RFQ
ボム
お問い合わせ

Tel： +86-0755-83501315

メール：sales@sic-components.com

サインイン

日本語

離散半導体製品（16626）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	入力タイプ	テクノロジー	パワー -マックス	構造	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	フェットタイプ	現在-hold（ihmax）	テスト条件	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	電圧 -状態外	電圧 -ゲートトリガー（ vgt ）（最大）	現在 -非担当者サージ50、60Hz	現在 -ゲートトリガー（ Igt ）（最大）	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	scr の数、ダイオード	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターパルス（ icm）	vce（on max） @ vge	エネルギーの切り替え	ゲートチャージ	TD （オン/オフ） @ 25°C	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	入力容量（ cies @ vce
IPP65R190CFD7XKSA1	3.4800	RFQ	2629	Infineon Technologies	coolmos™cfd7	チューブ	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3	IPP65R		モスフェット（金属酸化物）				PGから220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50			nチャネル			650 V	17.5a	10V	190mohm @ 7.3a 、10V	4.5V @ 700µA	68 NC @ 10 V	±20V	1850 PF @ 100 V	-	151W
DF200R12PT4B6BOSA1	-	RFQ	4162	Infineon Technologies	Econopack™4	トレイ	sicで中止されました	-40°C〜150°C	シャーシマウント	モジュール	DF200R12			1100 w		標準	モジュール	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	6	三相インバーター																											トレンチフィールドストップ	1200 v	300 a		2.1V @ 15V 、200A				15 µA	はい	12.5 nf @ 25 v
IGB20N65S5ATMA1	2.4700	RFQ	7363	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ				IGB20N65							ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000
IPC60R160C6X1SA1	-	RFQ	8547	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ				IPC60							-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	SP000794656		0000.00.0000	1							-
F4150R17ME4B11BPSA1	-	RFQ	7693	Infineon Technologies	econodual™3	トレイ	sicで中止されました	-40°C〜150°C	シャーシマウント	モジュール	F4150R17					標準	モジュール	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	6	フルブリッジ																											トレンチフィールドストップ	1700 v	230 a		2.3V @ 15V 、150a				3 Ma	いいえ	12 nf @ 25 v
FF600R12IE4BOSA1	521.2400	RFQ	3	Infineon Technologies	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	モジュール	FF600R12			3350 w		標準	モジュール	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	3	ハーフブリッジ																											トレンチフィールドストップ	1200 v	600 a		2.05V @ 15V、600A				5 Ma	はい	37 nf @ 25 v
FF600R12IP4BOSA1	521.2400	RFQ	8	Infineon Technologies	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	モジュール	FF600R12			3350 w		標準	モジュール	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	3	ハーフブリッジ																											トレンチフィールドストップ	1200 v	600 a		2.05V @ 15V、600A				5 Ma	はい	37 nf @ 25 v
IRG7PH28UEF	-	RFQ	4100	Infineon Technologies	-	バルク	廃止	-	-	-	IRG7PH	-					-	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1					-																							-				-	-		-
IHW30N120R3FKSA1	-	RFQ	3253	Infineon Technologies	TrenchStop®	チューブ	廃止	-40°C〜175°C	穴を通して	TO-247-3	IHW30	標準		349 w			PG-to247-3-1	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	240					600V 、30A 、10OHM15V																							-	1200 v	60 a	90 a	1.75V @ 15V 、30a	1.47MJ （オフ）	263 NC	- /326ns
IRG6B330UDPBF	-	RFQ	4113	Infineon Technologies	-	チューブ	廃止	-40°C〜150°C （TJ	穴を通して	TO-220-3	IRG6B330	標準		160 W			TO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000					196v																			60 ns				溝	330 v	70 a		2.76V @ 15V 、120A	-	85 NC	47ns/176ns
