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離散半導体製品（16626）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	入力タイプ	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	ECCN	htsus	標準パッケージ	フェットタイプ	現在 -マックス	テスト条件	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	容量 @ vr、f	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターパルス（ icm）	vce（on max） @ vge	エネルギーの切り替え	ゲートチャージ	TD （オン/オフ） @ 25°C	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	現在 -コレクターカットオフ（最大）	@ @ if、f	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移	静電容量比	静電容量比条件	Q @ vr、f
SPI20N65C3	-	RFQ	6796	Infineon Technologies	*	バルク	アクティブ									-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	1
SPB10N10LG	0.4200	RFQ	993	Infineon Technologies	SIPMOS®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3			モスフェット（金属酸化物）		PG-to263-3-2	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8541.29.0095	1,000	nチャネル			100 V	10.3a（tc）	10V	154mohm @ 8.1a 、10V	2V @ 21µA	22 NC @ 10 V	±20V	444 PF @ 25 V	-	50W （TC）
BSS223PWL6327	-	RFQ	4062	Infineon Technologies	Optimos®	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-70、SOT-323			モスフェット（金属酸化物）		PG-SOT323-3-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.21.0095	3,000	pチャネル			20 v	390ma（ta）	2.5V 、4.5V	1.2OHM @ 390MA 、4.5V	1.2V @ 1.5µA	0.62 NC @ 4.5 v	±12V	56 PF @ 15 V	-	250MW
IPI65R190C	2.0000	RFQ	500	Infineon Technologies	coolmos™	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	To-262-3 Long Leads			モスフェット（金属酸化物）		PG-to262-3-1	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8541.29.0095	1	nチャネル			650 V	20.2a	10V	190mohm @ 7.3a 、10V	3.5V @ 730µA	73 NC @ 10 V	±20V	1620 pf @ 100 V	-	151W
IGB30N60H3XKSA1	-	RFQ	8197	Infineon Technologies	TrenchStop™	バルク	アクティブ	-40°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3		標準		187 w	PG-to263-3-2	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8541.29.0095	1,000			400V、30A 、10.5OHM 、15V												トレンチフィールドストップ	600 V	60 a	120 a	2.4V @ 15V、30a	730µj （440µj （オフ）	165 NC	18ns/207ns
bby58-03we6327	1.0000	RFQ	8622	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-76、SOD-323					PG-SOD323-2-1	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0070	3,000														5.5pf @ 6V、1MHz									シングル	10 v							1.3	C4/C6	-
IGP03N120H2	1.0000	RFQ	8948	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	穴を通して	TO-220-3		標準		62.5 w	PG-to220-3-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	1			800V、3a												-	1200 v	9.6 a	9.9 a	2.8V @ 15V、3a	290µj	22 NC	9.2ns/281ns
BSB012N03LX3GXUMA1	1.0800	RFQ	4	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ									ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	5,000
BAT24-02LSE6327	0.5000	RFQ	121	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ	150°C （TJ）		0201 （0603 メトリック）					PG-TSSLP-2-1	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0070	1		110 Ma											100 MW	0.23pf @ 0V、1MHz									Schottky-シングル	4V		-
bsc886n03lsg	-	RFQ	6367	Infineon Technologies	Optimos™3	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	8-powertdfn			モスフェット（金属酸化物）		PG-TDSON-8	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	5,000	nチャネル			30 V	13a	4.5V 、10V	6mohm @ 30a 、10V	2.2V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±20V	2100 PF @ 15 V	-	2.5w
BSB053N03LPG	0.4000	RFQ	5	Infineon Technologies	Optimos™	バルク	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	表面マウント	3-wdson			モスフェット（金属酸化物）		MG-WDSON-2、CanpakM™	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	1,000	nチャネル			30 V	17a（タタ71a（tc）	4.5V 、10V	5.3mohm @ 30a 、10V	2.2V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±20V	2700 PF @ 15 V	-	2.3w
bsc200p03lsg	0.4300	RFQ	13	Infineon Technologies	Optimos®	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	8-powertdfn			モスフェット（金属酸化物）		PG-TDSON-8-6	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	1	pチャネル			30 V	9.9a	10V	20mohm @ 12.5a 、10V	1V @ 100µA	48.5 NC @ 10 V	±25V	2430 PF @ 15 V	-	2.5W
BSP373L6327	-	RFQ	8832	Infineon Technologies	SIPMOS®	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-261-4、TO-261AA			モスフェット（金属酸化物）		PG-SOT223	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	1,000	nチャネル			100 V	1.7a（ta）	10V	300mohm @ 1.7a 、10V	4V @ 1MA		±20V	550 PF @ 25 V	-	1.8W
