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離散半導体製品（16626）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	電圧 -定格	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	入力タイプ	頻度	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	フェットタイプ	現在の評価（ amp）	現在 -マックス	テスト条件	電力 -出力	得	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	ノイズ図	容量 @ vr、f	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターパルス（ icm）	vce（on max） @ vge	エネルギーの切り替え	ゲートチャージ	TD （オン/オフ） @ 25°C	電圧 -テスト	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	入力容量（ cies @ vce	@ @ if、f	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移	抵抗 -ベース（r1）	抵抗 -エミッターベース（r2）	静電容量比	静電容量比条件	Q @ vr、f
BSP613PL6327	-	RFQ	4193	Infineon Technologies	*	バルク	アクティブ												-	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1
spp07n65c3in	1.0000	RFQ	6317	Infineon Technologies	coolmos™	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3				モスフェット（金属酸化物）			PG-to220-3-1	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル						650 V	7.3a（tc）	10V	600mohm @ 4.6a 、10V	3.9V @ 350µA	27 NC @ 10 V	±20V	790 PF @ 25 V	-	83W
BTS112AE3045ANTMA1	-	RFQ	1977年年	Infineon Technologies	Tempfet®	バルク	廃止		-55°C〜150°C	表面マウント	TO-263-3				モスフェット（金属酸化物）			d2pak	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.29.0095	1,000		nチャネル						60 V	12a（tc）	10V	150ohm @ 7.5a 、10V	3.5V @ 1MA		±20V	480 PF @ 25 V	-	40W
BB814E6327GR2	0.0900	RFQ	23	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ		-55°C〜125°C	表面マウント	TO-236-3							PG-SOT23-3-1	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.10.0070	3,000																			22.7pf @ 8V、1MHz										1ペア共通カソード	18 v											2.25	C2/C8	200 @ 2V 、100MHz
IFS150B12N3T4_B31	-	RFQ	5263	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	モジュール	IFS150				750 W	標準	Ag-econo3-4-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	フルブリッジ																			トレンチフィールドストップ	1200 v	150 a		2.1V @ 15V 、150a							1 Ma	はい	9.35 NF @ 25 V
BCR141SE6327	-	RFQ	2156	Infineon Technologies	aec-q101	バルク	アクティブ			表面マウント	6-VSSOP 、SC-88 、SOT-363	BCR141				250MW		PG-SOT363-6-1	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.21.0075	3,000																					50V	100mA									100na（icbo）				2 npn- バイアス（デュアル）	300MV @ 500µA 、10mA	50 @ 5MA 、5V	130MHz	22kohms	22kohms
BB669 E7904	0.0400	RFQ	65	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	SC-76、SOD-323							PG-SOD323-2-1	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	3,000																			2.9pf @ 28V、1MHz										シングル	30 V											20.9	C1/C28	-
BB659CH7902	0.0300	RFQ	4296	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	SC-80							PG-SCD80-2	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.10.0070	1,000																			2.75pf @ 28V、1MHz										シングル	30 V											15.3	C1/C28	-
BTS282ZE3180A	-	RFQ	6890	Infineon Technologies	Tempfet®	バルク	アクティブ		-40°C〜175°C	表面マウント	TO-263-8				モスフェット（金属酸化物）			PG-to263-7-1	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル						49 v	80a（tc）	4.5V 、10V	6.5mohm @ 36a 、10V	2V @ 240µA	232 NC @ 10 V	±20V	4800 PF @ 25 V	-	300W （TC）
BSF024N03LT3G	0.5100	RFQ	19	Infineon Technologies	Optimos™3	バルク	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ	表面マウント	directfet™mx				モスフェット（金属酸化物）			MG-WDSON-2	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	5,000		nチャネル						30 V	15a（ta ）、106a（tc）	4.5V 、10V	2.4mohm @ 20a 、10V	2.2V @ 250µA	71 NC @ 10 V	±20V	5500 PF @ 15 V	-	2.2W
BAT63-07WE6327	0.0900	RFQ	13	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ		150°C （TJ）		SC-82A 、SOT-343							PG-SOT343-4	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.10.0070	3,000				100 Ma													100 MW		0.85pf @ 0.2V、1MHz										Schottky -2独立	3V				-
IPB240N03S4LR8ATMA1928	1.0000	RFQ	3276	Infineon Technologies	Optimos™	バルク	アクティブ		-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-7				モスフェット（金属酸化物）			PG-to263-7-3	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.29.0095	1,000		nチャネル						30 V	240a	4.5V 、10V	0.76mohm @ 100a 、10V	2.2V @ 230µA	380 NC @ 10 V	±16V	26000 PF @ 25 V	-	300W （TC）
IPB097N08N3G	-	RFQ	9083	Infineon Technologies	Optimos™	バルク	アクティブ		-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3				モスフェット（金属酸化物）			PG-to263-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル						80 v	70a	6V 、10V	9.7mohm @ 46a 、10V	3.5V @ 46µA	35 NC @ 10 V	±20V	2410 pf @ 40 v	-	100W （TC）
