RFQ
ボム
お問い合わせ

Tel： +86-0755-83501315

メール：sales@sic-components.com

サインイン

日本語

離散半導体製品（16626）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	電圧 -定格	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	入力タイプ	頻度	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	フェットタイプ	現在の評価（ amp）	テスト条件	現在 -テスト	電力 -出力	得	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	ノイズ図	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターパルス（ icm）	vce（on max） @ vge	エネルギーの切り替え	ゲートチャージ	TD （オン/オフ） @ 25°C	電圧 -テスト	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	現在 -コレクターカットオフ（最大）	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移	ノイズフィギュア（DBタイプ @ f）	静電容量比	静電容量比条件	Q @ vr、f
FP35R12N2T4B86BPSA1	178.3073	RFQ	6563	Infineon Technologies	-	トレイ	アクティブ											-	ROHS3準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	15
Buz73a	-	RFQ	4687	Infineon Technologies	SIPMOS®	チューブ	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3				モスフェット（金属酸化物）		PGから220-3	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	500			nチャネル						200 v	5.5a（tc）	10V	600mohm @ 4.5a 、10V	4V @ 1MA		±20V	530 PF @ 25 V	-	40W （TC）
D650S14TQRXPSA1	-	RFQ	8309	Infineon Technologies	-	バルク	廃止			クランプオン	do-200ab、b-puk	D650S14			標準		-	ダウンロード		適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns																			1400 v		2.25 V @ 1400 a	5.3 µs	20 mA @ 1400 v	-40°C〜150°C	620A	-
PTFA082201E V1	-	RFQ	3530	Infineon Technologies	-	トレイ	sicで中止されました	65 v		シャーシマウント	H-36260-2	PTFA082201		894MHz	ldmos		H-36260-2	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	35				10µA		1.95 a	220W	18db											-																		30 V
IPP06CN10LGXKSA1	-	RFQ	1247	Infineon Technologies	Optimos™	チューブ	廃止		-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3	IPP06C			モスフェット（金属酸化物）		PGから220-3	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	500			nチャネル						100 V	100a（tc）	4.5V 、10V	6.2mohm @ 100a 、10V	2.4V @ 180µA	124 NC @ 10 V	±20V	11900 PF @ 50 V	-	214W
DD175N32KHPSA1	292.7233	RFQ	4595	Infineon Technologies	-	トレイ	アクティブ			シャーシマウント	モジュール	DD175N32			標準		モジュール	ダウンロード	ROHS3準拠	適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3		標準回復> 500ns																		1ペアシリーズ接続	3200 v	223a	2.05 V @ 600 a		20 mA @ 3200 v	-40°C〜150°C
BFP460H6433XMA1	-	RFQ	9355	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	廃止		150°C （TJ）	表面マウント	SC-82A 、SOT-343	BFP460				230MW	PG-SOT343-3D	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	10,000								12.5db〜26.5db																						5.8V	70ma										npn		90 @ 20MA、3V	22GHz	0.7db〜1.2DB @ 100MHz〜3GHz
D820N20TXPSA1	-	RFQ	4183	Infineon Technologies	-	バルク	廃止			シャーシマウント	do-200aa、a-puk	D820N20			標準		-	ダウンロード		適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns																			2000 v		1.25 V @ 750 a		40 mA @ 2000 v	-40°C〜180°C	820A	-
BBY 57-02W E6327	-	RFQ	5650	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	廃止		-55°C〜125°C（TJ）	表面マウント	SC-80	BBY 57					SCD-80	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	3,000																												5.5pf @ 4V、1MHz										シングル	10 v							4.5	C1/C4	-
SIDC19D60SIC3	-	RFQ	5268	Infineon Technologies	-	バルク	sicで中止されました			表面マウント	死ぬ	SIDC19D			sic （炭化シリコン）ショットキー		ホイル上の鋸	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	SP000013870	ear99	8541.10.0080	1		回復時間なし> 500ma																			600 V		1.7 V @ 6 a	0 ns	200 µA @ 600 V	-55°C〜175°C	6a	300pf @ 1V、1MHz
IRG8B08N120KDPBF	-	RFQ	4681	Infineon Technologies	-	チューブ	廃止		-40°C〜150°C （TJ	穴を通して	TO-220-3	IRG8B	標準			89 W	TO-220AB	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	SP001542028	廃止		50					600V 、5a 、47ohm、 15V																			50 ns					-	1200 v	15 a	15 a	2V @ 15V、5a	300µj（on 300µj （オフ）	45 NC	20ns/160ns
IRLR7833TRRPBF	-	RFQ	6987	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	廃止		-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3				モスフェット（金属酸化物）		d-pak	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	SP001573116	ear99	8541.29.0095	3,000			nチャネル						30 V	140a（tc）	4.5V 、10V	4.5mohm @ 15a 、10V	2.3V @ 250µA	50 NC @ 4.5 v	±20V	4010 PF @ 15 V	-	140W
IRFR2405TRR	-	RFQ	3423	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	廃止		-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3	IRFR2405			モスフェット（金属酸化物）		d-pak	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	3,000			nチャネル						55 v	56a（tc）	10V	16mohm @ 34a 、10V	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	2430 pf @ 25 v	-	110W
IRFL024ZTRPBF	0.8000	RFQ	116	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	TO-261-4、TO-261AA	IRFL024			モスフェット（金属酸化物）		SOT-223	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,500			nチャネル						55 v	5.1a（ta）	10V	57.5mohm @ 3.1a 、10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	340 PF @ 25 V	-	1W
