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離散半導体製品（16626）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	入力タイプ	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	フェットタイプ	テスト条件	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターパルス（ icm）	vce（on max） @ vge	エネルギーの切り替え	ゲートチャージ	TD （オン/オフ） @ 25°C	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	入力容量（ cies @ vce	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移	抵抗 -ベース（r1）	抵抗 -エミッターベース（r2）
IKW25N120T2XK	-	RFQ	9251	Infineon Technologies	TrenchStop®	バルク	アクティブ	-40°C〜175°C	穴を通して	TO-247-3		標準		349 w		PG-to247-3-21	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.29.0095	1				600V 、25a 、16.4ohm、15V															195 ns					トレンチフィールドストップ	1200 v	50 a	100 a	2.2V @ 15V 、25a	1.55MJ （オン）、1.35MJ	120 NC	27ns/265ns
BC857BWE6327BTSA1	-	RFQ	2071	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	150°C （TJ）	表面マウント	SC-70、SOT-323	BC857			250 MW		PG-SOT323	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	3,000																									45 v	100 Ma						15NA			PNP	650mv @ 5ma 、100ma	220 @ 2MA 、5V	250MHz
IPTC015N10NM5ATMA1	7.5000	RFQ	1	Infineon Technologies	Optimos™5	テープ＆リール（ tr）	新しいデザインではありません	-55°C〜175°C	表面マウント	16-POWERSOPモジュール	IPTC015N		モスフェット（金属酸化物）			PG-HDSOP-16-2	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,800			nチャネル		100 V	35a（ta ）、 354a（tc）	6V 、10V	1.5mohm @ 100a 、10V	3.8V @ 275µA	208 NC @ 10 V	±20V	16000 pf @ 50 V	-	3.8W
ND260N12KHPSA1	-	RFQ	7627	Infineon Technologies	-	トレイ	廃止		シャーシマウント	モジュール	ND260N12		標準			BG-PB50ND-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3		標準回復> 500ns														1200 v				20 mA @ 1200 v	-40°C〜135°C	104a	-
IPD35N12S3L24ATMA1	1.4800	RFQ	9	Infineon Technologies	Optimos™	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3	IPD35N12		モスフェット（金属酸化物）			PG-to252-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,500			nチャネル		120 v	35a（tc）	4.5V 、10V	24mohm @ 35a 、10V	2.4V @ 39µA	39 NC @ 10 V	±20V	2700 PF @ 25 V	-	71W
IPP50R299CPHKSA1	-	RFQ	7879	Infineon Technologies	coolmos™	チューブ	廃止	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3	IPP50R		モスフェット（金属酸化物）			PG-to220-3-1	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	SP000236070	ear99	8541.29.0095	500			nチャネル		550 V	12a（tc）	10V	299mohm @ 6.6a 、10V	3.5V @ 440µA	31 NC @ 10 V	±20V	1190 PF @ 100 V	-	104W
FZ1500R33HL3BPSA1	2.0000	RFQ	1	Infineon Technologies	-	トレイ	新しいデザインではありません	-40°C〜150°C	シャーシマウント	モジュール	FZ1500			17000 w	標準	モジュール	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	フルブリッジ																							トレンチフィールドストップ	3300 v	1500 a		2.85V @ 15V 、1500A				5 Ma	いいえ	6 NF @ 25 V
IRGB4062DPBF	-	RFQ	7853	Infineon Technologies	-	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3	IRGB4062	標準		250 W		TO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000				400V 、24a 、10ohm15V															89 ns					溝	600 V	48 a	72 a	1.95V @ 15V 、24A	115µj（on600µj （オフ）	50 NC	41ns/104ns
IPD060N03LGATMA1	1.0400	RFQ	1	Infineon Technologies	Optimos™	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3	IPD060		モスフェット（金属酸化物）			PG-to252-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,500			nチャネル		30 V	50a（tc）	4.5V 、10V	6mohm @ 30a 、10V	2.2V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±20V	2400 PF @ 15 V	-	56W （TC）
