画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | 頻度 | テクノロジー | パワー -マックス | 入力 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | フェットタイプ | 現在の評価( amp) | 電力 -出力 | 得 | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | ノイズ図 | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | IGBTタイプ | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | vce(on max) @ vge | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | NTCサーミスタ | 入力容量( cies @ vce | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IPW80R360P7XKSA1 | 3.7500 | ![]() | 7927 | 0.00000000 | Infineon Technologies | coolmos™p7 | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-247-3 | IPW80R360 | モスフェット(金属酸化物) | PG-to247-3-41 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 30 | nチャネル | 800 V | 13a(tc) | 10V | 360mohm @ 5.6a 、10V | 3.5V @ 280µA | 30 NC @ 10 V | ±20V | 930 pf @ 500 v | - | 84W | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFP4332PBF | 5.6400 | ![]() | 341 | 0.00000000 | Infineon Technologies | hexfet® | チューブ | アクティブ | -40°C〜175°C | 穴を通して | TO-247-3 | IRFP4332 | モスフェット(金属酸化物) | TO-247AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 25 | nチャネル | 250 v | 57a(tc) | 10V | 33mohm @ 35a 、10V | 5V @ 250µA | 150 NC @ 10 V | ±30V | 5860 PF @ 25 V | - | 360W | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPL60R065C7AUMA1 | 9.6200 | ![]() | 2394 | 0.00000000 | Infineon Technologies | coolmos™c7 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜150°C (TJ | 表面マウント | 4-PowertSfn | IPL60R065 | モスフェット(金属酸化物) | PG-VSON-4-1 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2a (4 週間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 600 V | 29a | 10V | 65mohm @ 15.9a 、10V | 4V @ 800µA | 68 NC @ 10 V | ±20V | 2850 PF @ 400 v | - | 180W | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PTFA220081MV4S500XUMA1 | - | ![]() | 9006 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | - | - | - | - | ダウンロード | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | SP000838882 | ear99 | 8541.29.0095 | 500 | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IDK08G120C5XTMA1 | 6.2300 | ![]() | 955 | 0.00000000 | Infineon Technologies | coolsic™+ | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | IDK08G120 | sic (炭化シリコン)ショットキー | PG-to263-2-1 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 回復時間なし> 500ma | 1200 v | 1.95 V @ 8 a | 40 µA @ 1200 v | -55°C〜175°C | 22.8a | 365pf @ 1V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFN38E6327 | 0.1200 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Infineon Technologies | aec-q101 | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-261-4、TO-261AA | 1.5 w | PG-SOT223-4 | ダウンロード | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 300 V | 200 ma | 100na(icbo) | 500MV @ 2MA 、20MA | 40 @ 10ma 、10V | 70MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB160N04S4H1ATMA1 | 3.5800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos™ | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | TO-263-7 | IPB160 | モスフェット(金属酸化物) | PG-to263-7-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | nチャネル | 40 v | 160a(tc) | 10V | 1.6mohm @ 100a 、10V | 4V @ 110µA | 137 NC @ 10 V | ±20V | 10920 PF @ 25 V | - | 167W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PTRA093302DC V1 R250 | - | ![]() | 9299 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | テープ&リール( tr) | 廃止 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0075 | 250 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB65R230CFD7AATMA1 | 3.7800 | ![]() | 9580 | 0.00000000 | Infineon Technologies | coolmos™ | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜150°C (TJ | 表面マウント | TO-263-3 | IPB65R | モスフェット(金属酸化物) | PG-to263-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | nチャネル | 650 V | 11a(tc) | 10V | 230MOHM @ 5.2A 、10V | 4.5V @ 260µA | 23 NC @ 10 V | ±20V | 1044 PF @ 400 v | - | 63W | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSC889N03LSGATMA1 | - | ![]() | 2749 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos™ | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-powertdfn | モスフェット(金属酸化物) | PG-TDSON-8-1 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | nチャネル | 30 V | 13a | 4.5V 、10V | 9mohm @ 30a 、10V | 2.2V @ 250µA | 16 NC @ 10 V | ±20V | 1300 PF @ 15 V | - | 2.5W | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPP260N06N3G | 0.3200 | ![]() | 3387 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos™3 | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-220-3 | モスフェット(金属酸化物) | PGから220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 276 | nチャネル | 60 V | 27a(tc) | 10V | 25.7mohm @ 27a 、10V | 4V @ 11µA | 15 NC @ 10 V | ±20V | 1200 PF @ 30 V | - | 36W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FZ1800R17HP4B9HOSA2 | 1.0000 | ![]() | 6841 | 0.00000000 | Infineon Technologies | IHM-B | トレイ | アクティブ | -40°C〜150°C | シャーシマウント | モジュール | FZ1800 | 11500 w | 標準 | モジュール | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | シングルスイッチ | 溝 | 1700 v | 1800 a | 2.25V @ 15V、1800a | 5 Ma | いいえ | 145 nf @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAT5405WH6327XTSA1 | 0.5000 | ![]() | 116 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | BAT5405 | ショットキー | PG-SOT323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 1ペア共通カソード | 30 V | 200MA (DC) | 800 mV @ 100 Ma | 5 ns | 2 µA @ 25 V | 150°C (最大) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | D740N42TXPSA1 | - | ![]() | 5913 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | 廃止 | シャーシマウント | do-200ab、b-puk | D740N42 | 標準 | - | ダウンロード | 適用できない | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 4200 v | 1.45 V @ 700 a | 70 mA @ 4200 v | -40°C〜160°C | 750A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IDH05G65C5XKSA2 | 1.8247 | ![]() | 5789 | 0.00000000 | Infineon Technologies | coolsic™+ | チューブ | 新しいデザインではありません | 穴を通して | TO-220-2 | IDH05G65 | sic (炭化シリコン)ショットキー | PG-to220-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | SP001632972 | ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 5 a | 0 ns | 90 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 5a | 160pf @ 1V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB80N06S3L-06 | - | ![]() | 9231 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos™ | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜175°C | 表面マウント | TO-263-3 | IPB80N | モスフェット(金属酸化物) | PG-to263-3-2 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | nチャネル | 55 v | 80a(tc) | 5V、10V | 5.6mohm @ 56a 、10V | 2.2V @ 80µA | 196 NC @ 10 V | ±16V | 9417 PF @ 25 V | - | 136W | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFH7185TRPBF | - | ![]() | 4201 | 0.00000000 | Infineon Technologies | fastirfet™、hexfet® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-powertdfn | IRFH7185 | モスフェット(金属酸化物) | 8-PQFN | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 4,000 | nチャネル | 100 V | 19a(ta) | 10V | 5.2mohm @ 50a 、10V | 3.6V @ 150µA | 54 NC @ 10 V | ±20V | 2320 pf @ 50 v | - | 3.6W (TA )、160W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSM100GB170DN2HOSA1 | - | ![]() | 3370 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | 150°C (TJ) | シャーシマウント | モジュール | BSM100 | 1000 w | 標準 | モジュール | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | SP000092012 | ear99 | 8541.29.0095 | 10 | ハーフブリッジ | - | 1700 v | 145 a | 3.9V @ 15V 、100A | 1 Ma | いいえ | 16 nf @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IDD04SG60CXTMA1 | - | ![]() | 3636 | 0.00000000 | Infineon Technologies | coolsic™+ | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | to-252-3 | IDD04SG60 | sic (炭化シリコン)ショットキー | PG-to252-3-11 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 回復時間なし> 500ma | 600 V | 2.3 V @ 4 a | 0 ns | 25 µA @ 600 V | -55°C〜175°C | 5.6a | 80pf @ 1V 、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPA60R380P6 | 0.9700 | ![]() | 313 | 0.00000000 | Infineon