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離散半導体製品（16626）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	フェットタイプ	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	vce（on max） @ vge	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	入力容量（ cies @ vce	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移	抵抗 -ベース（r1）
IRF1404STRLPBF	2.8400	RFQ	2	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3	IRF1404	モスフェット（金属酸化物）			d2pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	800			nチャネル	40 v	162a（tc）	10V	4mohm @ 95a 、10V	4V @ 250µA	200 NC @ 10 V	±20V	7360 PF @ 25 V	-	3.8W （TA ）、200W（TC）
IRF9310PBF	-	RFQ	8118	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	sicで中止されました	-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）		モスフェット（金属酸化物）			8-SO	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	SP001566550	ear99	8541.29.0095	95			pチャネル	30 V	20a（tc）	4.5V 、10V	4.6mohm @ 20a 、10V	2.4V @ 100µA	165 NC @ 10 V	±20V	5250 PF @ 15 V	-	2.5W
IRFR3707ZTRLPBF	-	RFQ	2065	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました	-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3		モスフェット（金属酸化物）			d-pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	SP001578160	ear99	8541.29.0095	3,000			nチャネル	30 V	56a（tc）	4.5V 、10V	9.5mohm @ 15a 、10V	2.25V @ 25µA	14 NC @ 4.5 v	±20V	1150 PF @ 15 V	-	50W （TC）
IPP65R045C7XKSA1	14.6900	RFQ	6498	Infineon Technologies	coolmos™c7	チューブ	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3	IPP65R045	モスフェット（金属酸化物）			PGから220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50			nチャネル	650 V	46a（tc）	10V	45mohm @ 24.9a 、10V	4V @ 1.25MA	93 NC @ 10 V	±20V	4340 PF @ 400 v	-	227W
IPD60R520C6BTMA1	-	RFQ	5233	Infineon Technologies	coolmos™c6	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました	-55°C〜150°C	表面マウント	to-252-3	IPD60R	モスフェット（金属酸化物）			PG-to252-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,500			nチャネル	600 V	8.1a（tc）	10V	520mohm @ 2.8a 、10V	3.5V @ 230µA	23.4 NC @ 10 V	±20V	512 PF @ 100 V	-	66W
BSC155N06NDATMA1	1.5500	RFQ	5754	Infineon Technologies	Optimos™-T2	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	8-POWERVDFN	BSC155	モスフェット（金属酸化物）	50W （TC）		PG-TDSON-8-4	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	5,000	2 nチャンネル（デュアル）			60V	20a（tc）		15.5mohm @ 17a 、10V	4V @ 20µA	29NC @ 10V		2250pf @ 30V	-
FS03MR12A6MA1BBPSA1	2.0000	RFQ	5382	Infineon Technologies	HybridPack™	トレイ	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	モジュール	FS03MR12	炭化シリコン（原文）	20MW		Ag-Hybridd-2	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	6	6 N-Channel（3 フェーズブリッジ）			1200V（1.2kv）	400A （TJ）		3.7mohm @ 400a、15V	5.55V @ 240ma	1320NC @ 15V		42500PF @ 600V	-
SPI16N50C3HKSA1	-	RFQ	5671	Infineon Technologies	coolmos™	チューブ	廃止	-55°C〜150°C	穴を通して	To-262-3 Long Leads	SPI16N	モスフェット（金属酸化物）			PG-to262-3-1	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	500			nチャネル	560 v	16a（tc）	10V	280mohm @ 10a 、10v	3.9V @ 675µA	66 NC @ 10 V	±20V	1600 pf @ 25 v	-	160W
IRGB4710DPBF	-	RFQ	8565	Infineon Technologies	-	チューブ	廃止									ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	SP001549640	ear99	8541.29.0095	500
IPB260N06N3G	-	RFQ	9984	Infineon Technologies	Optimos™3	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3		モスフェット（金属酸化物）			PG-to263-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1			nチャネル	60 V	27a（tc）	10V	25.7mohm @ 27a 、10V	4V @ 11µA	15 NC @ 10 V	±20V	1200 PF @ 30 V	-	36W （TC）
IPC90R500C3X1SA1	-	RFQ	5625	Infineon Technologies	-	バルク	廃止				IPC90R					-		1 （無制限）	影響を受けていない	SP000469914	廃止	0000.00.0000	1					-
SPD30N08S2-22	-	RFQ	3504	Infineon Technologies	Optimos™	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3	SPD30N	モスフェット（金属酸化物）			PG-to252-3-11	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,500			nチャネル	75 v	30a（tc）	10V	21.5mohm @ 25a、10V	4V @ 80µA	57 NC @ 10 V	±20V	1950 PF @ 25 V	-	136W
SPB08P06P	-	RFQ	4945	Infineon Technologies	SIPMOS®	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3	SPB08P	モスフェット（金属酸化物）			PG-to263-3-2	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000			pチャネル	60 V	8.8a（ta）	10V	300mohm @ 6.2a 、10V	4V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±20V	420 PF @ 25 V	-	42W
2ED300C17STROHSBPSA1	188.1400	RFQ	9443	Infineon Technologies	EicedRiver™	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C	穴を通して	モジュール	2ED300			標準	モジュール	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8543.70.9860	12	2独立																				-	1700 v		-		いいえ