SPW12N50C3IN	-	RFQ	6804	Infineon Technologies	coolmos™	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-247-3				モスフェット（金属酸化物）			PG-to247-3-21	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル						500 V	11.6a（tc）	10V	380mohm @ 7a、10V	3.9V @ 500µA	49 NC @ 10 V	±20V	1200 PF @ 25 V	-	125W
IRF60SC241ARMA1	4.2400	RFQ	5406	Infineon Technologies	strongirfet™	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-7	IRF60SC241			モスフェット（金属酸化物）			PG-to263-7	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	800		nチャネル						60 V	360a（tc）	6V 、10V	1.3mohm @ 100a 、10V	3.7V @ 250µA	388 NC @ 10 V	±20V	16000 pf @ 30 V	-	2.4W
BF 1009SR E6327	0.1100	RFQ	2	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ	12 v		表面マウント	SOT-143R			800MHz	モスフェット			PG-SOT-143R-3D	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.21.0095	2,730	nチャネル		25ma			-	22dB											1.4db										9 v
IHY30N160R2XK	2.6300	RFQ	248	Infineon Technologies	*	バルク	アクティブ												-	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.29.0095	1
SGP10N60A	1.0000	RFQ	30	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3	SGP10N60	標準			92 w		PG-to220-3-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1					400V 、10A 、25OHM15V															npt	600 V	20 a	40 a	2.4V @ 15V 、10a	320µj	52 NC	28ns/178ns
IPB65R600C6	-	RFQ	4163	Infineon Technologies	coolmos™	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	TO-263-3				モスフェット（金属酸化物）			PG-to263-3-2	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル						650 V	7.3a（tc）	10V	600mohm @ 2.1a 、10V	3.5V @ 210µA	23 NC @ 10 V	±20V	440 PF @ 100 V	-	63W
IPP60R520CP	0.7900	RFQ	500	Infineon Technologies	coolmos™	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3				モスフェット（金属酸化物）			PG-to220-3-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル						600 V	6.8a（tc）	10V	520mohm @ 3.8a 、10V	3.5V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±20V	630 PF @ 100 V	-	66W
IPW65R280E6	1.0000	RFQ	2081	Infineon Technologies	coolmos™	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-247-3				モスフェット（金属酸化物）			PG-to247-3-41	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル						650 V	13.8a	10V	280mohm @ 4.4a 、10V	3.5V @ 440µA	45 NC @ 10 V	±20V	950 PF @ 100 V	-	104W
IGP06N60TATMA1	0.6300	RFQ	10	Infineon Technologies	TrenchStop™	バルク	アクティブ		-40°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3		標準			88 W		PG-to220-3-1	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.29.0095	478					400V 、6a 、23ohm、15V															トレンチフィールドストップ	600 V	12 a	18 a	2.05V @ 15V、6a	90µj（オン）、110µJ	42 NC	9ns/130ns
BSL302SNL6327	-	RFQ	3651	Infineon Technologies	Optimos™2	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	SOT-23-6薄い、TSOT-23-6				モスフェット（金属酸化物）			PG-TSOP6-6-6	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	3,000		nチャネル						30 V	7.1a（ta）	4.5V 、10V	25mohm @ 7.1a 、10V	2V @ 30µA	6.6 NC @ 5 V	±20V	750 PF @ 15 V	-	2W （TA）
IRFC3205B	-	RFQ	5122	Infineon Technologies	hexfet®	バルク	廃止		-	表面マウント	死ぬ				モスフェット（金属酸化物）			死ぬ	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	448-IRFC3205B	廃止		1		-						55 v	110a	-	8mohm @ 110a 、10V	-		-		-	-
IRFC130NB	-	RFQ	9156	Infineon Technologies	hexfet®	バルク	廃止		-	表面マウント	死ぬ				モスフェット（金属酸化物）			死ぬ	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	448-IRFC130NB	廃止		1		-						100 V	17a	10V	90mohm @ 17a 、10V	-		-		-	-
IRFC140NB	-	RFQ	6581	Infineon Technologies	hexfet®	バルク	廃止		-	表面マウント	死ぬ				モスフェット（金属酸化物）			死ぬ	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	448-IRFC140NB	廃止		1		-						100 V	33a	10V	44mohm @ 33a 、10V	-		-		-	-
IRFC3710D	-	RFQ	6101	Infineon Technologies	hexfet®	バルク	廃止		-	表面マウント	死ぬ				モスフェット（金属酸化物）			死ぬ	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	448-IRFC3710D	廃止		1		-						100 V	57a	10V	23mohm @ 57a 、10V	-		-		-	-
FF750R12ME7B11BPSA1	391.0400	RFQ	4641	Infineon Technologies	econodual™3	トレイ	アクティブ		-40°C〜175°C	シャーシマウント	モジュール	FF750R12				20 MW	標準	ag-conod	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	10	2独立																			トレンチフィールドストップ	1200 v	750 a		1.75V @ 15V 、750A							45 µA	はい	115 nf @ 25 v
FP35R12N2T7BPSA1	90.6000	RFQ	7057	Infineon Technologies	econopim™2	トレイ	アクティブ		-40°C〜175°C	シャーシマウント	モジュール	FP35R12				20 MW	三相ブリッジ整流器	ag-econo2b	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	10	三相インバーター																			トレンチフィールドストップ	1200 v	35 a		1.6V @ 15V、35a							7 µA	はい	6.62 NF @ 25 V
FS100R12N2T4BDLA1	126.1900	RFQ	36	Infineon Technologies	*	バルク	アクティブ												-		未定義のベンダー	未定義のベンダー	2156-FS100R12N2T4BDLA1-448			1

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²