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離散半導体製品（16626）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	電圧 -定格	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	頻度	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	フェットタイプ	現在の評価（ amp）	現在-hold（ihmax）	現在 -テスト	電力 -出力	得	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	電圧 -状態外	現在 -state（it （rms	現在 -非担当者サージ50、60Hz	電圧 -状態（ vtm ）（最大）	現在 -State	scrタイプ	ノイズ図	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	vce（on max） @ vge	電圧 -テスト	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移	抵抗 -ベース（r1）	抵抗 -エミッターベース（r2）
IDT16S60CHKSA1	-	RFQ	4603	Infineon Technologies	-	チューブ	廃止					IDT16S60						ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		廃止	0000.00.0000	500
IPI09N03LA	-	RFQ	1646	Infineon Technologies	Optimos™	チューブ	廃止		-55°C〜175°C	穴を通して	To-262-3 Long Leads	IPI09N		モスフェット（金属酸化物）			PG-to262-3	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	500			nチャネル						25 v	50a（tc）	4.5V 、10V	9.2mohm @ 30a 、10V	2V @ 20µA	13 NC @ 5 V	±20V	1642 PF @ 15 V	-	63W
BSO211ph	0.3300	RFQ	2	Infineon Technologies	Optimos™p	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	532-bfbga fcbga	BSO211		モスフェット（金属酸化物）	1.6W		532-FCBGA （23x23	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	2,500	2 P-Channel （デュアル）								20V	4a（ta）		67mohm @ 4.6a 、4.5V	1.2V @ 25µA	10NC @ 4.5V		1095pf @ 15V	ロジックレベルゲート、2.5Vドライブ
T3841N18TOFVTXPSA1	907.9100	RFQ	4510	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ											-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.30.0080	2
IDW20G65C5XKSA1	9.0900	RFQ	162	Infineon Technologies	coolsic™+	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-247-3	IDW20G65		sic （炭化シリコン）ショットキー			PG-to247-3-41	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	30		回復時間なし> 500ma																								650 V	1.7 V @ 20 a	0 ns	210 µA @ 650 v	-55°C〜175°C	20a	590pf @ 1V、1MHz
IPW90R120C3XKSA1	17.0000	RFQ	7385	Infineon Technologies	coolmos™	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-247-3	IPW90R120		モスフェット（金属酸化物）			PG-to247-3-21	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	30			nチャネル						900 V	36a（tc）	10V	120mohm @ 26a 、10V	3.5V @ 2.9ma	270 NC @ 10 V	±20V	6800 PF @ 100 V	-	417W
IPI80N04S3-06	0.4500	RFQ	1	Infineon Technologies	*	バルク	廃止											ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1
BSZ340N08NS3GATMA1	0.8200	RFQ	52	Infineon Technologies	Optimos™	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	8-powertdfn	BSZ340		モスフェット（金属酸化物）			PG-TSDSON-8	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	5,000			nチャネル						80 v	6a（タタ23a（tc）	6V 、10V	34mohm @ 12a 、10V	3.5V @ 12µA	9.1 NC @ 10 V	±20V	630 PF @ 40 V	-	2.1W
TMOSP12034	1.1600	RFQ	6	Infineon Technologies	*	バルク	アクティブ											ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8542.39.0001	1
BFN19E6327HTSA1	-	RFQ	2049	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ		150°C （TJ）	表面マウント	TO-243AA				1 W		PG-SOT89	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0075	1,000																																		300 V	200 ma			100na（icbo）		PNP	500MV @ 2MA 、20MA	40 @ 10ma 、10V	100MHz
IRF7490TRPBF	1.3000	RFQ	13	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）	IRF7490		モスフェット（金属酸化物）			8-SO	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	4,000			nチャネル						100 V	5.4a（ta）	10V	39mohm @ 3.2a 、10V	4V @ 250µA	56 NC @ 10 V	±20V	1720 pf @ 25 v	-	2.5W
auirfr2307z	-	RFQ	2322	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止		-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3			モスフェット（金属酸化物）			d-pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	SP001522814	ear99	8541.29.0095	3,000			nチャネル						75 v	42a	10V	16mohm @ 32a 、10V	4V @ 100µA	75 NC @ 10 V	±20V	2190 PF @ 25 V	-	110W
T1503NH80TOHXOSA1	7.0000	RFQ	3757	Infineon Technologies	-	トレイ	アクティブ		120°C （TJ）	シャーシマウント	TO-200AF	T1503NH80					BG-T15040L-1	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない		ear99	8541.30.0080	1					100 Ma														8 kV	2770 a	57000A @ 50Hz	3 v	2560 a	標準回復
IDC51D120T6MX1SA3	-	RFQ	7807	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ			表面マウント	死ぬ	IDC51D120		標準			ホイル上の鋸	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	SP000375000	ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns																								1200 v	2.05 V @ 100 a		18 µa @ 1200 v	-40°C〜175°C	100a	-