IRL3803	-	RFQ	3065	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3		モスフェット（金属酸化物）			TO-220AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	*IRL3803	ear99	8541.29.0095	50			nチャネル	30 V	140a（tc）	4.5V 、10V	6mohm @ 71a 、10V	1V @ 250µA	140 NC @ 4.5 v	±16V	5000 PF @ 25 V	-	200W （TC）
F3L75R07W2E3B11BOMA1	65.4400	RFQ	12	Infineon Technologies	Easypack™	トレイ	アクティブ	-40°C〜150°C	シャーシマウント	モジュール	F3L75R07		250 W	標準	モジュール	ダウンロード	ROHS3準拠	適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	15	三相インバーター																				トレンチフィールドストップ	650 V	95 a	1.9V @ 15V 、75a	1 Ma	はい	4.6 nf @ 25 v
IRLU024NPBF	1.0600	RFQ	8933	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	to-251-3	IRLU024	モスフェット（金属酸化物）			IPAK（TO-251AA）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	75			nチャネル	55 v	17a（tc）	4V 、10V	65mohm @ 10a 、10V	2V @ 250µA	15 NC @ 5 V	±16V	480 PF @ 25 V	-	45W
IRFR18N15DTRLP	-	RFQ	4771	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	廃止		表面マウント	to-252-3		モスフェット（金属酸化物）			d-pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	SP001572838	ear99	8541.29.0095	3,000			nチャネル	150 v	18a（tc）		125mohm @ 11a 、10V	5.5V @ 250µA	43 NC @ 10 V		900 pf @ 25 V	-
BSC020N03LSGATMA2	-	RFQ	3687	Infineon Technologies	*	テープ＆リール（ tr）	アクティブ				BSC020					ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	SP000959514		0000.00.0000	5,000
SP000681054	1.6300	RFQ	3	Infineon Technologies	*	バルク	アクティブ									ダウンロード		未定義のベンダー	影響を受けていない	2156-SP000681054-448			1
F3L11MR12W2M1B65BOMA1	-	RFQ	9105	Infineon Technologies	Easypack™	トレイ	廃止	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	モジュール	F3L11MR12		20 MW	標準	ag-easy2bm-2	ダウンロード			影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	15	3つのレベルインバーター																				溝	1200 v	100 a	2.1V @ 15V 、100A	40 µA	はい	7.36 nf @ 800 v
SPD30N03S2L-07 g	0.5200	RFQ	1	Infineon Technologies	coolmos™	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3		モスフェット（金属酸化物）			PG-to252-3-313	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1			nチャネル	30 V	30a（tc）	4.5V 、10V	6.7mohm @ 30a 、10V	2V @ 85µA	68 NC @ 10 V	±20V	2530 PF @ 25 V	-	136W
IPU64CN10N g	-	RFQ	3505	Infineon Technologies	Optimos™	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	穴を通して	to-251-3	IPU64C	モスフェット（金属酸化物）			PG-to251-3	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,500			nチャネル	100 V	17a（tc）	10V	64mohm @ 17a 、10V	4V @ 20µA	9 NC @ 10 V	±20V	569 PF @ 50 V	-	44W
bav70	0.0300	RFQ	125	Infineon Technologies	-	バルク	廃止		表面マウント	TO-236-3	bav70	標準			SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.10.0070	3,000		小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度												1ペア共通カソード	70 v	200mA	1.25 V @ 150 MA	6 ns	5 µA @ 70 V	150°C （最大）
BCR169WE6327	0.0200	RFQ	54	Infineon Technologies	aec-q101	バルク	アクティブ		表面マウント	SC-70、SOT-323	BCR169		250 MW		PG-SOT323-3-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.21.0075	3,000																						50 v	100 Ma		100na（icbo）			pnp-前バイアス	300MV @ 500µA 、10mA	120 @ 5MA 、5V	200 MHz	4.7 Kohms
IRFB7534PBF	2.5400	RFQ	9	Infineon Technologies	hexfet®、 strongirfet™	チューブ	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3	IRFB7534	モスフェット（金属酸化物）			TO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50			nチャネル	60 V	195a（tc）	6V 、10V	2.4mohm @ 100a 、10V	3.7V @ 250µA	279 NC @ 10 V	±20V	10034 PF @ 25 V	-	294W
IRF8721GTRPBF	-	RFQ	7428	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）		モスフェット（金属酸化物）			8-SO	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	4,000			nチャネル	30 V	14a（ta）	4.5V 、10V	8.5mohm @ 14a 、10V	2.35V @ 25µA	12 NC @ 4.5 v	±20V	1040 PF @ 15 V	-	2.5W
IPP80N06S3-05	-	RFQ	2417	Infineon Technologies	Optimos™	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3	IPP80N	モスフェット（金属酸化物）			PG-to220-3-1	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	500			nチャネル	55 v	80a（tc）	10V	5.4mohm @ 63a 、10v	4V @ 110µA	240 NC @ 10 V	±20V	10760 PF @ 25 V	-	165W
IPP70N04S406AKSA1	0.8623	RFQ	5504	Infineon Technologies	Optimos™	チューブ	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3	IPP70N04	モスフェット（金属酸化物）			PG-to220-3-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	500			nチャネル	40 v	70a	10V	6.5mohm @ 70a 、10V	4V @ 26µA	32 NC @ 10 V	±20V	2550 PF @ 25 V	-	58W （TC）
IRFB4410	-	RFQ	4585	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3		モスフェット（金属酸化物）			TO-220AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	*IRFB4410	ear99	8541.29.0095	50			nチャネル	100 V	96a（tc）	10V	10mohm @ 58a 、10V	4V @ 150µA	180 NC @ 10 V	±20V	5150 PF @ 50 V	-	250W

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²