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離散半導体製品（16626）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	電圧 -定格	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	入力タイプ	頻度	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	フェットタイプ	現在の評価（ amp）	テスト条件	電力 -出力	得	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	ノイズ図	逆回復時間（ trr）	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターパルス（ icm）	vce（on max） @ vge	エネルギーの切り替え	ゲートチャージ	TD （オン/オフ） @ 25°C	電圧 -テスト	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	入力容量（ cies @ vce
SPW12N50C3IN	-	RFQ	6804	Infineon Technologies	coolmos™	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-247-3				モスフェット（金属酸化物）			PG-to247-3-21	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル					500 V	11.6a（tc）	10V	380mohm @ 7a、10V	3.9V @ 500µA	49 NC @ 10 V	±20V	1200 PF @ 25 V	-	125W
IRF60SC241ARMA1	4.2400	RFQ	5406	Infineon Technologies	strongirfet™	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-7	IRF60SC241			モスフェット（金属酸化物）			PG-to263-7	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	800		nチャネル					60 V	360a（tc）	6V 、10V	1.3mohm @ 100a 、10V	3.7V @ 250µA	388 NC @ 10 V	±20V	16000 pf @ 30 V	-	2.4W
IKU04N60R	0.4100	RFQ	1	Infineon Technologies	TrenchStop®	バルク	アクティブ		-40°C〜175°C	穴を通して	to-251-3		標準			75 W		PG-to251-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1				400V 、4a 、43ohm、 15V														43 ns	溝	600 V	8 a	12 a	2.1V @ 15V 、4a	240µj	27 NC	14ns/146ns
BF 1009SR E6327	0.1100	RFQ	2	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ	12 v		表面マウント	SOT-143R			800MHz	モスフェット			PG-SOT-143R-3D	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.21.0095	2,730	nチャネル		25ma		-	22dB											1.4db										9 v
IHY30N160R2XK	2.6300	RFQ	248	Infineon Technologies	*	バルク	アクティブ												-	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.29.0095	1
SGP10N60A	1.0000	RFQ	30	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3	SGP10N60	標準			92 w		PG-to220-3-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1				400V 、10A 、25OHM15V															npt	600 V	20 a	40 a	2.4V @ 15V 、10a	320µj	52 NC	28ns/178ns
IPB65R600C6	-	RFQ	4163	Infineon Technologies	coolmos™	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	TO-263-3				モスフェット（金属酸化物）			PG-to263-3-2	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル					650 V	7.3a（tc）	10V	600mohm @ 2.1a 、10V	3.5V @ 210µA	23 NC @ 10 V	±20V	440 PF @ 100 V	-	63W
IPP60R520CP	0.7900	RFQ	500	Infineon Technologies	coolmos™	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3				モスフェット（金属酸化物）			PG-to220-3-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル					600 V	6.8a（tc）	10V	520mohm @ 3.8a 、10V	3.5V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±20V	630 PF @ 100 V	-	66W
IPW65R280E6	1.0000	RFQ	2081	Infineon Technologies	coolmos™	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-247-3				モスフェット（金属酸化物）			PG-to247-3-41	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル					650 V	13.8a	10V	280mohm @ 4.4a 、10V	3.5V @ 440µA	45 NC @ 10 V	±20V	950 PF @ 100 V	-	104W
IGP06N60TATMA1	0.6300	RFQ	10	Infineon Technologies	TrenchStop™	バルク	アクティブ		-40°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3		標準			88 W		PG-to220-3-1	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.29.0095	478				400V 、6a 、23ohm、15V															トレンチフィールドストップ	600 V	12 a	18 a	2.05V @ 15V、6a	90µj（オン）、110µJ	42 NC	9ns/130ns
BSL302SNL6327	-	RFQ	3651	Infineon Technologies	Optimos™2	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	SOT-23-6薄い、TSOT-23-6				モスフェット（金属酸化物）			PG-TSOP6-6-6	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	3,000		nチャネル					30 V	7.1a（ta）	4.5V 、10V	25mohm @ 7.1a 、10V	2V @ 30µA	6.6 NC @ 5 V	±20V	750 PF @ 15 V	-	2W （TA）
IRFC3205B	-	RFQ	5122	Infineon Technologies	hexfet®	バルク	廃止		-	表面マウント	死ぬ				モスフェット（金属酸化物）			死ぬ	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	448-IRFC3205B	廃止		1		-					55 v	110a	-	8mohm @ 110a 、10V	-		-		-	-
IRFC130NB	-	RFQ	9156	Infineon Technologies	hexfet®	バルク	廃止		-	表面マウント	死ぬ				モスフェット（金属酸化物）			死ぬ	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	448-IRFC130NB	廃止		1		-					100 V	17a	10V	90mohm @ 17a 、10V	-		-		-	-
