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離散半導体製品（16626）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	電圧 -定格	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	入力タイプ	頻度	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	フェットタイプ	現在の評価（ amp）	現在 -マックス	テスト条件	現在 -テスト	電力 -出力	得	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	ノイズ図	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターパルス（ icm）	vce（on max） @ vge	エネルギーの切り替え	ゲートチャージ	TD （オン/オフ） @ 25°C	電圧 -テスト	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	入力容量（ cies @ vce	@ @ if、f
IPW65R190C7	-	RFQ	9446	Infineon Technologies	coolmos™	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-247-3				モスフェット（金属酸化物）			PG-to247-3	ダウンロード						0000.00.0000	1			nチャネル							650 V	13a（tc）	10V	190mohm @ 5.7a 、10V	4V @ 290µA	23 NC @ 10 V	±20V	1150 pf @ 400 v	-	72W
TT590N18KOFXPSA1	285.2100	RFQ	2	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ					TT590							-		1 （無制限）			ear99	8541.30.0080	2
IRGS4056DPBF	-	RFQ	6890	Infineon Technologies	-	チューブ	廃止		-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3		標準			140 w		d2pak	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50						400V 、12A 、22OHM 、15V																			68 ns					溝	600 V	24 a	48 a	1.85V @ 15V 、12a	75µj（オン225µj（オフ）	25 NC	31ns/83ns
6PS18012E4FG38393NWSA1	18.0000	RFQ	6371	Infineon Technologies	Primestack™	トレイ	新しいデザインではありません		150°C （TJ）	シャーシマウント	モジュール	6PS18012					標準	モジュール	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8543.70.9860	1	三相インバーター																													トレンチフィールドストップ	1200 v			-								はい
IPI80N06S3-07	-	RFQ	7265	Infineon Technologies	Optimos™	チューブ	廃止		-55°C〜175°C	穴を通して	To-262-3 Long Leads	IPI80N			モスフェット（金属酸化物）			PG-to262-3	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	500			nチャネル							55 v	80a（tc）	10V	6.8mohm @ 51a 、10V	4V @ 80µA	170 NC @ 10 V	±20V	7768 PF @ 25 V	-	135W
SPD08N50C3ATMA1	2.2800	RFQ	6	Infineon Technologies	coolmos™	テープ＆リール（ tr）	新しいデザインではありません		-55°C〜150°C	表面マウント	to-252-3	SPD08N50			モスフェット（金属酸化物）			PG-to252-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,500			nチャネル							500 V	7.6a	10V	600mohm @ 4.6a 、10V	3.9V @ 350µA	32 NC @ 10 V	±20V	750 PF @ 25 V	-	83W
IAUA200N04S5N010ATMA1	-	RFQ	5669	Infineon Technologies	Optimos™-5	テープ＆リール（ tr）	廃止		-55°C〜175°C	表面マウント	5-POWERSFN				モスフェット（金属酸化物）			PG-HSOF-5-1	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	448-IAUA200N04S5N010ATMA1TR	ear99	8541.29.0095	2,000			nチャネル							40 v	200a（tc）	7V 、10V	1mohm @ 100a 、10V	3.4V @ 100µA	132 NC @ 10 V	±20V	7650 PF @ 25 V	-	167W （TC）
IRF6717MTR1PBF	-	RFQ	7820	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	廃止		-40°C〜150°C （TJ	表面マウント	directfet™mx				モスフェット（金属酸化物）			DirectFet™MX	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000			nチャネル							25 v	38a（タタ200a	4.5V 、10V	1.25mohm @ 38a 、10V	2.35V @ 150µA	69 NC @ 4.5 v	±20V	6750 PF @ 13 V	-	2.8W
64-2155pbf	-	RFQ	9780	Infineon Technologies	*	チューブ	アクティブ					64-2155							ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	SP001550640	ear99	8541.29.0095	50
D371S45TXPSA1	-	RFQ	5675	Infineon Technologies	-	バルク	廃止			クランプオン	do-200ab、b-puk	D371S45			標準			-	ダウンロード		適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns																				4500 v		3.9 V @ 1200 a		100 mA @ 4500 v	-40°C〜125°C	510A	-
IFS100B12N3E4B31BDLA1	1.0000	RFQ	5368	Infineon Technologies	*	バルク	アクティブ												-	適用できない	3 （168 時間）	未定義のベンダー		ear99	8542.39.0001	1
BSC005N03LS5IATMA1	2.8300	RFQ	313	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜175°C	表面マウント	8-powertdfn				モスフェット（金属酸化物）			PG-TDSON-8 FL	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	5,000			nチャネル							30 V	42a（タタ）、433a（tc）	4.5V 、10V	0.55mohm @ 50a、10V	2V @ 10MA	128 NC @ 10 V	±20V	8000 pf @ 15 V	-	3W （TA ）、 188W （TC）
FS35R12KT3BPSA1	101.2600	RFQ	13	Infineon Technologies	Econopack™2	トレイ	アクティブ		-40°C〜125°C	シャーシマウント	モジュール	FS35R12				210 W	標準	ag-econo2b	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	15	フルブリッジインバーター																													トレンチフィールドストップ	1200 v	55 a		2.15V @ 15V 、35a							5 Ma	はい	2.5 nf @ 25 v
BAS40	0.0700	RFQ	10	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ			表面マウント	TO-236-3	BAS40			ショットキー			SOT23-3	ダウンロード					ear99	8541.10.0070	1		小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度																				40 v		1 V @ 40 mA	5 ns	200 Na @ 30 V	-50°C〜150°C	200mA	5PF @ 0V、1MHz