BSO201SPHXUMA1	1.6500	RFQ	2	Infineon Technologies	Optimos™	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）	BSO201		モスフェット（金属酸化物）			PG-DSO-8	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,500			pチャネル		20 v	12a（ta）	2.5V 、4.5V	8mohm @ 14.9a 、4.5V	1.2V @ 250µA	88 NC @ 4.5 v	±12V	9600 PF @ 15 V	-	1.6W
IRFSL4115PBF	-	RFQ	5362	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	穴を通して	To-262-3 Long Leads			モスフェット（金属酸化物）			TO-262	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	SP001573516	ear99	8541.29.0095	50			nチャネル		150 v	195a（tc）	10V	12.1mohm @ 62a 、10V	5V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	5270 PF @ 50 V	-	375W
BCX5616H6433XMA1	0.1920	RFQ	9843	Infineon Technologies	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	前回購入します	150°C （TJ）	表面マウント	TO-243AA	BCX5616			2 W		PG-SOT89	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0075	4,000																									80 v	1 a						100na（icbo）			npn	500MV @ 50MA 、500MA	100 @ 150ma 、2V	100MHz
IPT60R065S7XTMA1	7.4200	RFQ	1847	Infineon Technologies	coolmos™s7	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	8-POWERSFN	IPT60R065		モスフェット（金属酸化物）			PG-HSOF-8-2	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,000			nチャネル		600 V	8a（tc）	12V	65mohm @ 8a、12v	4.5V @ 490µA	51 NC @ 12 v	±20V	1932 PF @ 300 v	-	167W （TC）
IRF6648TR1	-	RFQ	9492	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜150°C （TJ	表面マウント	directfet™mn			モスフェット（金属酸化物）			directfet™mn	ダウンロード	ROHS非準拠	2（1 年）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000			nチャネル		60 V	86a（tc）	10V	7mohm @ 17a 、10V	4.9V @ 150µA	50 NC @ 10 V	±20V	2120 pf @ 25 v	-	2.8W （TA ）、89W（TC）
IPI320N20N3GAKSA1	-	RFQ	2949	Infineon Technologies	Optimos™	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	穴を通して	To-262-3 Long Leads	IPI320		モスフェット（金属酸化物）			PG-to262-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	500			nチャネル		200 v	34a（tc）	10V	32mohm @ 34a 、10V	4V @ 90µA	29 NC @ 10 V	±20V	2350 PF @ 100 V	-	136W
BCR169E6327HTSA1	-	RFQ	3730	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました		表面マウント	TO-236-3	BCR169			200 MW		PG-SOT23	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	3,000																									50 v	100 Ma						100na（icbo）			pnp-前バイアス	300MV @ 500µA 、10mA	120 @ 5MA 、5V	200 MHz	4.7 Kohms
IDW80C65D1XKSA1	3.9300	RFQ	6095	Infineon Technologies	ラピッド1	チューブ	アクティブ		穴を通して	TO-247-3	IDW80C65		標準			PG-to247-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	30		高速回復= <500ns													1ペア共通カソード	650 V	40a	1.7 V @ 40 a	77 ns	40 µA @ 650 v	-40°C〜175°C
SIDC23D120F6X1SA1	-	RFQ	2124	Infineon Technologies	-	バルク	sicで中止されました		表面マウント	死ぬ	SIDC23D		標準			ホイル上の鋸	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns														1200 v		2.1 V @ 25 a		27 µA @ 1200 v	-55°C〜150°C	25a	-
IRF6644TRPBF	3.0200	RFQ	16	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	表面マウント	directfet™mn	IRF6644		モスフェット（金属酸化物）			directfet™mn	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	4,800			nチャネル		100 V	10.3a	10V	13mohm @ 10.3a 、10V	4.8V @ 150µA	47 NC @ 10 V	±20V	2210 pf @ 25 v	-	2.8W （TA ）、89W（TC）