IRFC140NB	-	RFQ	6581	Infineon Technologies	hexfet®	バルク	廃止		-	表面マウント	死ぬ				モスフェット（金属酸化物）			死ぬ	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	448-IRFC140NB	廃止		1		-					100 V	33a	10V	44mohm @ 33a 、10V	-		-		-	-
IRFC3710D	-	RFQ	6101	Infineon Technologies	hexfet®	バルク	廃止		-	表面マウント	死ぬ				モスフェット（金属酸化物）			死ぬ	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	448-IRFC3710D	廃止		1		-					100 V	57a	10V	23mohm @ 57a 、10V	-		-		-	-
FF750R12ME7B11BPSA1	391.0400	RFQ	4641	Infineon Technologies	econodual™3	トレイ	アクティブ		-40°C〜175°C	シャーシマウント	モジュール	FF750R12				20 MW	標準	ag-conod	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	10	2独立																		トレンチフィールドストップ	1200 v	750 a		1.75V @ 15V 、750A					45 µA	はい	115 nf @ 25 v
FP35R12N2T7BPSA1	90.6000	RFQ	7057	Infineon Technologies	econopim™2	トレイ	アクティブ		-40°C〜175°C	シャーシマウント	モジュール	FP35R12				20 MW	三相ブリッジ整流器	ag-econo2b	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	10	三相インバーター																		トレンチフィールドストップ	1200 v	35 a		1.6V @ 15V、35a					7 µA	はい	6.62 NF @ 25 V
ST194E6716HTSA1	-	RFQ	4109	Infineon Technologies	*	バルク	アクティブ												ダウンロード		未定義のベンダー	影響を受けていない	2156-ST194E6716HTSA1-448	ear99	0000.00.0000	1
ISZ230N10NM6ATMA1	1.2600	RFQ	5	Infineon Technologies	Optimos™6	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜175°C	表面マウント	8-powertdfn	ISZ230			モスフェット（金属酸化物）			PG-TSDSON-8 FL	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	5,000		nチャネル					100 V	7.7a	8V 、10V	23mohm @ 10a 、10V	3.3V @ 13µA	9.3 NC @ 10 V	±20V	690 PF @ 50 V	-	3W （TA ）、48W（TC）
FS100R12N2T4BDLA1	126.1900	RFQ	36	Infineon Technologies	*	バルク	アクティブ												-		未定義のベンダー	未定義のベンダー	2156-FS100R12N2T4BDLA1-448			1
8202011	0.9700	RFQ	1	Infineon Technologies	-	箱	アクティブ												-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	3845-8202011	ear99		1
DDB6U104N16RRB37BPSA1	107.7300	RFQ	8	Infineon Technologies	-	トレイ	アクティブ		150°C （TJ）	シャーシマウント	モジュール	DDB6U104				20 MW	標準	ag-econo2b	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	15	シングルチョッパー																		-	1200 v	50 a		2.8V @ 15V 、50a					1 Ma	はい	3.3 NF @ 25 V
IKFW90N65ES5XKSA1	6.9450	RFQ	9741	Infineon Technologies	TrenchStop™	チューブ	アクティブ		-40°C〜175°C	穴を通して	TO-247-3		標準			154 W		PG-HSIP247-3-2	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	240				400V 、75a 、16ohm15V														89 ns	トレンチフィールドストップ	650 V	80 a	300 a	1.75V @ 15V 、75a	2.5MJ （オン）、990µJ	165 NC	42ns/151ns
FS75R06KE3BPSA1	118.3000	RFQ	5	Infineon Technologies	econopack™	トレイ	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	モジュール	FS75R06				250 W	標準	ag-econo2b	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	15	フルブリッジインバーター																		トレンチフィールドストップ	600 V	75 a		1.9V @ 15V 、75a					1 Ma	はい	4.6 nf @ 25 v
IPTG025N10NM5ATMA1	2.8941	RFQ	2998	Infineon Technologies	Optimos™	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜175°C	表面マウント	8-POWERSMD 、ガルウィング	IPTG025N			モスフェット（金属酸化物）			PG-HSOG-8-1	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,800		nチャネル					100 V	27a	6V 、10V	2.5mohm @ 150a 10V	3.8V @ 158µA	120 NC @ 10 V	±20V	8800 PF @ 50 V	-	3.8W
FS150R12N3T7BPSA1	286.2800	RFQ	8	Infineon Technologies	EasyPack™3、TRENCHSTOP™	トレイ	アクティブ		-40°C〜175°C	シャーシマウント	モジュール	FS150R12				20 MW	標準	ag-econo3b	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	10	三相インバーター																		トレンチフィールドストップ	1200 v	150 a		1.8V @ 15V 、150a					12 µA	はい	30.1 nf @ 25 v
FP10R12W1T7PB11BPSA1	49.9600	RFQ	2968	Infineon Technologies	Easypim™	トレイ	アクティブ		-40°C〜175°C	シャーシマウント	モジュール	FP10R12				20 MW	三相ブリッジ整流器	ag-easy1b	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	30	三相インバーター																		トレンチフィールドストップ	1200 v	10 a		-					4.5 µA	はい	1.89 NF @ 25 V
BSM50GX120DN2BPSA1	214.4100	RFQ	6559	Infineon Technologies	*	トレイ	前回購入します					BSM50G							-	ROHS3準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	15
SIGC42T120CQX1SA1	-	RFQ	1358	Infineon Technologies	-	バルク	廃止		-55°C〜150°C	表面マウント	死ぬ	SIGC42T120	標準					死ぬ	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		廃止		1				-															-	1200 v		75 a	2.1V @ 15V 、25a	-		-
FS380R12A6T4LBBPSA1	892.5000	RFQ	7215	Infineon Technologies	HybridPack™	トレイ	アクティブ		-	シャーシマウント	モジュール	FS380R12					標準	Ag-Hybridd-2	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	6	3独立																		-	1200 v	380 a		-						いいえ

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²