) | 10V | 1.75mohm @ 195a 、10V | 4V @ 250µA | 240 NC @ 10 V | ±20V | 9200 PF @ 25 V | - | 380W | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FF450R17ME4B11BPSA1 | 367.5180 | ![]() | 7720 | 0.00000000 | Infineon Technologies | econodual™3 | トレイ | アクティブ | -40°C〜150°C (TJ | シャーシマウント | モジュール | FF450R17 | 2500 W | 標準 | ag-conod | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 10 | 2独立 | トレンチフィールドストップ | 1700 v | 600 a | 2.3V @ 15V 、450A | 3 Ma | はい | 36 nf @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPW65R090CFD7XKSA1 | 7.4100 | ![]() | 6141 | 0.00000000 | Infineon Technologies | coolmos™cfd7 | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-247-3 | IPW65R | モスフェット(金属酸化物) | PG-to247-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 30 | nチャネル | 650 V | 25a(tc) | 10V | 90mohm @ 12.5a 、10V | 4.5V @ 630µA | 53 NC @ 10 V | ±20V | 2513 PF @ 400 v | - | 127W | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PX3746HDNSM1401XTMA1 | - | ![]() | 7136 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | PX3746HD | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 廃止 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FF600R12ME4CB11BOSA1 | - | ![]() | 3323 | 0.00000000 | Infineon Technologies | econodual™3 | バルク | sicで中止されました | -40°C〜150°C | シャーシマウント | モジュール | FF600R12 | 4050 W | 標準 | モジュール | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 6 | 2独立 | トレンチフィールドストップ | 1200 v | 1060 a | 2.1V @ 15V 、600A | 3 Ma | はい | 37 nf @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB77N06S212ATMA1 | - | ![]() | 1525 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos™ | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | -55°C〜175°C | 表面マウント | TO-263-3 | IPB77N | モスフェット(金属酸化物) | PG-to263-3-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | nチャネル | 55 v | 77a(tc) | 10V | 11.7mohm @ 38a 、10V | 4V @ 93µA | 60 NC @ 10 V | ±20V | 1770 PF @ 25 V | - | 158W | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSS606NH6327 | - | ![]() | 6393 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos™3 | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-243AA | モスフェット(金属酸化物) | PG-SOT89-4-2 | ダウンロード | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | nチャネル | 60 V | 3.2a(ta) | 4.5V 、10V | 60mohm @ 3.2a 、10V | 2.3V @ 15µA | 5.6 NC @ 5 V | ±20V | 657 PF @ 25 V | - | 1W | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAT68E6359HTMA1 | 0.0700 | ![]() | 30 | 0.00000000 | Infineon Technologies | BAT68 | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | TO-236-3 | PG-SOT23-3-1 | ダウンロード | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 130 Ma | 150 MW | 1PF @ 0V、1MHz | Schottky-シングル | 8V | 10ohm @ 5ma 、10kHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB180N03S4L-01 | - | ![]() | 9816 | 0.00000000 | Infineon Technologies | coolmos™ | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | TO-263-7 | IPB180 | モスフェット(金属酸化物) | PG〜263-7-3-10 | ダウンロード | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | nチャネル | 30 V | 180a(tc) | 4.5V 、10V | 1.05mohm @ 100a 、10V | 2.2V @ 140µA | 239 NC @ 10 V | ±16V | 17600 PF @ 25 V | - | 188W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSM200GB120DLCE3256HDLA1 | - | ![]() | 8135 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | 廃止 | -40°C〜125°C | シャーシマウント | モジュール | BSM200 | 1550 w | 標準 | AG-62mmhb | - | 廃止 | 1 | ハーフブリッジ | - | 1200 v | 420 a | 2.6V @ 15V 、200A | 5 Ma | いいえ | 13 nf @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7805ZTRPBF-1 | - | ![]() | 4338 | 0.00000000 | Infineon Technologies | hexfet® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | モスフェット(金属酸化物) | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 4,000 | nチャネル | 30 V | 16a(ta) | 4.5V 、10V | 6.8mohm @ 16a 、10V | 2.25V @ 250µA | 27 NC @ 4.5 v | ±20V | 2080 PF @ 15 V | - | 