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離散半導体製品（16626）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	電圧 -定格	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	頻度	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	フェットタイプ	現在の評価（ amp）	現在 -テスト	電力 -出力	得	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	ノイズ図	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	vce（on max） @ vge	電圧 -テスト	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	入力容量（ cies @ vce	トランジスタタイプ	DC電流ゲイン	頻度 -遷移	ノイズフィギュア（DBタイプ @ f）
D255N06BXPSA1	-	RFQ	5683	Infineon Technologies	-	バルク	廃止			スタッドマウント	DO-205AA	D255N		標準			-	ダウンロード		適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns																	600 V			20 mA @ 600 v	-40°C〜180°C	255a	-
BC80825E6433	0.0200	RFQ	151	Infineon Technologies	*	バルク	アクティブ											ダウンロード		未定義のベンダー	影響を受けていない	2156-BC80825E6433-448			1
IRF7831PBF	-	RFQ	1673	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	sicで中止されました		-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）			モスフェット（金属酸化物）			8-SO	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	SP001551568	ear99	8541.29.0095	95			nチャネル					30 V	21a（ta）	4.5V 、10V	3.6mohm @ 20a 、10v	2.35V @ 250µA	60 NC @ 4.5 v	±12V	6240 PF @ 15 V	-	2.5W
auirfr4615	-	RFQ	5676	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止		-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3	auirfr4615		モスフェット（金属酸化物）			d-pak（to-252aa）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	3,000			nチャネル					150 v	33a	10V	42mohm @ 21a 、10v	5V @ 100µA	26 NC @ 10 V	±20V	1750 PF @ 50 V	-	144W
FS20R06W1E3BOMA1	38.0000	RFQ	24	Infineon Technologies	Easypack™	トレイ	アクティブ		-40°C〜150°C	シャーシマウント	モジュール	FS20R06			135 W	標準	モジュール	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	24	三相インバーター																									トレンチフィールドストップ	600 V	35 a	2V @ 15V、 20a		1 Ma	はい	1.1 nf @ 25 v
BFP640FESDH6327XTSA1	0.7200	RFQ	9874	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		150°C （TJ）	表面マウント	4-SMD 、フラットリード	BFP640			200mw		4-TSFP	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	3,000							8b〜30.5db																				4.7V	50ma						npn	110 @ 30ma、3V	46GHz	0.55db〜1.7db @ 150MHz〜10GHz
auirf7478q	-	RFQ	8852	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止		-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）			モスフェット（金属酸化物）			8-SO	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	SP001518452	ear99	8541.29.0095	95			nチャネル					60 V	7a（ta）	4.5V 、10V	26mohm @ 4.2a 、10V	3V @ 250µA	31 NC @ 4.5 v	±20V	1740 PF @ 25 V	-	2.5W
IPA50R520CPXKSA1	-	RFQ	1652	Infineon Technologies	coolmos™	チューブ	廃止		-40°C〜150°C （TJ	穴を通して	TO-220-3フルパック	IPA50R		モスフェット（金属酸化物）			PG-to220-3-31	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	500			nチャネル					500 V	7.1a（tc）	10V	520mohm @ 3.8a 、10V	3.5V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	680 PF @ 100 V	-	66W
IPS80R2K4P7AKMA1	0.4539	RFQ	9697	Infineon Technologies	coolmos™p7	チューブ	新しいデザインではありません		-55°C〜150°C	穴を通して	to-251-3	IPS80R2		モスフェット（金属酸化物）			PG-to251-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,500			nチャネル					800 V	2.5a	10V	2.4OHM @ 800MA 、10V	3.5V @ 40µA	7.5 NC @ 10 V	±20V	150 pf @ 500 v	-	22W （TC）
IRD3CH9DB6	-	RFQ	9224	Infineon Technologies	-	バルク	廃止			表面マウント	死ぬ	IRD3CH9		標準			死ぬ	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	SP001544374	ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns																	1200 v	2.7 V @ 10 a	154 ns	200 Na @ 1200 v	-40°C〜150°C	10a	-
T930S16TFBVT	1.0000	RFQ	2881	Infineon Technologies	*	バルク	アクティブ											ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.30.0080	1
IPP50R399CPHKSA1	-	RFQ	9134	Infineon Technologies	coolmos™	チューブ	sicで中止されました		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3	IPP50R		モスフェット（金属酸化物）			PG-to220-3-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	500			nチャネル					560 v	9a（tc）	10V	399mohm @ 4.9a 、10V	3.5V @ 330µA	23 NC @ 10 V	±20V	890 PF @ 100 V	-	83W
ISC110N12NM6ATMA1	0.6646	RFQ	5518	Infineon Technologies	*	テープ＆リール（ tr）	アクティブ											-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	448-ISC110N12NM6ATMA1TR			5,000
BFP540E6327BTSA1	-	RFQ	9855	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	廃止		150°C （TJ）	表面マウント	SC-82A 、SOT-343	BFP540			250MW		PG-SOT343-3D	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	3,000							21.5dB																				5V	80ma						npn	50 @ 20MA 、3.5V	30GHz	0.9db〜1.4db @ 1.8GHz
