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離散半導体製品（16626）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	電圧 -定格	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	入力タイプ	頻度	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	フェットタイプ	現在の評価（ amp）	現在 -マックス	テスト条件	現在 -テスト	電力 -出力	得	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	ノイズ図	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターパルス（ icm）	vce（on max） @ vge	エネルギーの切り替え	ゲートチャージ	TD （オン/オフ） @ 25°C	電圧 -テスト	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	入力容量（ cies @ vce	@ @ if、f	静電容量比	静電容量比条件	Q @ vr、f
ISC010N06NM5ATMA1	4.2500	RFQ	4	Infineon Technologies	Optimos™	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜175°C	表面マウント	8-powertdfn				モスフェット（金属酸化物）			PG-TSON-8-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	5,000			nチャネル							60 V	39a	6V 、10V	1.05mohm @ 50a 、10V	3.3V @ 147µA	143 NC @ 10 V	±20V	11000 pf @ 30 v	-	3W （TA）、214W
BAT1502ELE6327XTMA1	0.6700	RFQ	8	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		150°C （TJ）		0402 （1006メトリック）	BAT1502						PG-TSLP-2-19	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	15,000					110 Ma														100 MW										0.35pf @ 0V、1MHz										Schottky-シングル	4V				-
IPD50N06S3L-08	-	RFQ	3039	Infineon Technologies	Optimos-T	バルク	アクティブ		-	表面マウント	to-252-3	IPD50			モスフェット（金属酸化物）			PG-to252-3-11	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.29.0095	1			nチャネル							55 v	50a	-	-	-		-		-	-
FS100R12W3T7B11BPSA1	124.9200	RFQ	8	Infineon Technologies	*	トレイ	アクティブ					FS100R12							-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	8
IRG5U50HH12E	-	RFQ	4283	Infineon Technologies	-	箱	廃止		-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	Powir Eco 2™モジュール	IRG5U50				390 w	標準	Powir Eco 2™	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	SP001533820	ear99	8541.29.0095	14	フルブリッジインバーター																													-	1200 v	85 a		3.5V @ 15V 、50a							1 Ma	はい	6 NF @ 25 V
ND89N12KXPSA1	110.0580	RFQ	6790	Infineon Technologies	-	トレイ	アクティブ			シャーシマウント	モジュール				標準			-	-	ROHS3準拠			448-ND89N12KXPSA1	ear99	8541.30.0080	15		標準回復> 500ns																				1200 v		1.5 V @ 300 a		20 mA @ 1.2 kV	150°C	89a	-
SIDC14D60E6X1SA4	-	RFQ	9281	Infineon Technologies	-	バルク	廃止			表面マウント	死ぬ	SIDC14D60			標準			死ぬ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns																				600 V		1.25 V @ 30 a		27 µA @ 600 v	-55°C〜150°C	30a	-
PTFB211501FV1R0XTMA1	-	RFQ	6643	Infineon Technologies	-	ストリップ	廃止	65 v		表面マウント	2 フラットパック、フィンのリード、フランジ			2.17GHz	ldmos			H-37248-2	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	SP001413934	ear99	8542.33.0001	50				-			1.2 a	40W	18db											-																		30 V
F3L75R12W1H3BPSA1	70.0200	RFQ	1013	Infineon Technologies	-	トレイ	アクティブ												-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	24
IGW30N60H3FKSA1	3.4600	RFQ	2749	Infineon Technologies	TrenchStop®	チューブ	アクティブ		-40°C〜175°C	穴を通して	TO-247-3	IGW30N	標準			187 w		PG-to247-3-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	30						400V、30A 、10.5OHM 、15V																								トレンチフィールドストップ	600 V	60 a	120 a	2.4V @ 15V、30a	1.38mj	165 NC	21ns/207ns
IPI60R099CP	-	RFQ	1828年年	Infineon Technologies	*	バルク	アクティブ												-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1
IPI80N04S3-03	1.2100	RFQ	8	Infineon Technologies	*	バルク	アクティブ		-55°C〜175°C	穴を通して	To-262-3 Long Leads				モスフェット（金属酸化物）			PG-to262-3-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1			nチャネル							40 v	80a（tc）	10V	3.5mohm @ 80a 、10V	4V @ 120µA	110 NC @ 10 V	±20V	7300 PF @ 25 V	-	188W
BSM30GP60BOSA1	-	RFQ	1804	Infineon Technologies	-	トレイ	廃止		-40°C〜125°C	シャーシマウント	モジュール	BSM30G				180 W	三相ブリッジ整流器	モジュール	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	10	フルブリッジ																													-	600 V	50 a		2.45V @ 15V、30a							300 na	はい	1.6 nf @ 25 v
FD800R45KL3KB5NPSA1	2.0000	RFQ	4369	Infineon Technologies	-	トレイ	アクティブ		-50°C〜125°C	シャーシマウント	モジュール	FD800R45				9000 w	標準	モジュール	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない			8541.29.0095	1	シングルチョッパー																													-	4500 v	800 a		2.85V @ 15V、800A							5 Ma	いいえ	185 nf @ 25 v
BSM35GP120BPSA1	167.3813	RFQ	2403	Infineon Technologies	-	トレイ	前回購入します		150°C （TJ）	シャーシマウント	モジュール	BSM35G				230 W	三相ブリッジ整流器	ag-econo2b	-	ROHS3準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	15	三相インバーター																													-	1200 v	45 a		2.75V @ 15V 、17.5a							500 µA	はい	1.5 nf @ 25 V
