画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | 入力 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | フェットタイプ | 現在-hold(ihmax) | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | 電圧 -状態外 | 現在 -state(it (rms | 現在 -非担当者サージ50、60Hz | 電圧 -状態( vtm )(最大) | 現在 -State | scrタイプ | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | IGBTタイプ | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | vce(on max) @ vge | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | NTCサーミスタ | 入力容量( cies @ vce | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 | 抵抗 -ベース(r1) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IPC90R500C3X1SA1 | - | ![]() | 5625 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | 廃止 | IPC90R | - | 1 (無制限) | 影響を受けていない | SP000469914 | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRL3803 | - | ![]() | 3065 | 0.00000000 | Infineon Technologies | hexfet® | チューブ | 廃止 | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-220-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220AB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | *IRL3803 | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 30 V | 140a(tc) | 4.5V 、10V | 6mohm @ 71a 、10V | 1V @ 250µA | 140 NC @ 4.5 v | ±16V | 5000 PF @ 25 V | - | 200W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRLU024NPBF | 1.0600 | ![]() | 8933 | 0.00000000 | Infineon Technologies | hexfet® | チューブ | アクティブ | -55°C〜175°C | 穴を通して | to-251-3 | IRLU024 | モスフェット(金属酸化物) | IPAK(TO-251AA) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 75 | nチャネル | 55 v | 17a(tc) | 4V 、10V | 65mohm @ 10a 、10V | 2V @ 250µA | 15 NC @ 5 V | ±16V | 480 PF @ 25 V | - | 45W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFB7534PBF | 2.5400 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Infineon Technologies | hexfet®、 strongirfet™ | チューブ | アクティブ | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-220-3 | IRFB7534 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 60 V | 195a(tc) | 6V 、10V | 2.4mohm @ 100a 、10V | 3.7V @ 250µA | 279 NC @ 10 V | ±20V | 10034 PF @ 25 V | - | 294W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPU64CN10N g | - | ![]() | 3505 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos™ | チューブ | 廃止 | -55°C〜175°C | 穴を通して | to-251-3 | IPU64C | モスフェット(金属酸化物) | PG-to251-3 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1,500 | nチャネル | 100 V | 17a(tc) | 10V | 64mohm @ 17a 、10V | 4V @ 20µA | 9 NC @ 10 V | ±20V | 569 PF @ 50 V | - | 44W | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SPD30N08S2-22 | - | ![]() | 3504 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos™ | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜175°C | 表面マウント | to-252-3 | SPD30N | モスフェット(金属酸化物) | PG-to252-3-11 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 75 v | 30a(tc) | 10V | 21.5mohm @ 25a、10V | 4V @ 80µA | 57 NC @ 10 V | ±20V | 1950 PF @ 25 V | - | 136W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | bav70 | 0.0300 | ![]() | 125 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | 廃止 | 表面マウント | TO-236-3 | bav70 | 標準 | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 1ペア共通カソード | 70 v | 200mA | 1.25 V @ 150 MA | 6 ns | 5 µA @ 70 V | 150°C (最大) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF8721GTRPBF | - | ![]() | 7428 | 0.00000000 | Infineon Technologies | hexfet® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | モスフェット(金属酸化物) | 8-SO | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 4,000 | nチャネル | 30 V | 14a(ta) | 4.5V 、10V | 8.5mohm @ 14a 、10V | 2.35V @ 25µA | 12 NC @ 4.5 v | ±20V | 1040 PF @ 15 V | - | 2.5W | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFR18N15DTRLP | - | ![]() | 4771 | 0.00000000 | Infineon Technologies | hexfet® | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | to-252-3 | モスフェット(金属酸化物) | d-pak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | SP001572838 | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 150 v | 18a(tc) | 125mohm @ 11a 、10V | 5.5V @ 250µA | 43 NC @ 10 V | 900 pf @ 25 V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPP80N06S3-05 | - | ![]() | 2417 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos™ | チューブ | 廃止 | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-220-3 | IPP80N | モスフェット(金属酸化物) | PG-to220-3-1 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 500 | nチャネル | 55 v | 80a(tc) | 10V | 5.4mohm @ 63a 、10v | 4V @ 110µA | 240 NC @ 10 V | ±20V | 10760 PF @ 25 V | - | 165W | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCR169WE6327 | 0.0200 | ![]() | 54 | 0.00000000 | Infineon Technologies | aec-q101 | バルク | アクティブ | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | BCR169 | 250 MW | PG-SOT323-3-1 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 100na(icbo) | pnp-前バイアス | 300MV @ 500µA 、10mA | 120 @ 5MA 、5V | 200 MHz | 4.7 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
F3L11MR12W2M1B65BOMA1 | - | ![]() | 9105 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Easypack™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜150°C (TJ | シャーシマウント | モジュール | F3L11MR12 | 20 MW | 標準 | ag-easy2bm-2 | ダウンロード | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 15 | 3つのレベルインバーター | 溝 | 1200 v | 100 a | 2.1V @ 15V 、100A | 40 µA | はい | 7.36 nf @ 800 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPP70N04S406AKSA1 | 0.8623 | ![]() | 5504 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos™ | チューブ | アクティブ | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-220-3 | IPP70N04 | モスフェット(金属酸化物) | PG-to220-3-1 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 500 | nチャネル | 40 v | 70a | 10V | 6.5mohm @ 70a 、10V | 4V @ 26µA | 32 NC @ 10 V | ±20V | 2550 PF @ 25 V | - | 58W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFB4410 | - | ![]() | 4585 | 0.00000000 | Infineon