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離散半導体製品（16626）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	入力タイプ	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	フェットタイプ	現在-hold（ihmax）	テスト条件	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	電圧 -状態外	現在 -state（it （rms	現在 -非担当者サージ50、60Hz	電圧 -状態（ vtm ）（最大）	現在 -State	scrタイプ	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターパルス（ icm）	vce（on max） @ vge	エネルギーの切り替え	ゲートチャージ	TD （オン/オフ） @ 25°C	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	入力容量（ cies @ vce	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移	抵抗 -ベース（r1）
F3L11MR12W2M1B65BOMA1	-	RFQ	9105	Infineon Technologies	Easypack™	トレイ	廃止	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	モジュール	F3L11MR12			20 MW	標準	ag-easy2bm-2	ダウンロード			影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	15	3つのレベルインバーター																														溝	1200 v	100 a		2.1V @ 15V 、100A				40 µA	はい	7.36 nf @ 800 v
SPD30N03S2L-07 g	0.5200	RFQ	1	Infineon Technologies	coolmos™	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3			モスフェット（金属酸化物）			PG-to252-3-313	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1			nチャネル			30 V	30a（tc）	4.5V 、10V	6.7mohm @ 30a 、10V	2V @ 85µA	68 NC @ 10 V	±20V	2530 PF @ 25 V	-	136W
IPU64CN10N g	-	RFQ	3505	Infineon Technologies	Optimos™	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	穴を通して	to-251-3	IPU64C		モスフェット（金属酸化物）			PG-to251-3	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,500			nチャネル			100 V	17a（tc）	10V	64mohm @ 17a 、10V	4V @ 20µA	9 NC @ 10 V	±20V	569 PF @ 50 V	-	44W
bav70	0.0300	RFQ	125	Infineon Technologies	-	バルク	廃止		表面マウント	TO-236-3	bav70		標準			SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.10.0070	3,000		小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度																				1ペア共通カソード	70 v	200mA	1.25 V @ 150 MA	6 ns	5 µA @ 70 V	150°C （最大）
BCR169WE6327	0.0200	RFQ	54	Infineon Technologies	aec-q101	バルク	アクティブ		表面マウント	SC-70、SOT-323	BCR169			250 MW		PG-SOT323-3-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.21.0075	3,000																																50 v	100 Ma						100na（icbo）			pnp-前バイアス	300MV @ 500µA 、10mA	120 @ 5MA 、5V	200 MHz	4.7 Kohms
IRFB7534PBF	2.5400	RFQ	9	Infineon Technologies	hexfet®、 strongirfet™	チューブ	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3	IRFB7534		モスフェット（金属酸化物）			TO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50			nチャネル			60 V	195a（tc）	6V 、10V	2.4mohm @ 100a 、10V	3.7V @ 250µA	279 NC @ 10 V	±20V	10034 PF @ 25 V	-	294W
IRF8721GTRPBF	-	RFQ	7428	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）			モスフェット（金属酸化物）			8-SO	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	4,000			nチャネル			30 V	14a（ta）	4.5V 、10V	8.5mohm @ 14a 、10V	2.35V @ 25µA	12 NC @ 4.5 v	±20V	1040 PF @ 15 V	-	2.5W
IPP80N06S3-05	-	RFQ	2417	Infineon Technologies	Optimos™	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3	IPP80N		モスフェット（金属酸化物）			PG-to220-3-1	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	500			nチャネル			55 v	80a（tc）	10V	5.4mohm @ 63a 、10v	4V @ 110µA	240 NC @ 10 V	±20V	10760 PF @ 25 V	-	165W