IPB60R210CFD7ATMA1	2.0566	RFQ	2440	Infineon Technologies	coolmos™cfd7	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	TO-263-3	IPB60R210		モスフェット（金属酸化物）			PG-to263-3-2	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000			nチャネル						600 V	12a（tc）	10V	210mohm @ 4.9a 、10V	4.5V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±20V	1015 PF @ 400 v	-	64W
IRF3709ZCLPBF	-	RFQ	3522	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止		-55°C〜175°C	穴を通して	To-262-3 Long Leads			モスフェット（金属酸化物）			TO-262	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	*IRF3709ZCLPBF	ear99	8541.29.0095	50			nチャネル						30 V	87a（tc）	4.5V 、10V	6.3mohm @ 21a 、10V	2.25V @ 250µA	26 NC @ 4.5 v	±20V	2130 PF @ 15 V	-	79W
2PS12017E34W32132NOSA1	-	RFQ	9621	Infineon Technologies	-	トレイ	廃止		-25°C〜55°C	シャーシマウント	モジュール	2PS12017				標準	モジュール	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8543.70.9860	1	三相インバーター																																-			-			いいえ
BSO110N03MSGXUMA1	0.4009	RFQ	2	Infineon Technologies	Optimos™	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）	BSO110		モスフェット（金属酸化物）			PG-DSO-8	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,500			nチャネル						30 V	10a（ta）	4.5V 、10V	11mohm @ 12.1a 、10v	2V @ 250µA	20 NC @ 10 V	±20V	1500 PF @ 15 V	-	1.56W
IPD90P04PL04ATMA2	3.2600	RFQ	3044	Infineon Technologies	Optimos®-P2	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3	IPD90		モスフェット（金属酸化物）			PG-to252-3-313	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,500			pチャネル						40 v	90a	4.5V 、10V	4.3mohm @ 90a 、10V	2.2V @ 250µA	176 NC @ 10 V	+5V、 -16V	11570 PF @ 25 V	-	125W
SIDC14D60E6X7SA1	-	RFQ	4551	Infineon Technologies	-	バルク	廃止			表面マウント	死ぬ	SIDC14D60		標準			死ぬ	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns																								600 V	1.25 V @ 30 a		27 µA @ 600 v	-55°C〜150°C	30a	-
IPA60R145CFD7XKSA1	4.2900	RFQ	9440	Infineon Technologies	-	チューブ	アクティブ		-	-	-	IPA60R		-			-	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	500			-							9a（tc）	-	-	-		-		-	-
BF 5030R E6327	-	RFQ	3326	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	8 v		表面マウント	SOT-143R	BF 5030	800MHz	モスフェット			PG-SOT-143R-3D	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	3,000	nチャネル			25ma		10 Ma	-	24dB																	1.3db												3 v
DF450R17N2E4PB11BPSA1	197.5220	RFQ	2017年	Infineon Technologies	-	トレイ	前回購入します		-	-	-	DF450				-	-	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない			0000.00.0000	10	-																																-			-
IRFR3711ZCTRPBF	-	RFQ	3435	Infineon Technologies	-	カットテープ（CT）	廃止			表面マウント	to-252-3			モスフェット（金属酸化物）			d-pak	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,000			nチャネル						20 v	93a（tc）		5.7mohm @ 15a 、10V	2.45V @ 250µA	27 NC @ 4.5 v		2160 PF @ 10 V	-
IPW60R040CFD7XKSA1	11.9000	RFQ	143	Infineon Technologies	Optimos™	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-247-3	IPW60R040		モスフェット（金属酸化物）			PG-to247-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	30			nチャネル						600 V	50a（tc）	10V	40mohm @ 24.9a 、10V	4.5V @ 1.25MA	109 NC @ 10 V	±20V	4354 PF @ 400 v	-	227W
IPP082N10NF2SAKMA1	1.7200	RFQ	133	Infineon Technologies	Strongirfet™2	チューブ	アクティブ		-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3	IPP082N		モスフェット（金属酸化物）			PGから220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50			nチャネル						100 V	15a（タタ）、 77a（tc）	6V 、10V	8.2mohm @ 50a 、10V	3.8V @ 46µA	42 NC @ 10 V	±20V	2000 PF @ 50 V	-	3.8w
auirfs8409trl	6.5000	RFQ	490	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3	auirf8409		モスフェット（金属酸化物）			PG-to263-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	800			nチャネル						40 v	195a（tc）	10V	1.2mohm @ 100a 、10V	3.9V @ 250µA	450 NC @ 10 V	±20V	14240 PF @ 25 V	-	375W
BCR191WH6327XTSA1	0.0553	RFQ	6577	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	前回購入します			表面マウント	SC-70、SOT-323	BCR191			250 MW		PG-SOT323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	3,000																																		50 v	100 Ma			100na（icbo）		pnp-前バイアス	300MV @ 500µA 、10mA	50 @ 5MA 、5V	200 MHz	22 Kohms	22 Kohms
D1381S45TXPSA1	3.0000	RFQ	7651	Infineon Technologies	-	トレイ	アクティブ			シャーシマウント	do-200ad	D1381S45		標準			-	ダウンロード	ROHS3準拠	適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2		標準回復> 500ns																								4500 v	2.6 V @ 2500 a		100 mA @ 4500 v	-40°C〜140°C	1630a	-
BFN24E6327	0.0800	RFQ	5	Infineon Technologies	aec-q101	バルク	アクティブ		150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3				360 MW		PG-SOT23-3-1	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	5,470																																		250 v	200 ma			100na（icbo）			400mv @ 2ma 、20ma	40 @ 30ma 、10V	70MHz

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²