2.5W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPN60R2K1CEATMA1 | 0.6800 | ![]() | 7952 | 0.00000000 | Infineon Technologies | coolmos™ce | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜150°C (TJ | 表面マウント | TO-261-4、TO-261AA | IPN60R2 | モスフェット(金属酸化物) | PG-SOT223-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 600 V | 3.7a(tc) | 10V | 2.1OHM @ 800MA 、10V | 3.5V @ 60µA | 6.7 NC @ 10 V | ±20V | 140 pf @ 100 V | - | 5W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB70N12S3L12ATMA1 | - | ![]() | 5057 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive 、AEC-Q101、Optimos™ | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜175°C | 表面マウント | TO-263-3 | IPB70N | モスフェット(金属酸化物) | PG-to263-3-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | nチャネル | 120 v | 70a | 4.5V 、10V | 12.1mohm @ 70a 、10V | 2.4V @ 83µA | 77 NC @ 10 V | ±20V | 5550 PF @ 25 V | - | 125W | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SPD04P10PG | - | ![]() | 5319 | 0.00000000 | Infineon Technologies | SIPMOS® | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | to-252-3 | モスフェット(金属酸化物) | PG-to252-3-11 | ダウンロード | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | pチャネル | 100 V | 4a(tc) | 10V | 1OHM @ 2.8A 、10V | 4V @ 380µA | 12 NC @ 10 V | ±20V | 319 PF @ 25 V | - | 38W | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB041N04NGATMA1 | - | ![]() | 7455 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos™ | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜175°C | 表面マウント | TO-263-3 | IPB041N | モスフェット(金属酸化物) | PG-to263-3 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | nチャネル | 40 v | 80a(tc) | 10V | 4.1mohm @ 80a 、10v | 4V @ 45µA | 56 NC @ 10 V | ±20V | 4500 PF @ 20 V | - | 94W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSO083N03N03MSG | 0.1600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.29.0075 | 2,500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7341TRPBFXTMA1 | 1.2000 | ![]() | 4613 | 0.00000000 | Infineon Technologies | hexfet® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | モスフェット(金属酸化物) | 2W (TC) | PG-DSO-8-902 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 4,000 | 2 nチャネル | 55V | 4.7a(tc) | 50mohm @ 4.7a 、10V | 1V @ 250µA | 36NC @ 10V | 740pf @ 25V | ロジックレベルゲート | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFC3004EB | - | ![]() | 6414 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | 廃止 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | SP001556148 | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SIDC06D60E6X1SA1 | - | ![]() | 8408 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | 廃止 | 表面マウント | 死ぬ | SIDC06D60 | 標準 | 死ぬ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 600 V | 1.25 V @ 10 a | 27 µA @ 600 v | -55°C〜150°C | 10a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SIGC42T60UNX7SA2 | - | ![]() | 1024 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 死ぬ | SIGC42T60 | 標準 | 死ぬ | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 廃止 | 1 | 400V 、50A 、6.8OHM、15V | npt | 600 V | 50 a | 150 a | 3.15V @ 15V 、50a | - | 48ns/350ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPD60R600P6ATMA1 | 1.7400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos™P6 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | to-252-3 | IPD60R | モスフェット(金属酸化物) | PG-to252-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 600 V | 7.3a(tc) | 10V | 600mohm @ 2.4a 、10V | 4.5V @ 200µA | 12 NC @ 10 V | ±20V | 557 PF @ 100 V | - | 63W | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS7007WH6327XTSA1 | 0.5000 | ![]() | 23 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-82A 、SOT-343 | BAS7007 | ショットキー | PG-SOT343-4-1 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 2独立 | 70 v | 70ma | 1 V @ 15 mA | 100 ps | 100 Na @ 50 V | 150°C (最大) |
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