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離散半導体製品（16626）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	電圧 -定格	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	頻度	テクノロジー	パワー -マックス	構造	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	フェットタイプ	現在の評価（ amp）	現在-hold（ihmax）	現在 -テスト	電力 -出力	得	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	電圧 -状態外	現在 -state（it （rms	電圧 -ゲートトリガー（ vgt ）（最大）	現在 -非担当者サージ50、60Hz	現在 -ゲートトリガー（ Igt ）（最大）	現在 -State	ノイズ図	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	scr の数、ダイオード	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	vce（on max） @ vge	電圧 -テスト	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	入力容量（ cies @ vce
IRF8714GPBF	-	RFQ	3372	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止		-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）			モスフェット（金属酸化物）				8-SO	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	SP001551628	ear99	8541.29.0095	95			nチャネル						30 V	14a（ta）	4.5V 、10V	8.7mohm @ 14a 、10V	2.35V @ 25µA	12 NC @ 4.5 v	±20V	1020 PF @ 15 V	-	2.5W
IRFC048NB	-	RFQ	3247	Infineon Technologies	*	バルク	廃止												-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	SP001554640	廃止		1
IRLML0100TRPBF-1	-	RFQ	3535	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	廃止		-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3			モスフェット（金属酸化物）				Micro3™/SOT-23	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	3,000			nチャネル						100 V	1.6a（ta）	4.5V 、10V	220mohm @ 1.6a 、10V	2.5V @ 25µA	2.5 NC @ 4.5 v	±16V	290 PF @ 25 V	-	1.3W
IPA180N10N3GXKSA1	-	RFQ	8621	Infineon Technologies	Optimos™	チューブ	廃止		-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3フルパック			モスフェット（金属酸化物）				PG〜220-FP	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	500			nチャネル						100 V	28a（tc）	6V 、10V	18mohm @ 28a 、10V	3.5V @ 35µA	25 NC @ 10 V	±20V	1800 pf @ 50 v	-	30W （TC）
FF300R12KE4PHOSA1	202.4050	RFQ	1342	Infineon Technologies	c	トレイ	アクティブ		-40°C〜150°C	シャーシマウント	モジュール	FF300R12					標準	モジュール	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	8	ハーフブリッジインバーター																																			トレンチフィールドストップ	1200 v	300 a	2.15V @ 15V 、300A		5 Ma	いいえ	19 nf @ 25 v
SN7002IXTSA1	0.3400	RFQ	2	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	SN7002I		モスフェット（金属酸化物）				PG-SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	3,000			nチャネル						60 V	200ma（ta）	4.5V 、10V	5OHM @ 500MA 、10V	1.8V @ 26µA	0.9 NC @ 10 V	±20V	32 PF @ 30 V	-	360MW
IRLR3714ZTRPBF	-	RFQ	8279	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	廃止		-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3			モスフェット（金属酸化物）				d-pak	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	6,000			nチャネル						20 v	37a（tc）	4.5V 、10V	15mohm @ 15a 、10V	2.55V @ 250µA	7.1 NC @ 4.5 v	±20V	560 PF @ 10 V	-	35W （TC）
IPP25N06S325XK	-	RFQ	1724	Infineon Technologies	Optimos™	チューブ	廃止		-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3	IPP25N		モスフェット（金属酸化物）				PG-to220-3-1	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	500			nチャネル						55 v	25a（tc）	10V	25.1mohm @ 15a 、10V	4V @ 20µA	41 NC @ 10 V	±20V	1862 PF @ 25 V	-	48W （TC）
IDWD40G120C5XKSA1	24.3200	RFQ	1	Infineon Technologies	coolsic™+	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-247-2	IDWD40		sic （炭化シリコン）ショットキー				PG-to247-2	ダウンロード	ROHS3準拠	適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	30		回復時間なし> 500ma																									1200 v		1.65 V @ 40 a	0 ns	332 µA @ 1200 v	-55°C〜175°C	110a	2592pf @ 1V、1MHz