SKW04N120FKSA1	-	RFQ	2817	Infineon Technologies	*	バルク	アクティブ				skw04n					-	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8542.39.0001	1
SMBTA14E6327XT	0.1000	RFQ	30	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ	150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3				330 MW	PG-SOT23	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8541.21.0075	3,112																30 V	300 Ma								100na（icbo）		npn-ダーリントン	1.5V @ 100µA 、100mA	20000 @ 100MA 、5V	125MHz
SPD50N03S2L-06G	1.0000	RFQ	8072	Infineon Technologies	*	バルク	アクティブ									ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	1
BC818K-40E6327	0.0400	RFQ	32	Infineon Technologies	aec-q101	バルク	アクティブ	150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3				500 MW	PG-SOT23	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.21.0075	7,532																25 v	500 Ma								100na（icbo）			700mv @ 50ma 、500ma	250 @ 100MA、1V	170MHz
BC818-40WE6327	0.0200	RFQ	24	Infineon Technologies	aec-q101	バルク	アクティブ	150°C （TJ）	表面マウント	SC-70、SOT-323				500 MW	PG-SOT323-3-1	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8541.21.0075	15,000																25 v	500 Ma								100na（icbo）			700mv @ 50ma 、500ma	250 @ 100MA、1V	170MHz
IPB65R380C6	0.9200	RFQ	3	Infineon Technologies	coolmos™	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-263-3			モスフェット（金属酸化物）		PG-to263-3-2	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた	ear99	8541.29.0095	1,000	nチャネル			650 V	10.6a（tc）	10V	380mohm @ 3.2a 、10V	3.5V @ 320µA	39 NC @ 10 V	±20V	710 PF @ 100 V	-	83W
BSO080P03NS3 g	-	RFQ	3987	Infineon Technologies	Optimos™3	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）			モスフェット（金属酸化物）		PG-DSO-8	ダウンロード	適用できない	3 （168 時間）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	2,500	pチャネル			30 V	12a（ta）	6V 、10V	8mohm @ 14.8a 、10V	3.1V @ 150µA	81 NC @ 10 V	±25V	6750 PF @ 15 V	-	1.6W
BCP68E6327	0.0500	RFQ	6	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ									ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8541.29.0075	6,000
IPB80N03S4L03	1.1000	RFQ	2	Infineon Technologies	coolmos™	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3			モスフェット（金属酸化物）		PG-to263-3-2	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	295	nチャネル			30 V	80a（tc）	4.5V 、10V	3.7mohm @ 80a 、10V	2.2V @ 45µA	75 NC @ 10 V	±16V	5100 PF @ 25 V	-	94W
SIPC19N80C3	-	RFQ	9533	Infineon Technologies	*	バルク	アクティブ									-	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8541.29.0040	1
SPB04N50C3	0.5900	RFQ	24	Infineon Technologies	coolmos™	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-263-3			モスフェット（金属酸化物）		PG-to263-3-2	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	1,000	nチャネル			500 V	4.5a	10V	950mohm @ 2.8a 、10V	3.9V @ 200µA	22 NC @ 10 V	±20V	470 PF @ 25 V	-	50W （TC）
SGP20N60HS	1.2500	RFQ	520	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3	SGP20N	標準		178 W	PG-to220-3-1	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	1			400V 、20A 、16OHM15V												npt	600 V	36 a	80 a	3.15V @ 15V 、20a	690µj	100 NC	18ns/207ns
SMBTA06	0.0500	RFQ	6	Infineon Technologies	aec-q101	バルク	アクティブ	150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3				330 MW	PG-SOT23-3-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.21.0075	6,000																80 v	500 Ma								100NA			250MV @ 10MA 、100mA	100 @ 100MA、1V	100MHz
SKA06N06	-	RFQ	6222	Infineon Technologies	*	バルク	アクティブ				SKA06N					-	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー			1
BC808-40	0.0200	RFQ	15	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3				310 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.21.0075	15,000																25 v	800 Ma								100na（icbo）		PNP	700mv @ 50ma 、500ma	250 @ 100MA、1V	100MHz
BC817K-16WH6327	-	RFQ	3355	Infineon Technologies	aec-q101	バルク	アクティブ	150°C （TJ）	表面マウント	SC-70、SOT-323	BC817			500 MW	PG-SOT323-3-1	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.21.0075	3,000																45 v	500 Ma								100na（icbo）			700mv @ 50ma 、500ma	100 @ 100MA、1V	170MHz
BCP69-16	-	RFQ	6851	Infineon Technologies	aec-q101	バルク	アクティブ	150°C （TJ）	表面マウント	TO-261-4、TO-261AA				3 W	PG-SOT223-4	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0075	1,000																20 v	1 a								100na（icbo）			500MV @ 100MA、1a	100 @ 500MA、1V	100MHz

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²