BAS 125-06W E6327	-	RFQ	4081	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	廃止		表面マウント	SC-70、SOT-323	BAS 125		ショットキー				PG-SOT323	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	6,000		小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度																		1ペア共通アノード	25 v	100MA （DC）	950 mV @ 35 Ma		150 Na @ 25 V	150°C （最大）
IRFS7734-7PPBF	-	RFQ	6748	Infineon Technologies	hexfet®、 strongirfet™	チューブ	sicで中止されました	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-7			モスフェット（金属酸化物）				d²pak（ to-263ab）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	SP001567770	ear99	8541.29.0095	50			nチャネル			75 v	197a（tc）	6V 、10V	3.05mohm @ 100a 、10V	3.7V @ 150µA	270 NC @ 10 V	±20V	10130 PF @ 25 V	-	294W
BSS123L6433HTMA1	-	RFQ	8129	Infineon Technologies	SIPMOS®	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3			モスフェット（金属酸化物）				PG-SOT23	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	10,000			nチャネル			100 V	170ma（ta）	4.5V 、10V	6ohm @ 170ma 、10V	1.8V @ 50µA	2.67 NC @ 10 V	±20V	69 PF @ 25 V	-	360MW
TDB6HK180N16RRB11BPSA1	184.9600	RFQ	14	Infineon Technologies	-	トレイ	アクティブ	175°C （TJ）	シャーシマウント	モジュール	TDB6HK				ブリッジ、 3相 -scrs/ダイオード -ダイオード付きigbt			ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.30.0080	15				220 Ma												1.6 kV	2 v	1600A @ 50Hz	100 Ma								3つのscr、3つのダイオード
IMYH200R050M1HXKSA1	54.4000	RFQ	195	Infineon Technologies	coolsic™	チューブ	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-247-4	IMYH200		sic （シリコンカーバイドジャンクショントランジスタ）				PG-to247-4-U04	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	240			nチャネル			2000 v	48a	15V、18V	64mohm @ 20a、18V	5.5V @ 12.1MA	82 NC @ 18 V	+20V、 -7V		-	348W （TC）
BSS138NL6327HTSA1	-	RFQ	4450	Infineon Technologies	SIPMOS®	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3			モスフェット（金属酸化物）				PG-SOT23	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	3,000			nチャネル			60 V	230ma（ta）	4.5V 、10V	3.5OHM @ 230MA 、10V	1.4V @ 250µA	1.4 NC @ 10 V	±20V	41 PF @ 25 V	-	360MW
IPD70P04P409ATMA2	1.8200	RFQ	12	Infineon Technologies	Automotive 、AEC-Q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3	IPD70		モスフェット（金属酸化物）				PG-to252-3-313	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,500			pチャネル			40 v	73a（tc）		8.9mohm @ 70a 、10V	4V @ 120µA	70 NC @ 10 V	±20V	4810 PF @ 25 V	-	75W
IPI80N06S3L-08	-	RFQ	7403	Infineon Technologies	Optimos™	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	穴を通して	To-262-3 Long Leads	IPI80N		モスフェット（金属酸化物）				PG-to262-3	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	500			nチャネル			55 v	80a（tc）	5V、10V	7.9mohm @ 43a 、10V	2.2V @ 55µA	134 NC @ 10 V	±16V	6475 PF @ 25 V	-	105W
BSZ068N06NSATMA1	1.3200	RFQ	7562	Infineon Technologies	Optimos™	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	8-powertdfn	BSZ068		モスフェット（金属酸化物）				PG-TSDSON-8-FL	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	5,000			nチャネル			60 V	40a（tc）	6V 、10V	6.8mohm @ 20a 、10V	3.3V @ 20µA	21 NC @ 10 V	±20V	1500 PF @ 30 V	-	2.1W
BSL372SNH6327XTSA1	-	RFQ	7088	Infineon Technologies	Optimos™	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	SOT-23-6薄い、TSOT-23-6			モスフェット（金属酸化物）				PG-TSOP6-6	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	3,000			nチャネル			100 V	2a（ta）	4.5V 、10V	220MOHM @ 2A 、10V	1.8V @ 218µA	14.3 NC @ 10 V	±20V	329 PF @ 25 V	-	2W （TA）