IPP70N04S406AKSA1	0.8623	RFQ	5504	Infineon Technologies	Optimos™	チューブ	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3	IPP70N04		モスフェット（金属酸化物）			PG-to220-3-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	500			nチャネル			40 v	70a	10V	6.5mohm @ 70a 、10V	4V @ 26µA	32 NC @ 10 V	±20V	2550 PF @ 25 V	-	58W （TC）
IRFB4410	-	RFQ	4585	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3			モスフェット（金属酸化物）			TO-220AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	*IRFB4410	ear99	8541.29.0095	50			nチャネル			100 V	96a（tc）	10V	10mohm @ 58a 、10V	4V @ 150µA	180 NC @ 10 V	±20V	5150 PF @ 50 V	-	250W
IHW30N135R3	2.5500	RFQ	1532	Infineon Technologies	TrenchStop™	バルク	アクティブ	-40°C〜175°C	穴を通して	TO-247-3		標準		349 w		PG-to247-3	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	88					600V 、30A 、10OHM15V																										トレンチフィールドストップ	1350 v	60 a	90 a	1.85V @ 15V 、30A	1.93mj （オフ）	263 NC	- /337ns
BAS16B5003	0.0200	RFQ	1	Infineon Technologies	BAS16	バルク	アクティブ		表面マウント	TO-236-3	BAS16		標準			PG-SOT23-3-11	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.10.0070	3,000		高速回復= <500ns																					80 v		1.25 V @ 150 MA	4 ns	1 µA @ 75 V	150°C	250ma	2PF @ 0V、1MHz
ISP98DP10LMXTSA1	0.8200	RFQ	9168	Infineon Technologies	Optimos™	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-261-4、TO-261AA	ISP98D		モスフェット（金属酸化物）			PG-SOT223-4	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000			pチャネル			100 V	930ma	4.5V 、10V	980mohm @ 900ma 、10V	2V @ 165µA	7.2 NC @ 10 V	±20V	350 PF @ 50 V	-	1.8W
BSZ180P03NS3EGATMA1	0.8200	RFQ	9911	Infineon Technologies	Optimos™	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	8-powertdfn	BSZ180		モスフェット（金属酸化物）			PG-TSDSON-8	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	5,000			pチャネル			30 V	9a（ta ）、 39.5a	6V 、10V	18mohm @ 20a 、10v	3.1V @ 48µA	30 NC @ 10 V	±25V	2220 PF @ 15 V	-	2.1W
IPW65R280E6FKSA1	-	RFQ	3088	Infineon Technologies	coolmos™	チューブ	廃止	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-247-3	IPW65R		モスフェット（金属酸化物）			PG-to247-3-1	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	240			nチャネル			650 V	13.8a	10V	280mohm @ 4.4a 、10V	3.5V @ 440µA	45 NC @ 10 V	±20V	950 PF @ 100 V	-	104W
IPI09N03LA	-	RFQ	1646	Infineon Technologies	Optimos™	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	穴を通して	To-262-3 Long Leads	IPI09N		モスフェット（金属酸化物）			PG-to262-3	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	500			nチャネル			25 v	50a（tc）	4.5V 、10V	9.2mohm @ 30a 、10V	2V @ 20µA	13 NC @ 5 V	±20V	1642 PF @ 15 V	-	63W
BSO211ph	0.3300	RFQ	2	Infineon Technologies	Optimos™p	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	532-bfbga fcbga	BSO211		モスフェット（金属酸化物）	1.6W		532-FCBGA （23x23	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	2,500	2 P-Channel （デュアル）					20V	4a（ta）		67mohm @ 4.6a 、4.5V	1.2V @ 25µA	10NC @ 4.5V		1095pf @ 15V	ロジックレベルゲート、2.5Vドライブ
T3841N18TOFVTXPSA1	907.9100	RFQ	4510	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ										-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.30.0080	2
IDW20G65C5XKSA1	9.0900	RFQ	162	Infineon Technologies	coolsic™+	チューブ	アクティブ		穴を通して	TO-247-3	IDW20G65		sic （炭化シリコン）ショットキー			PG-to247-3-41	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	30		回復時間なし> 500ma																					650 V		1.7 V @ 20 a	0 ns	210 µA @ 650 v	-55°C〜175°C	20a	590pf @ 1V、1MHz