IPP60R450E6	0.7300	RFQ	6442	Infineon Technologies	coolmos™	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3			モスフェット（金属酸化物）				PG-to220-3-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	318			nチャネル						600 V	9.2a	10V	450mohm @ 3.4a 、10V	3.5V @ 280µA	28 NC @ 10 V	±20V	620 PF @ 100 V	-	74W
BSZ075N08NS5ATMA1	1.5900	RFQ	74	Infineon Technologies	Optimos™	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	8-powertdfn	BSZ075		モスフェット（金属酸化物）				PG-TSDSON-8-26	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	5,000			nチャネル						80 v	40a（tc）	6V 、10V	7.5mohm @ 20a 、10V	3.8V @ 36µA	29.5 NC @ 10 V	±20V	2080 PF @ 40 V	-	69W （TC）
PTFA082201F V1	-	RFQ	2900	Infineon Technologies	-	トレイ	sicで中止されました	65 v		表面マウント	2 フラットパック、フィンのリード、フランジ	PTFA082201	894MHz	ldmos				H-37260-2	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	40				10µA		1.95 a	220W	18db																	-															30 V
BAT64-04B5003	-	RFQ	7220	Infineon Technologies	aec-q101	バルク	アクティブ			表面マウント	TO-236-3	BAT64		ショットキー				PG-SOT23-3-3	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.10.0070	3,000		小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度																								1ペアシリーズ接続	40 v	120ma	750 mv @ 100 Ma	5 ns	2 µA @ 30 V	150°C
IPD65R250C6XTMA1	-	RFQ	2344	Infineon Technologies	coolmos™	テープ＆リール（ tr）	廃止		-55°C〜150°C	表面マウント	to-252-3	IPD65R		モスフェット（金属酸化物）				PG-to252-3	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,500			nチャネル						650 V	16.1a（tc）	10V	250mohm @ 4.4a 、10V	3.5V @ 400µA	44 NC @ 10 V	±20V	950 PF @ 100 V	-	208.3W
IRLML0040TRPBF	0.4200	RFQ	20	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	IRLML0040		モスフェット（金属酸化物）				Micro3™/SOT-23	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	3,000			nチャネル						40 v	3.6a（ta）	4.5V 、10V	56mohm @ 3.6a 、10V	2.5V @ 25µA	3.9 NC @ 4.5 v	±16V	266 PF @ 25 V	-	1.3W
IPB60R600C6ATMA1	-	RFQ	4501	Infineon Technologies	coolmos™c6	テープ＆リール（ tr）	廃止		-55°C〜150°C	表面マウント	TO-263-3	IPB60R		モスフェット（金属酸化物）				PG-to263-3	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000			nチャネル						600 V	7.3a（tc）	10V	600mohm @ 2.4a 、10V	3.5V @ 200µA	20.5 NC @ 10 V	±20V	440 PF @ 100 V	-	63W
IPI90R1K0C3XKSA1	-	RFQ	4200	Infineon Technologies	coolmos™	チューブ	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	To-262-3 Long Leads	IPI90R		モスフェット（金属酸化物）				PG-to262-3	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	500			nチャネル						900 V	5.7a（tc）	10V	1OHM @ 3.3A 、10V	3.5V @ 370µA	34 NC @ 10 V	±20V	850 PF @ 100 V	-	89W
IPU60R1K5CEBKMA1	-	RFQ	2850	Infineon Technologies	coolmos™ce	チューブ	sicで中止されました		-40°C〜150°C （TJ	穴を通して	to-251-3	IPU60R		モスフェット（金属酸化物）				TO-251	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	500			nチャネル						600 V	3.1a（tc）	10V	1.5OHM @ 1.1A 、10V	3.5V @ 90µA	9.4 NC @ 10 V	±20V	200 pf @ 100 V	-	28W （TC）
IPA60R600E6XKSA1	1.1200	RFQ	1509	Infineon Technologies	coolmos™	チューブ	新しいデザインではありません		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3フルパック	IPA60R600		モスフェット（金属酸化物）				PG〜220-FP	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	500			nチャネル						600 V	7.3a（tc）	10V	600mohm @ 2.4a 、10V	3.5V @ 200µA	20.5 NC @ 10 V	±20V	440 PF @ 100 V	-	28W （TC）
