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離散半導体製品（16626）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	入力タイプ	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	フェットタイプ	テスト条件	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターパルス（ icm）	vce（on max） @ vge	エネルギーの切り替え	ゲートチャージ	TD （オン/オフ） @ 25°C	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	入力容量（ cies @ vce	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移
BSM100GB170DN2HOSA1	-	RFQ	3370	Infineon Technologies	-	トレイ	廃止	150°C （TJ）	シャーシマウント	モジュール	BSM100			1000 w	標準	モジュール	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	SP000092012	ear99	8541.29.0095	10	ハーフブリッジ																							-	1700 v	145 a		3.9V @ 15V 、100A				1 Ma	いいえ	16 nf @ 25 v
IDD04SG60CXTMA1	-	RFQ	3636	Infineon Technologies	coolsic™+	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました		表面マウント	to-252-3	IDD04SG60		sic （炭化シリコン）ショットキー			PG-to252-3-11	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2,500		回復時間なし> 500ma														600 V		2.3 V @ 4 a	0 ns	25 µA @ 600 V	-55°C〜175°C	5.6a	80pf @ 1V 、1MHz
IPA60R380P6	0.9700	RFQ	313	Infineon Technologies	coolmos™	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3フルパック			モスフェット（金属酸化物）			PG-to220-3-111	ダウンロード						0000.00.0000	313			nチャネル		600 V	10.6a（tc）	10V	380mohm @ 3.8a 、10V	4.5V @ 320µA	19 NC @ 10 V	±20V	877 PF @ 100 V	-	31W （TC）
auirfb3806	-	RFQ	6780	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3			モスフェット（金属酸化物）			TO-220AB	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000			nチャネル		60 V	43a（tc）	10V	15.8mohm @ 25a 、10V	4V @ 50µA	30 NC @ 10 V	±20V	1150 PF @ 50 V	-	71W
BSD314SPEH6327XTSA1	0.3800	RFQ	734	Infineon Technologies	Optimos™	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	6-VSSOP 、SC-88 、SOT-363	BSD314		モスフェット（金属酸化物）			PG-SOT363-6	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	3,000			pチャネル		30 V	1.5a（ta）	4.5V 、10V	140mohm @ 1.5a 、10V	2V @ 6.3µA	2.9 NC @ 10 V	±20V	294 PF @ 15 V	-	500MW
IRF5800TR	-	RFQ	4358	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	SOT-23-6薄い、TSOT-23-6			モスフェット（金属酸化物）			micro6™（tsop-6）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	3,000			pチャネル		30 V	4a（ta）	4.5V 、10V	85mohm @ 4a 、10V	1V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	535 PF @ 25 V	-	2W （TA）
BSS64E6327	0.0300	RFQ	114	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ	150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3				330 MW		SOT-23	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	3,000																									80 v	800 Ma						100na（icbo）			npn	700MV @ 400µA 、4MA	20 @ 4MA、1V	100MHz
IPD35N10S3L26ATMA1	1.6700	RFQ	19	Infineon Technologies	Optimos™	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3	IPD35N10		モスフェット（金属酸化物）			PG-to252-3-11	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,500			nチャネル		100 V	35a（tc）	4.5V 、10V	24mohm @ 35a 、10V	2.4V @ 39µA	39 NC @ 10 V	±20V	2700 PF @ 25 V	-	71W
IRF7324	-	RFQ	7125	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）	IRF732		モスフェット（金属酸化物）	2W		8-SO	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	*IRF7324	ear99	8541.29.0095	95	2 P-Channel （デュアル）				20V	9a		18mohm @ 9a 、4.5v	1V @ 250µA	63NC @ 5V		2940pf @ 15V	ロジックレベルゲート
FF4MR12KM1HPSA1	499.8000	RFQ	3226	Infineon Technologies	-	トレイ	アクティブ				FF4MR12		-				-	ROHS3準拠		影響を受けていない				10													-
BAS3005S-02LRHE6327	0.1300	RFQ	61	Infineon Technologies	BAS	バルク	アクティブ		表面マウント	SOD-882			ショットキー			PG-TSLP-2-17	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	1		高速回復= <500ns														30 V		500 mV @ 500 Ma		300 µA @ 30 V	150°C	500mA	15pf @ 5V、1MHz
SMBT3906SE6327	0.0300	RFQ	51	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ	150°C （TJ）	表面マウント	6-VSSOP 、SC-88 、SOT-363	SMBT3906			330W		SOT-363	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.21.0075	3,000																									40V	200mA						50na（icbo）			2 PNP ダーリントン（デュアル）	400mv @ 5ma 、50ma	100 @ 10ma、1V	250MHz
DD104N18KHPSA2	124.7907	RFQ	4231	Infineon Technologies	DD104N	トレイ	アクティブ		シャーシマウント	モジュール			標準			モジュール	-	ROHS3準拠			448-DD104N18KHPSA2	ear99	8541.30.0080	15		標準回復> 500ns													1ペアシリーズ接続	1800 v	104a	1.4 V @ 300 a		20 mA @ 1.8 kV	150°C
IRLU3303	-	RFQ	6028	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	穴を通して	to-251-3			モスフェット（金属酸化物）			i-pak	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	*IRLU3303	ear99	8541.29.0095	75			nチャネル		30 V	35a（tc）	4.5V 、10V	31mohm @ 21a 、10V	1V @ 250µA	26 NC @ 4.5 v	±16V	870 PF @ 25 V	-	68W （TC）
SIDC03D60F6X7SA1	-	RFQ	6036	Infineon Technologies	-	バルク	廃止		表面マウント	死ぬ	SIDC03		標準			死ぬ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns														600 V		1.6 V @ 6 a		27 µA @ 600 v	-40°C〜175°C	6a	-