FD1400R12IP4DBOSA1	831.0100	RFQ	8695	Infineon Technologies	Primepack™3	トレイ	新しいデザインではありません	-40°C〜150°C	シャーシマウント	モジュール	FD1400			7700 w		標準	モジュール	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2	シングル																											トレンチフィールドストップ	1200 v	1400 a		2.1V @ 15V、1400a				5 Ma	はい	82 nf @ 25 v
FF1500R12IE5BPSA1	1.0000	RFQ	3379	Infineon Technologies	Primepack™3+ b	トレイ	アクティブ	-40°C〜175°C	シャーシマウント	モジュール	FF1500R			20 MW		標準	モジュール	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	SP001630414	ear99	8541.29.0095	2	2独立																											トレンチフィールドストップ	1200 v	1500 a		2.15V @ 15V 、1500A				5 Ma	はい	82 nf @ 25 v
SPU02N60S5BKMA1	-	RFQ	8147	Infineon Technologies	coolmos™	チューブ	廃止	-55°C〜150°C	穴を通して	to-251-3	SPU02N		モスフェット（金属酸化物）				PG-to251-3-21	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	75			nチャネル			600 V	1.8a	10V	3OHM @ 1.1A 、10V	5.5V @ 80µA	9.5 NC @ 10 V	±20V	240 pf @ 25 v	-	25W （TC）
IRF7607TRPBFTR	-	RFQ	9818	Infineon Technologies	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	8-TSSOP 、8-MSOP （0.118 "、3.00mm 幅）			モスフェット（金属酸化物）				micro8™	ダウンロード		未定義のベンダー	影響を受けていない	2156-IRF7607TRPBFTR-448			1			nチャネル			20 v	6.5a（ta）	2.5V 、4.5V	30mohm @ 6.5a 、4.5V	1.2V @ 250µA	22 NC @ 5 V	±12V	1310 pf @ 15 v	-	1.8W
IPP14N03LA	-	RFQ	6797	Infineon Technologies	Optimos™	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3	IPP14N		モスフェット（金属酸化物）				PGから220-3	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	500			nチャネル			25 v	30a（tc）	4.5V 、10V	13.9mohm @ 30a 、10v	2V @ 20µA	8.3 NC @ 5 V	±20V	1043 PF @ 15 V	-	46W
IRF6641TRPBF	-	RFQ	8428	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜150°C （TJ	表面マウント	directfet™mz	IRF6641		モスフェット（金属酸化物）				DirectFet™MZ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	4,800			nチャネル			200 v	4.6a（ta ）、26a（tc）	10V	59.9mohm @ 5.5a 、10V	4.9V @ 150µA	48 NC @ 10 V	±20V	2290 PF @ 25 V	-	2.8W （TA ）、89W（TC）
IPW65R095C7	1.0000	RFQ	6605	Infineon Technologies	coolmos™c7	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-247-3			モスフェット（金属酸化物）				PG-to247	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1			nチャネル			650 V	24a（tc）		95mohm @ 11.8a 、10V	4V @ 590µA	45 NC @ 10 V	±20V	2140 PF @ 400 v	-	128W （TC）
IPT60R125CFD7XTMA1	5.3600	RFQ	3339	Infineon Technologies	coolmos™cfd7	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	8-POWERSFN	IPT60R125		モスフェット（金属酸化物）				PG-HSOF-8-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,000			nチャネル			600 V	21a（tc）	10V	125mohm @ 6.8a 、10V	4.5V @ 340µA	31 NC @ 10 V	±20V	1330 pf @ 400 v	-	127W
rd4.7fs	-	RFQ	2228	Infineon Technologies	-	バルク	廃止											-				2156-RD4.7FS			1
auirlr120ntrl	2.0900	RFQ	737	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	前回購入します	-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3	auirlr120		モスフェット（金属酸化物）				d-pak（to-252aa）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	3,000			nチャネル			100 V	10a（tc）	4V 、10V	185mohm @ 6a 、10V	2V @ 250µA	20 NC @ 5 V	±16V	440 PF @ 25 V	-	48W （TC）

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²