IPI45P03PL11AKSA1	-	RFQ	1272	Infineon Technologies	Optimos™	チューブ	廃止		-55°C〜175°C	穴を通して	To-262-3 Long Leads	IPI45p			モスフェット（金属酸化物）			PG-to262-3	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	500			pチャネル							30 V	45a（tc）	4.5V 、10V	11.1mohm @ 45a 、10V	2V @ 85µA	55 NC @ 10 V	+5V、 -16V	3770 PF @ 25 V	-	58W （TC）
SIGC10T60EX1SA5	-	RFQ	9848	Infineon Technologies	TrenchStop™	バルク	アクティブ		-40°C〜175°C	表面マウント	死ぬ	SIGC10	標準					死ぬ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない			0000.00.0000	1						-																								トレンチフィールドストップ	600 V	20 a	60 a	1.9V @ 15V 、20a	-		-
FF3MR20KM1HPHPSA1	1.0000	RFQ	3045	Infineon Technologies	-	トレイ	アクティブ		-	シャーシマウント	モジュール						標準	AG-62mmhb	-	ROHS3準拠						8	ハーフブリッジ																													トレンチフィールドストップ	2 kV			-								いいえ
IPI80N08S207AKSA1	-	RFQ	8166	Infineon Technologies	Optimos™	チューブ	廃止		-55°C〜175°C	穴を通して	To-262-3 Long Leads	IPI80N			モスフェット（金属酸化物）			PG-to262-3-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	500			nチャネル							75 v	80a（tc）	10V	7.4mohm @ 80a 、10V	4V @ 250µA	180 NC @ 10 V	±20V	4700 PF @ 25 V	-	300W （TC）
BAR6402VH6327XTSA1	0.3900	RFQ	40	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		150°C （TJ）		SC-79、SOD-523	bar6402						PG-SC79-2	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	3,000					100 Ma														250 MW										0.35pf @ 20V、1MHz										ピン -シングル	150V				1.35OHM @ 100MA 、100MHz
bav199e6359	-	RFQ	7975	Infineon Technologies	aec-q101	バルク	アクティブ			表面マウント	TO-236-3	bav199			標準			PG-SOT23-3-1	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー				10,000		小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度																			1ペアシリーズ接続	80 v	200MA （DC）	1.25 V @ 150 MA	1.5 µs	5 Na @ 75 V	150°C
ICA32V04X1SA1	-	RFQ	9634	Infineon Technologies	*	バルク	廃止												ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	SP000949952	廃止	0000.00.0000	1
IPB03N03LA	-	RFQ	4048	Infineon Technologies	Optimos™	テープ＆リール（ tr）	廃止		-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3	IPB03N			モスフェット（金属酸化物）			PG-to263-3-2	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000			nチャネル							25 v	80a（tc）	4.5V 、10V	2.7mohm @ 55a 、10V	2V @ 100µA	57 NC @ 5 V	±20V	7027 PF @ 15 V	-	150W
SPP06N60C3HKSA1	-	RFQ	2166	Infineon Technologies	coolmos™	チューブ	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3	spp06n			モスフェット（金属酸化物）			PG-to220-3-1	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	500			nチャネル							650 V	6.2a（tc）	10V	750mohm @ 3.9a 、10V	3.9V @ 260µA	31 NC @ 10 V	±20V	620 PF @ 25 V	-	74W
BSM100GB120DN2B2HOSA1	87.1300	RFQ	17	Infineon Technologies	*	バルク	アクティブ					BSM100							ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.29.0095	1
PTFA181001HL V1 R250	-	RFQ	3319	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました	65 v		表面マウント	2 フラットパック、フィンのリード、フランジ	PTFA181001		1.88GHz	ldmos			PG-64248-2	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	250				1µA			750 Ma	100W	16.5dB											-																		28 v
AIKB50N65DH5ATMA1	6.3600	RFQ	1	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-	表面マウント	TO-263-3	AIKB50	標準					PG-to263-3-2	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000						-																								npt	650 V	50 a		-	-		-
FP25R12N2T7BPSA1	79.9593	RFQ	8525	Infineon Technologies	-	トレイ	アクティブ					FP25R12							-	ROHS3準拠						15
IRGIB7B60KDPBF	-	RFQ	1483	Infineon Technologies	-	チューブ	廃止		-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3フルパック	IRGIB7	標準			39 W		TO-220AB FULL-PAK	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50						400V 、8A 、50OHM、15V																			95 ns					npt	600 V	12 a	24 a	2.2V @ 15V 、8a	160µj（オン）、160µj（オフ）	29 NC	23ns/140ns
D770N12TXPSA1	-	RFQ	7412	Infineon Technologies	-	バルク	廃止			シャーシマウント	do-200aa、a-puk	D770N			標準			-	ダウンロード		適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns																				1200 v		1.08 V @ 400 a		30 mA @ 1200 v	-40°C〜180°C	770a	-
auirfr5410	-	RFQ	3591	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止		-55°C〜150°C	表面マウント	to-252-3				モスフェット（金属酸化物）			d-pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	3,000			pチャネル							100 V	13a（tc）	10V	205mohm @ 7.8a 、10V	4V @ 250µA	58 NC @ 10 V	±20V	760 PF @ 25 V	-	66W

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²