Technologies | coolmos™ | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3フルパック | モスフェット(金属酸化物) | PG-to220-3-111 | ダウンロード | 0000.00.0000 | 313 | nチャネル | 600 V | 10.6a(tc) | 10V | 380mohm @ 3.8a 、10V | 4.5V @ 320µA | 19 NC @ 10 V | ±20V | 877 PF @ 100 V | - | 31W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | auirfb3806 | - | ![]() | 6780 | 0.00000000 | Infineon Technologies | hexfet® | チューブ | 廃止 | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-220-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220AB | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | nチャネル | 60 V | 43a(tc) | 10V | 15.8mohm @ 25a 、10V | 4V @ 50µA | 30 NC @ 10 V | ±20V | 1150 PF @ 50 V | - | 71W | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSD314SPEH6327XTSA1 | 0.3800 | ![]() | 734 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos™ | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 6-VSSOP 、SC-88 、SOT-363 | BSD314 | モスフェット(金属酸化物) | PG-SOT363-6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | pチャネル | 30 V | 1.5a(ta) | 4.5V 、10V | 140mohm @ 1.5a 、10V | 2V @ 6.3µA | 2.9 NC @ 10 V | ±20V | 294 PF @ 15 V | - | 500MW | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF5800TR | - | ![]() | 4358 | 0.00000000 | Infineon Technologies | hexfet® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 | モスフェット(金属酸化物) | micro6™(tsop-6) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | pチャネル | 30 V | 4a(ta) | 4.5V 、10V | 85mohm @ 4a 、10V | 1V @ 250µA | 17 NC @ 10 V | ±20V | 535 PF @ 25 V | - | 2W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSS64E6327 | 0.0300 | ![]() | 114 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-236-3 | 330 MW | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 80 v | 800 Ma | 100na(icbo) | npn | 700MV @ 400µA 、4MA | 20 @ 4MA、1V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPD35N10S3L26ATMA1 | 1.6700 | ![]() | 19 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos™ | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | to-252-3 | IPD35N10 | モスフェット(金属酸化物) | PG-to252-3-11 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 100 V | 35a(tc) | 4.5V 、10V | 24mohm @ 35a 、10V | 2.4V @ 39µA | 39 NC @ 10 V | ±20V | 2700 PF @ 25 V | - | 71W | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7324 | - | ![]() | 7125 | 0.00000000 | Infineon Technologies | hexfet® | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | IRF732 | モスフェット(金属酸化物) | 2W | 8-SO | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | *IRF7324 | ear99 | 8541.29.0095 | 95 | 2 P-Channel (デュアル) | 20V | 9a | 18mohm @ 9a 、4.5v | 1V @ 250µA | 63NC @ 5V | 2940pf @ 15V | ロジックレベルゲート | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FF4MR12KM1HPSA1 | 499.8000 | ![]() | 3226 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | アクティブ | FF4MR12 | - | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 10 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS3005S-02LRHE6327 | 0.1300 | ![]() | 61 | 0.00000000 | Infineon Technologies | BAS | バルク | アクティブ | 表面マウント | SOD-882 | ショットキー | PG-TSLP-2-17 | ダウンロード | 適用できない | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 高速回復= <500ns | 30 V | 500 mV @ 500 Ma | 300 µA @ 30 V | 150°C | 500mA | 15pf @ 5V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBT3906SE6327 | 0.0300 | ![]() | 51 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 6-VSSOP 、SC-88 、SOT-363 | SMBT3906 | 330W | SOT-363 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 40V | 200mA | 50na(icbo) | 2 PNP ダーリントン(デュアル) | 400mv @ 5ma 、50ma | 100 @ 10ma、1V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DD104N18KHPSA2 | 124.7907 | ![]() | 4231 | 0.00000000 | Infineon Technologies | DD104N | トレイ | アクティブ | シャーシマウント | モジュール | 標準 | モジュール | - | ROHS3準拠 | 448-DD104N18KHPSA2 | ear99 | 8541.30.0080 | 15 | 標準回復> 500ns | 1ペアシリーズ接続 | 1800 v | 104a | 1.4 V @ 300 a | 20 mA @ 1.8 kV | 150°C |
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