IPS105N03LGAKMA1	-	RFQ	5374	Infineon Technologies	Optimos™	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-251-3 スタブリード、IPAK			モスフェット（金属酸化物）			PG-to251-3-11	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,500			nチャネル		30 V	35a（tc）	4.5V 、10V	10.5mohm @ 30a 、10V	2.2V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	1500 PF @ 15 V	-	38W
BSC040N08NS5ATMA1	2.2400	RFQ	6708	Infineon Technologies	Optimos™	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	8-powertdfn	BSC040		モスフェット（金属酸化物）			PG-TDSON-8-7	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	5,000			nチャネル		80 v	100a（tc）	6V 、10V	4mohm @ 50a 、10V	3.8V @ 67µA	54 NC @ 10 V	±20V	3900 PF @ 40 V	-	2.5W
FD1000R33HE3KB60BPSA1	2.0000	RFQ	2095	Infineon Technologies	IHM-B	トレイ	廃止	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	モジュール	FD1000			1600000 w	標準	Ag-IHVB190-3	-	ROHS3準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	デュアルブレーキチョッパー																							トレンチフィールドストップ	3300 v	1000 a		3.15V @ 15V、1ka				5 Ma	いいえ	190 nf @ 25 v
IRLML0100TRPBF	0.4900	RFQ	117	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	IRLML0100		モスフェット（金属酸化物）			Micro3™/SOT-23	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	3,000			nチャネル		100 V	1.6a（ta）	4.5V 、10V	220mohm @ 1.6a 、10V	2.5V @ 25µA	2.5 NC @ 4.5 v	±16V	290 PF @ 25 V	-	1.3W
SPW47N65C3FKSA1	14.3118	RFQ	5925	Infineon Technologies	coolmos™	チューブ	新しいデザインではありません	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-247-3	SPW47N65		モスフェット（金属酸化物）			PG-to247-3-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	240			nチャネル		650 V	47a（tc）	10V	70mohm @ 30a 、10V	3.9V @ 2.7MA	255 NC @ 10 V	±20V	7000 pf @ 25 v	-	415W
BCW68GE6327	-	RFQ	4588	Infineon Technologies	aec-q101	バルク	アクティブ	150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3				330 MW		PG-SOT23-3-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	1																									45 v	800 Ma						20na（icbo）				700mv @ 50ma 、500ma	160 @ 100MA、1V	200MHz
IRLS4030TRL7PP	5.3600	RFQ	478	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-7	IRLS4030		モスフェット（金属酸化物）			d2pak（7 リード）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	800			nチャネル		100 V	190a	4.5V 、10V	3.9mohm @ 110a 、10V	2.5V @ 250µA	140 NC @ 4.5 v	±16V	11490 PF @ 50 V	-	370W （TC）
spp16n50c3	-	RFQ	4647	Infineon Technologies	coolmos™	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3			モスフェット（金属酸化物）			PG-to220-3-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1			nチャネル		500 V	16a（tc）	10V	280mohm @ 10a 、10v	3.9V @ 675µA	66 NC @ 10 V	±20V	1600 pf @ 25 v	-	160W
DZ540N26KHPSA1	315.6667	RFQ	3889	Infineon Technologies	-	トレイ	アクティブ		シャーシマウント	モジュール	DZ540N26		標準			モジュール	ダウンロード	ROHS3準拠	適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3		標準回復> 500ns														2600 v		1.64 V @ 2200 a		40 mA @ 2600 v	-40°C〜150°C	732a	-
SGD02N120BUMA1	1.0075	RFQ	3345	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	前回購入します	-55°C〜150°C	表面マウント	to-252-3	SGD02N	標準		62 w		PG-to252-3-11	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,500				800V 、2A 、91OHM、15V																				npt	1200 v	6.2 a	9.6 a	3.6V @ 15V 、2a	220µj	11 NC	23ns/260ns
DZ540N26KS01HPSA1	-	RFQ	1112	Infineon Technologies	-	バルク	廃止		シャーシマウント	モジュール	DZ540N26		標準			BG-PB501-1	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3		標準回復> 500ns														2600 v		1.64 V @ 2200 a		40 mA @ 2600 v	150°C	732a	-
D3001N58TXPSA1	-	RFQ	2537	Infineon Technologies	-	バルク	廃止		シャーシマウント	DO-200AE	D3001N58		標準			-	ダウンロード		適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns														5800 v		1.7 V @ 4000 a		100 mA @ 5800 v	-40°C〜160°C	3910a	-
IPT013N08NM5LFATMA1	6.9700	RFQ	2962	Infineon Technologies	Optimos™	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	8-POWERSFN	IPT013N		モスフェット（金属酸化物）			PG-HSOF-8	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,000			nチャネル		80 v	333a（tc）	10V	1.3mohm @ 150a 、10V	4.1V @ 250µA	158 NC @ 10 V	±20V	820 pf @ 40 v	-	278W （TC）
BSM300GB120DLCHOSA1	317.6450	RFQ	6464	Infineon Technologies	-	トレイ	前回購入します	-40°C〜125°C	シャーシマウント	モジュール	BSM300			2500 W	標準	モジュール	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	10	ハーフブリッジ																							-	1200 v	625 a		2.6V @ 15V 、300A				5 Ma	いいえ	21 nf @ 25 v
IRF7752GTRPBF	-	RFQ	2665	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm）	IRF775		モスフェット（金属酸化物）	1W		8-tssop	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	4,000	2 nチャンネル（デュアル）				30V	4.6a		30mohm @ 4.6a 、10V	2V @ 250µA	9NC @ 4.5V		861pf @ 25V	ロジックレベルゲート

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²