IPN50R1K4CEATMA1	0.6700	RFQ	3453	Infineon Technologies	coolmos™ce	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ	表面マウント	TO-261-4、TO-261AA	IPN50R1			モスフェット（金属酸化物）		PG-SOT223-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	3,000			nチャネル						500 V	4.8a（tc）	13V	1.4OHM @ 900MA、13V	3.5V @ 70µA	8.2 NC @ 10 V	±20V	178 PF @ 100 V	-	5W （TC）
IRFBA1405PPBF	-	RFQ	6426	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止		-40°C〜175°C	穴を通して	TO-273AA				モスフェット（金属酸化物）		Super-220™（to-273aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000			nチャネル						55 v	174a（tc）	10V	5mohm @ 101a 、10v	4V @ 250µA	260 NC @ 10 V	±20V	5480 PF @ 25 V	-	330W
1D2209NK005U7742	-	RFQ	2372	Infineon Technologies	*	バルク	アクティブ											-	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.10.0080	12
IPP100N04S204AKSA1	-	RFQ	3985	Infineon Technologies	Optimos™	チューブ	sicで中止されました		-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3	IPP100N			モスフェット（金属酸化物）		PG-to220-3-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	500			nチャネル						40 v	100a（tc）	10V	3.6mohm @ 80a 、10V	4V @ 250µA	172 NC @ 10 V	±20V	5300 PF @ 25 V	-	300W （TC）
T1590N54P158XPSA1	-	RFQ	5210	Infineon Technologies	*	トレイ	廃止					T1590N						-		1 （無制限）	影響を受けていない		廃止	0000.00.0000	1
IPP086N10N3GHKSA1	-	RFQ	5444	Infineon Technologies	Optimos™	チューブ	廃止		-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3	IPP086N			モスフェット（金属酸化物）		PGから220-3	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	SP000485980	ear99	8541.29.0095	500			nチャネル						100 V	80a（tc）	6V 、10V	8.6mohm @ 73a 、10V	3.5V @ 75µA	55 NC @ 10 V	±20V	3980 PF @ 50 V	-	125W
IPP60R520E6	-	RFQ	6903	Infineon Technologies	coolmos™	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3				モスフェット（金属酸化物）		PG-to220-3-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	373			nチャネル						600 V	8.1a（tc）	10V	520mohm @ 2.8a 、10V	3.5V @ 230µA	23.4 NC @ 10 V	±20V	512 PF @ 100 V	-	66W
IRF7700TR	-	RFQ	8975	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	廃止		-55°C〜150°C	表面マウント	8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm）				モスフェット（金属酸化物）		8-tssop	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	4,000			pチャネル						20 v	8.6a（tc）	2.5V 、4.5V	15mohm @ 8.6a 、4.5V	1.2V @ 250µA	89 NC @ 5 V	±12V	4300 PF @ 15 V	-	1.5W
SPA03N60C3XKSA1	-	RFQ	9911	Infineon Technologies	coolmos™	チューブ	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3フルパック	SPA03N			モスフェット（金属酸化物）		PG-to220-3-31	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	500			nチャネル						650 V	3.2a	10V	1.4OHM @ 2A 、10V	3.9V @ 135µA	17 NC @ 10 V	±20V	400 pf @ 25 V	-	29.7W
BCW66KGE6327HTSA1	0.0579	RFQ	3367	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	前回購入します		150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3	BCW66				500 MW	PG-SOT23	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	3,000																														45 v	800 Ma									20na（icbo）	npn	450mv @ 50ma 、500ma	160 @ 100MA、1V	170MHz
IRLR3715ZTRPBF	-	RFQ	1469	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	廃止		-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3				モスフェット（金属酸化物）		d-pak	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	6,000			nチャネル						20 v	49a（tc）	4.5V 、10V	11mohm @ 15a 、10V	2.55V @ 250µA	11 NC @ 4.5 v	±20V	810 pf @ 10 v	-	40W （TC）
IPB47N10S33ATMA1	-	RFQ	8007	Infineon Technologies	SIPMOS®	テープ＆リール（ tr）	廃止		-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3	IPB47N			モスフェット（金属酸化物）		PG-to263-3-2	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000			nチャネル						100 V	47a（tc）	10V	33mohm @ 33a 、10V	4V @ 2MA	105 NC @ 10 V	±20V	2500 PF @ 25 V	-	175W
IRF7750TR	-	RFQ	6590	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	廃止		-55°C〜150°C	表面マウント	8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm）	IRF7750			モスフェット（金属酸化物）	1W	8-tssop	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	4,000	2 P-Channel （デュアル）								20V	4.7a		30mohm @ 4.7a 、4.5v	1.2V @ 250µA	39NC @ 5V		1700pf @ 15V	ロジックレベルゲート
IRLL024ZTRPBF	0.8900	RFQ	1	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	TO-261-4、TO-261AA	IRLL024			モスフェット（金属酸化物）		SOT-223	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,500			nチャネル						55 v	5a（tc）	4.5V 、10V	60mohm @ 3a 、10V	3V @ 250µA	11 NC @ 5 V	±16V	380 PF @ 25 V	-	1W
BSP296L6433	0.2700	RFQ	6	Infineon Technologies	SIPMOS®	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	TO-261-4、TO-261AA				モスフェット（金属酸化物）		PG-SOT223	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	4,000			nチャネル						100 V	1.1a（ta）	4.5V 、10V	700mohm @ 1.1a、10V	1.8V @ 400µA	17.2 NC @ 10 V	±20V	364 PF @ 25 V	-	1.79W
IRF7325PBF	-	RFQ	1921年年	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止		-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）	IRF732			モスフェット（金属酸化物）	2W	8-SO	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	95	2 P-Channel （デュアル）								12V	7.8a		24mohm @ 7.8a 、4.5V	900MV @ 250µA	33NC @ 4.5V		2020pf @ 10V	ロジックレベルゲート

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²