IPU09N03LA g	-	RFQ	1988年年	Infineon Technologies	Optimos™	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	穴を通して	to-251-3	IPU09N		モスフェット（金属酸化物）			PG-to251-3-21	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,500			nチャネル		25 v	50a（tc）	4.5V 、10V	8.8mohm @ 30a 、10V	2V @ 20µA	13 NC @ 5 V	±20V	1642 PF @ 15 V	-	63W
IRF8734TRPBF	1.1000	RFQ	168	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）	IRF8734		モスフェット（金属酸化物）			8-SOIC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	4,000			nチャネル		30 V	21a（ta）	4.5V 、10V	3.5mohm @ 21a 、10V	2.35V @ 50µA	30 NC @ 4.5 v	±20V	3175 PF @ 15 V	-	2.5W
auxhmf7321d2	-	RFQ	2222	Infineon Technologies	fetky™	チューブ	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）			モスフェット（金属酸化物）			8-SO	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	95			pチャネル		30 V	4.7a（ta）	4.5V 、10V	62mohm @ 4.9a 、10V	1V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±20V	710 pf @ 25 v	ショットキーダイオード（分離）	2W （TA）
6PS04012E4DG36022NOSA1	-	RFQ	8978	Infineon Technologies	Primestack™	バルク	廃止	-40°C〜85°C	表面マウント	モジュール					標準	-	ダウンロード			影響を受けていない	448-6PS04012E4DG36022NOSA1	ear99	8541.29.0095	1	フルブリッジインバーター																							-	3600 v	306 a		2.05V @ 15V 、200A					いいえ
FF400R12KT4HOSA1	133.3300	RFQ	12	Infineon Technologies	*	バルク	アクティブ										-	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.29.0095	1
BCR158WH6327XTSA1	-	RFQ	3997	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました		表面マウント	SC-70、SOT-323	BCR158			250 MW		PG-SOT323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	3,000																									50 v	100 Ma						100na（icbo）			pnp-前バイアス	300MV @ 500µA 、10mA	70 @ 5MA 、5V	200 MHz	2.2 KOHMS	47 Kohms
SPN02N60S5	-	RFQ	7093	Infineon Technologies	coolmos™	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-261-4、TO-261AA	SPN02N		モスフェット（金属酸化物）			PG-SOT223-4	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000			nチャネル		600 V	400ma（ta）	10V	3OHM @ 1.1A 、10V	5.5V @ 80µA	7.4 NC @ 10 V	±20V	250 PF @ 25 V	-	1.8W
IPP80P04PL08AKSA1	-	RFQ	3833	Infineon Technologies	Automotive 、AEC-Q101、Optimos™	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3	IPP80P		モスフェット（金属酸化物）			PG-to220-3-1	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	500			pチャネル		40 v	80a（tc）	4.5V 、10V	8.2mohm @ 80a 、10V	2.2V @ 120µA	92 NC @ 10 V	+5V、 -16V	5430 PF @ 25 V	-	75W
BCR 196F E6327	-	RFQ	9938	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	廃止		表面マウント	SOT-723	BCR 196			250 MW		PG-TSFP-3	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	3,000																									50 v	70 Ma						100na（icbo）			pnp-前バイアス	300MV @ 500µA 、10mA	50 @ 5MA 、5V	150 MHz	47 Kohms	22 Kohms
BSM200GA120DN2FSE32HOSA1	-	RFQ	3751	Infineon Technologies	-	バルク	廃止	150°C （TJ）	シャーシマウント	モジュール	BSM200			1550 w	標準	モジュール	-					廃止		1	シングルスイッチ																							-	1200 v	300 a		3V @ 15V 、200A				4 Ma	いいえ	13 nf @ 25 v
IRLR014NPBF	-	RFQ	9654	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3			モスフェット（金属酸化物）			d-pak	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	6,000			nチャネル		55 v	10a（tc）	4.5V 、10V	140mohm @ 6a 、10V	1V @ 250µA	7.9 NC @ 5 V	±16V	265 PF @ 25 V	-	28W （TC）

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²