IDWD30G120C5XKSA1	20.7500	RFQ	494	Infineon Technologies	coolsic™+	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-247-2	idwd30		sic （炭化シリコン）ショットキー			PG-to247-2	ダウンロード	ROHS3準拠	適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	30		回復時間なし> 500ma																	1200 v	1.65 V @ 30 a	0 ns	248 µA @ 1200 v	-55°C〜175°C	87a	1980pf @ 1V、1MHz
IPLK70R900P7ATMA1	1.2300	RFQ	6959	Infineon Technologies	coolmos™p7	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-	表面マウント	8-powertdfn	IPLK70		モスフェット（金属酸化物）			PG-TDSON-8	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	5,000			nチャネル					700 V	-	-	-	-		-		-	-
PTFA181001EV4R250XTMA1	-	RFQ	5497	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	65 v		表面マウント	2 フラットパック、フィンリード	PTFA181001	1.88GHz	ldmos			H-36248-2	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	250				1µA	750 Ma	100W	16.5dB											-												28 v
46DN06ELEMXPSA1	208.2700	RFQ	6	Infineon Technologies	*	バルク	アクティブ											ダウンロード		未定義のベンダー	影響を受けていない	2156-46DN06ELEMXPSA1-448			1
IRF662TR1PBF	-	RFQ	9110	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	廃止		-40°C〜150°C （TJ	表面マウント	directfet™mz			モスフェット（金属酸化物）			DirectFet™MZ	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000			nチャネル					100 V	8.3a	10V	22mohm @ 8.2a 、10V	4.9V @ 100µA	31 NC @ 10 V	±20V	1360 PF @ 25 V	-	2.8W （TA ）、89W（TC）
FS450R17OE4BOSA1	1.0000	RFQ	4	Infineon Technologies	econopack™+	トレイ	アクティブ		-40°C〜150°C	シャーシマウント	モジュール	FS450R17			2400 w	標準	モジュール	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	4	フルブリッジ																									トレンチフィールドストップ	1700 v	630 a	2.3V @ 15V 、450A		3 Ma	はい	36 nf @ 25 v
BAS70-02WE6327	0.0300	RFQ	65	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ			表面マウント	SC-80			ショットキー			PG-SCD80-2	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.10.0070	3,000		小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度																	70 v	1 V @ 15 mA	100 ps	100 Na @ 50 V	150°C	70ma	1.5pf @ 0V、1MHz
IPB065N10N3GATMA1	-	RFQ	2372	Infineon Technologies	Optimos™	テープ＆リール（ tr）	廃止		-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3	IPB065		モスフェット（金属酸化物）			PG-to263-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000			nチャネル					100 V	80a（tc）	6V 、10V	6.5mohm @ 80a 、10V	3.5V @ 90µA	64 NC @ 10 V	±20V	4910 PF @ 50 V	-	150W
D770N14TXPSA1	-	RFQ	5128	Infineon Technologies	-	バルク	廃止			シャーシマウント	do-200aa、a-puk	D770N		標準			-	ダウンロード		適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns																	1400 v	1.08 V @ 400 a		30 mA @ 1400 v	-40°C〜180°C	770a	-
auirfba1405	-	RFQ	1758	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止		-40°C〜175°C	穴を通して	TO-273AA			モスフェット（金属酸化物）			Super-220™（to-273aa	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	SP001519538	ear99	8541.29.0095	50			nチャネル					55 v	95a	10V	5mohm @ 101a 、10v	4V @ 250µA	260 NC @ 10 V	±20V	5480 PF @ 25 V	-	330W
D3501N32TS20XPSA1	-	RFQ	3928	Infineon Technologies	-	バルク	廃止			シャーシマウント	DO-200AE			標準			BG-D12035K-1	-			影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns																	3200 v	1.27 V @ 4000 a		100 mA @ 3200 v	160°C	4870a	-
IRFZ44Z	-	RFQ	8971	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止		-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3			モスフェット（金属酸化物）			TO-220AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	*IRFZ44Z	ear99	8541.29.0095	50			nチャネル					55 v	51a（tc）	10V	13.9mohm @ 31a 、10v	4V @ 250µA	43 NC @ 10 V	±20V	1420 PF @ 25 V	-	80W
FF450R33T3E3B5P4BPMA1	1.0000	RFQ	7259	Infineon Technologies	XHP™3	トレイ	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	モジュール	FF450R33			1000000 w	標準	AG-XHP100-6	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	4	2独立																									トレンチフィールドストップ	3300 v	450 a	2.75V @ 15V 、450A		5 Ma	いいえ	84 nf @ 25 v
IPDQ60T010S7AXTMA1	21.5940	RFQ	6205	Infineon Technologies	*	テープ＆リール（ tr）	アクティブ											-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	448-IPDQ60T010S7AXTMA1TR			750
IPS050N03LGAKMA1	-	RFQ	2772	Infineon Technologies	Optimos™	チューブ	廃止		-55°C〜175°C	穴を通して	TO-251-3 スタブリード、IPAK			モスフェット（金属酸化物）			PG-to251-3-11	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,500			nチャネル					30 V	50a（tc）	4.5V 、10V	5mohm @ 30a 、10V	2.2V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±20V	3200 PF @ 15 V	-	68W （TC）
BSC017N04NSGATMA1	-	RFQ	8507	Infineon Technologies	Optimos™	テープ＆リール（ tr）	廃止		-55°C〜150°C	表面マウント	8-powertdfn			モスフェット（金属酸化物）			PG-TDSON-8-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	5,000			nチャネル					40 v	30a（タタ）、 100a（tc）	10V	1.7mohm @ 50a 、10V	4V @ 85µA	108 NC @ 10 V	±20V	8800 PF @ 20 V	-	2.5W （TA ）、 139W （TC）

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²