IRG4BC30KDSTRLP	-	RFQ	8063	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	廃止		-55°C〜150°C	表面マウント	TO-263-3	IRG4BC30	標準			100 W		d2pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	800						480v																			42 ns					-	600 V	28 a	56 a	2.7V @ 15V 、16a	600µJ （580µj （オフ）	67 NC	60ns/160ns
BB 555-02V E7902	-	RFQ	1156	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	廃止		-55°C〜150°C	表面マウント	SC-79、SOD-523	BB 555						PG-SC79-2	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	3,000																													2.3pf @ 28V、1MHz										シングル	30 V					9.8	C1/C28	-
FS300R17KE3BOSA1	1.0000	RFQ	9786	Infineon Technologies	econopack™+	トレイ	新しいデザインではありません		-40°C〜125°C	シャーシマウント	モジュール	FS300R17				1650 w	標準	モジュール	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	4	フルブリッジ																													トレンチフィールドストップ	1700 v	375 a		2.45V @ 15V、300A							3 Ma	はい	27 nf @ 25 v
IPF016N10NF2SATMA1	6.2900	RFQ	219	Infineon Technologies	Strongirfet™2	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-8	IPF016N			モスフェット（金属酸化物）			PG-to263-7-14	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	800			nチャネル							100 V	274a（tc）	6V 、10V	1.6mohm @ 100a 、10V	3.8V @ 267µA	241 NC @ 10 V	±20V	11000 pf @ 50 V	-	300W （TC）
BAW56WE6433	0.0200	RFQ	190	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ			表面マウント	SC-70、SOT-323	BAW56			標準			PG-SOT323-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	10,000		小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度																			1ペア共通アノード	80 v	200MA （DC）	1.25 V @ 150 MA	4 ns	150 NA @ 70 V	150°C
IPP65R050CFD7AAKSA1	12.9700	RFQ	4197	Infineon Technologies	Automotive 、AEC-Q101、CoolMos™CFD7A	チューブ	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ	穴を通して	TO-220-3	IPP65R050			モスフェット（金属酸化物）			PGから220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50			nチャネル							650 V	45a（tc）	10V	50mohm @ 24.8a 、10V	4.5V @ 1.24ma	102 NC @ 10 V	±20V	4975 PF @ 400 v	-	227W
PTVA104501EHV1XWSA1	-	RFQ	4223	Infineon Technologies	-	トレイ	廃止	105 v			H-33288-2			960MHz〜1.215GHz	ldmos			H-33288-2	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	SP001160758	ear99	8541.29.0095	40	デュアル			-				-	-											-
IRF9395MTR1PBF	-	RFQ	8490	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	廃止		-40°C〜150°C （TJ	表面マウント	directfet™mc	IRF9395			モスフェット（金属酸化物）	2.1W		DirectFet™MC	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000	2 P-Channel （デュアル）									30V	14a		7mohm @ 14a 、10v	2.4V @ 50µA	64NC @ 10V		3241pf @ 15V	ロジックレベルゲート
FS75R12N2T4B85BPSA1	203.2627	RFQ	3806	Infineon Technologies	-	トレイ	アクティブ												-	ROHS3準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	15
IPD18DP10LMATMA1	1.5500	RFQ	2	Infineon Technologies	Optimos™	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3	IPD18D			モスフェット（金属酸化物）			PG-to252-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,500			pチャネル							100 V	2.5a	4.5V 、10V	178mohm @ 13a 、10V	2V @ 1.04MA	42 NC @ 10 V	±20V	2100 PF @ 50 V	-	3W （TA ）、83W（TC）
IAUC100N08S5N043ATMA1	2.6100	RFQ	7435	Infineon Technologies	Automotive 、AEC-Q101、Optimos™-5	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜175°C	表面マウント	8-powertdfn	IAUC100			モスフェット（金属酸化物）			PG-TDSON-8-34	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	5,000			nチャネル							80 v	100a（tc）	6V 、10V	4mohm @ 50a 、10V	3.8V @ 63µA	56 NC @ 10 V	±20V	3860 PF @ 40 V	-	125W
IDD08SG60CXTMA1	-	RFQ	7630	Infineon Technologies	coolsic™+	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました			表面マウント	to-252-3	IDD08SG60			sic （炭化シリコン）ショットキー			PG-to252-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2,500		回復時間なし> 500ma																				600 V		2.1 V @ 8 a	0 ns	70 µA @ 600 V	-55°C〜175°C	8a	240pf @ 1V、1MHz
auirfs3004trl	4.0181	RFQ	3823	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	新しいデザインではありません		-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3	auirfs3004			モスフェット（金属酸化物）			PG-to263-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	800			nチャネル							40 v	195a（tc）	10V	1.75mohm @ 195a 、10V	4V @ 250µA	240 NC @ 10 V	±20V	9200 PF @ 25 V	-	380W
FP75R12N2T4B16BPSA1	184.2700	RFQ	15	Infineon Technologies	-	トレイ	アクティブ												-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	15
IRLR3636PBF	-	RFQ	4003	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	sicで中止されました		-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3				モスフェット（金属酸化物）			d-pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	75			nチャネル							60 V	50a（tc）	4.5V 、10V	6.8mohm @ 50a 、10V	2.5V @ 100µA	49 NC @ 4.5 v	±16V	3779 PF @ 50 V	-	143W

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²