IPW90R120C3XKSA1	17.0000	RFQ	7385	Infineon Technologies	coolmos™	チューブ	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-247-3	IPW90R120		モスフェット（金属酸化物）			PG-to247-3-21	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	30			nチャネル			900 V	36a（tc）	10V	120mohm @ 26a 、10V	3.5V @ 2.9ma	270 NC @ 10 V	±20V	6800 PF @ 100 V	-	417W
IPI80N04S3-06	0.4500	RFQ	1	Infineon Technologies	*	バルク	廃止										ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1
BSZ340N08NS3GATMA1	0.8200	RFQ	52	Infineon Technologies	Optimos™	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	8-powertdfn	BSZ340		モスフェット（金属酸化物）			PG-TSDSON-8	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	5,000			nチャネル			80 v	6a（タタ23a（tc）	6V 、10V	34mohm @ 12a 、10V	3.5V @ 12µA	9.1 NC @ 10 V	±20V	630 PF @ 40 V	-	2.1W
BFN19E6327HTSA1	-	RFQ	2049	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ	150°C （TJ）	表面マウント	TO-243AA				1 W		PG-SOT89	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0075	1,000																																300 V	200 ma						100na（icbo）			PNP	500MV @ 2MA 、20MA	40 @ 10ma 、10V	100MHz
IRF7490TRPBF	1.3000	RFQ	13	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）	IRF7490		モスフェット（金属酸化物）			8-SO	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	4,000			nチャネル			100 V	5.4a（ta）	10V	39mohm @ 3.2a 、10V	4V @ 250µA	56 NC @ 10 V	±20V	1720 pf @ 25 v	-	2.5W
auirfr2307z	-	RFQ	2322	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3			モスフェット（金属酸化物）			d-pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	SP001522814	ear99	8541.29.0095	3,000			nチャネル			75 v	42a	10V	16mohm @ 32a 、10V	4V @ 100µA	75 NC @ 10 V	±20V	2190 PF @ 25 V	-	110W
T1503NH80TOHXOSA1	7.0000	RFQ	3757	Infineon Technologies	-	トレイ	アクティブ	120°C （TJ）	シャーシマウント	TO-200AF	T1503NH80					BG-T15040L-1	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない		ear99	8541.30.0080	1				100 Ma												8 kV	2770 a	57000A @ 50Hz	3 v	2560 a	標準回復
IDC51D120T6MX1SA3	-	RFQ	7807	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ		表面マウント	死ぬ	IDC51D120		標準			ホイル上の鋸	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	SP000375000	ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns																					1200 v		2.05 V @ 100 a		18 µa @ 1200 v	-40°C〜175°C	100a	-
IPB60R210CFD7ATMA1	2.0566	RFQ	2440	Infineon Technologies	coolmos™cfd7	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-263-3	IPB60R210		モスフェット（金属酸化物）			PG-to263-3-2	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000			nチャネル			600 V	12a（tc）	10V	210mohm @ 4.9a 、10V	4.5V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±20V	1015 PF @ 400 v	-	64W
IRF3709ZCLPBF	-	RFQ	3522	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	穴を通して	To-262-3 Long Leads			モスフェット（金属酸化物）			TO-262	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	*IRF3709ZCLPBF	ear99	8541.29.0095	50			nチャネル			30 V	87a（tc）	4.5V 、10V	6.3mohm @ 21a 、10V	2.25V @ 250µA	26 NC @ 4.5 v	±20V	2130 PF @ 15 V	-	79W
2PS12017E34W32132NOSA1	-	RFQ	9621	Infineon Technologies	-	トレイ	廃止	-25°C〜55°C	シャーシマウント	モジュール	2PS12017				標準	モジュール	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8543.70.9860	1	三相インバーター																														-				-					いいえ

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²