SIDC42D120F6X1SA3	-	RFQ	8529	Infineon Technologies	-	バルク	sicで中止されました			表面マウント	死ぬ	SIDC42D		標準				ホイル上の鋸	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns																									1200 v		2.1 V @ 50 a		27 µA @ 1200 v	-55°C〜150°C	50a	-
IDL12G65C5XUMA2	6.4300	RFQ	15	Infineon Technologies	coolsic™+	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	4-PowertSfn	IDL12G65		sic （炭化シリコン）ショットキー				PG-VSON-4	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000		回復時間なし> 500ma																									650 V		1.7 V @ 12 a	0 ns	190 µA @ 650 v	-55°C〜150°C	12a	360pf @ 1V、1MHz
IPD60R600E6ATMA1	0.7269	RFQ	9260	Infineon Technologies	coolmos™e6	テープ＆リール（ tr）	新しいデザインではありません			表面マウント	to-252-3	IPD60R		モスフェット（金属酸化物）				PG-to252-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,500			nチャネル						600 V	7.3a（tc）	10V	600mohm @ 2.4a 、10V	3.5V @ 200µA	20.5 NC @ 10 V	±20V	440 PF @ 100 V	-	63W
IPG20N06S2L65ATMA1	0.9700	RFQ	27	Infineon Technologies	Automotive 、AEC-Q101、Optimos™	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜175°C	表面マウント	8-POWERVDFN	IPG20N		モスフェット（金属酸化物）	43W			PG-TDSON-8-4	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	5,000	2 nチャンネル（デュアル）								55V	20a		65mohm @ 15a 、10V	2V @ 14µA	12NC @ 10V		410pf @ 25V	ロジックレベルゲート
IPD650P06NMSAUMA1	-	RFQ	8943	Infineon Technologies	Optimos™	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3	IPD650		モスフェット（金属酸化物）				PG-to252-3-313	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	SP004987224	ear99	8541.29.0095	2,500			pチャネル						60 V	22a（tc）	10V	65mohm @ 22a 、10V	4V @ 1.04ma	39 NC @ 10 V	±20V	1600 PF @ 30 V	-	83W
SIDC81D60E6X1SA3	-	RFQ	1454	Infineon Technologies	-	バルク	廃止			表面マウント	死ぬ	SIDC78D		標準				ホイル上の鋸	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns																									600 V		1.25 V @ 200 a		27 µA @ 600 v	-55°C〜150°C	200a	-
IPD65R420CFDATMA1	1.0650	RFQ	5507	Infineon Technologies	coolmos™	テープ＆リール（ tr）	前回購入します		-55°C〜150°C	表面マウント	to-252-3	IPD65R420		モスフェット（金属酸化物）				PG-to252-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,500			nチャネル						650 V	8.7a（tc）	10V	420mohm @ 3.4a 、10V	4.5V @ 300µA	31.5 NC @ 10 V	±20V	870 PF @ 100 V	-	83.3W
IPP072N10N3GXKSA1	2.4000	RFQ	3	Infineon Technologies	Optimos™	チューブ	アクティブ		-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3	IPP072		モスフェット（金属酸化物）				PGから220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50			nチャネル						100 V	80a（tc）	6V 、10V	7.2mohm @ 80a 、10V	3.5V @ 90µA	68 NC @ 10 V	±20V	4910 PF @ 50 V	-	150W
IRF7342TRPBF	1.5200	RFQ	25	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）	IRF734		モスフェット（金属酸化物）	2W			8-SO	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	4,000	2 P-Channel （デュアル）								55V	3.4a		105mohm @ 3.4a 、10V	1V @ 250µA	38NC @ 10V		690pf @ 25V	ロジックレベルゲート
TD520N22KOFTIMHPSA1	396.4600	RFQ	2	Infineon Technologies	-	トレイ	アクティブ		125°C （TJ）	シャーシマウント	モジュール	TD520N				-scr/ダイオード			ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.30.0080	2					300 Ma														2.2 kv	1050 a	2.2 v	18000A @ 50Hz	250 Ma	520 a											1 scr、1ダイオード
iddd20g65c6xtma1	9.0500	RFQ	1	Infineon Technologies	coolsic™+	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	10-POWERSOPモジュール	iddd20		sic （炭化シリコン）ショットキー				PG-HDSOP-10-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,700		回復時間なし> 500ma																									650 V			0 ns	67 µA @ 420 v	-55°C〜175°C	51a	970pf @ 1V、1MHz

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²