Technologies | hexfet® | チューブ | 廃止 | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-220-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220AB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | *IRFB4410 | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 100 V | 96a(tc) | 10V | 10mohm @ 58a 、10V | 4V @ 150µA | 180 NC @ 10 V | ±20V | 5150 PF @ 50 V | - | 250W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSC020N03LSGATMA2 | - | ![]() | 3687 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | テープ&リール( tr) | アクティブ | BSC020 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | SP000959514 | 0000.00.0000 | 5,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRLZ34NSPBF | - | ![]() | 5922 | 0.00000000 | Infineon Technologies | hexfet® | チューブ | sicで中止されました | -55°C〜175°C | 表面マウント | TO-263-3 | モスフェット(金属酸化物) | d2pak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 55 v | 30a(tc) | 4V 、10V | 35mohm @ 16a 、10V | 2V @ 250µA | 25 NC @ 5 V | ±16V | 880 PF @ 25 V | - | 3.8W (TA )、68W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB60R210CFD7ATMA1 | 2.0566 | ![]() | 2440 | 0.00000000 | Infineon Technologies | coolmos™cfd7 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-263-3 | IPB60R210 | モスフェット(金属酸化物) | PG-to263-3-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | nチャネル | 600 V | 12a(tc) | 10V | 210mohm @ 4.9a 、10V | 4.5V @ 250µA | 23 NC @ 10 V | ±20V | 1015 PF @ 400 v | - | 64W | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IDC51D120T6MX1SA3 | - | ![]() | 7807 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | 死ぬ | IDC51D120 | 標準 | ホイル上の鋸 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | SP000375000 | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 1200 v | 2.05 V @ 100 a | 18 µa @ 1200 v | -40°C〜175°C | 100a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF3709ZCLPBF | - | ![]() | 3522 | 0.00000000 | Infineon Technologies | hexfet® | チューブ | 廃止 | -55°C〜175°C | 穴を通して | To-262-3 Long Leads | モスフェット(金属酸化物) | TO-262 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | *IRF3709ZCLPBF | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 30 V | 87a(tc) | 4.5V 、10V | 6.3mohm @ 21a 、10V | 2.25V @ 250µA | 26 NC @ 4.5 v | ±20V | 2130 PF @ 15 V | - | 79W | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SP000681054 | 1.6300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 未定義のベンダー | 影響を受けていない | 2156-SP000681054-448 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPW90R120C3XKSA1 | 17.0000 | ![]() | 7385 | 0.00000000 | Infineon Technologies | coolmos™ | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-247-3 | IPW90R120 | モスフェット(金属酸化物) | PG-to247-3-21 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 30 | nチャネル | 900 V | 36a(tc) | 10V | 120mohm @ 26a 、10V | 3.5V @ 2.9ma | 270 NC @ 10 V | ±20V | 6800 PF @ 100 V | - | 417W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SPD30N03S2L-07 g | 0.5200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Infineon Technologies | coolmos™ | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | to-252-3 | モスフェット(金属酸化物) | PG-to252-3-313 | ダウンロード | 適用できない | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | nチャネル | 30 V | 30a(tc) | 4.5V 、10V | 6.7mohm @ 30a 、10V | 2V @ 85µA | 68 NC @ 10 V | ±20V | 2530 PF @ 25 V | - | 136W | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSO211ph | 0.3300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos™p | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 532-bfbga fcbga | BSO211 | モスフェット(金属酸化物) | 1.6W | 532-FCBGA (23x23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 0000.00.0000 | 2,500 | 2 P-Channel (デュアル) | 20V | 4a(ta) | 67mohm @ 4.6a 、4.5V | 1.2V @ 25µA | 10NC @ 4.5V | 1095pf @ 15V | ロジックレベルゲート、2.5Vドライブ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | T3841N18TOFVTXPSA1 | 907.9100 | ![]() | 4510 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.30.0080 | 2 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | auirfr2307z | - | ![]() | 2322 | 0.00000000 | Infineon Technologies | hexfet® | チューブ | 廃止 | -55°C〜175°C | 表面マウント | to-252-3 | モスフェット(金属酸化物) | d-pak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | SP001522814 | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 75 v | 42a | 10V | 16mohm @ 32a 、10V | 4V @ 100µA | 75 NC @ 10 V | ±20V | 2190 PF @ 25 V | - | 110W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7809AVTRPBF | 1.5800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Infineon Technologies | hexfet® | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | IRF7809 | モスフェット(金属酸化物) | 8-SO | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 4,000 | nチャネル | 30 V | 13.3a | 4.5V | 9mohm @ 15a 、4.5V | 1V @ 250µA | 62 NC @ 5 V | ±12V | 3780 PF @ 16 V | - | 2.5W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPI80N04S3-06 | 0.4500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | バルク | 廃止 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | T1503NH80TOHXOSA1 | 7.0000 | ![]() | 3757 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | アクティブ | 120°C (TJ) | シャーシマウント | TO-200AF | T1503NH80 | BG-T15040L-1 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.30.0080 | 1 | 100 Ma | 8 kV | 2770 a | 57000A @ 50Hz | 3 v | 2560 a | 標準回復 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TMOSP12034 | 1.1600 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7490TRPBF | 1.3000 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Infineon Technologies | hexfet® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | IRF7490 | モスフェット(金属酸化物) | 8-SO | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 4,000 | nチャネル | 100 V | 5.4a(ta) | 10V | 39mohm @ 3.2a 、10V | 4V @ 250µA | 56 NC @ 10 V | ±20V | 1720 pf @ 25 v | - | 2.5W |
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