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離散半導体製品（16626）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	タイプ	基本製品番号	入力タイプ	テクノロジー	パワー -マックス	構造	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	フェットタイプ	現在-hold（ihmax）	テスト条件	現在	電圧	電圧 -分離	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	電圧 -状態外	現在 -state（it （rms	電圧 -ゲートトリガー（ vgt ）（最大）	現在 -非担当者サージ50、60Hz	現在 -ゲートトリガー（ Igt ）（最大）	現在 -State	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	scr の数、ダイオード	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターパルス（ icm）	vce（on max） @ vge	エネルギーの切り替え	ゲートチャージ	TD （オン/オフ） @ 25°C	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	入力容量（ cies @ vce
BSM10GD120DN2E324BOSA1	70.6760	RFQ	8877	Infineon Technologies	-	トレイ	前回購入します	150°C （TJ）	シャーシマウント	モジュール		BSM10G			80 w		標準	モジュール	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	10	フルブリッジ																																		-	1200 v	15 a		3.2V @ 15V 、10a				400 µA	いいえ	530 PF @ 25 V
FF600R07ME4BPSA1	251.0700	RFQ	7	Infineon Technologies	econodual™3	トレイ	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	モジュール		FF600R07			20 MW		標準	AG-CONOD-4	ダウンロード	ROHS3準拠	適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	10	2独立																																		トレンチフィールドストップ	650 V	600 a		1.95V @ 15V 、600A				1 Ma	はい	37 nf @ 25 v
IPD800N06NGBTMA1	-	RFQ	4567	Infineon Technologies	Optimos™	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3		IPD800N		モスフェット（金属酸化物）				PG-to252-3	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,500			nチャネル						60 V	16a（tc）	10V	80mohm @ 16a 、10V	4V @ 16µA	10 NC @ 10 V	±20V	370 PF @ 30 V	-	47W （TC）
IPP80N04S204AKSA1	-	RFQ	7124	Infineon Technologies	Optimos™	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3		IPP80N		モスフェット（金属酸化物）				PG-to220-3-1	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	500			nチャネル						40 v	80a（tc）	10V	3.7mohm @ 80a 、10V	4V @ 250µA	170 NC @ 10 V	±20V	5300 PF @ 25 V	-	300W （TC）
DD285N04KHPSA1	-	RFQ	7337	Infineon Technologies	-	バルク	廃止		シャーシマウント	モジュール				標準				モジュール	ダウンロード		適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3		標準回復> 500ns																							1ペア共通カソード	400 V	285a	1.15 V @ 800 a		20 mA @ 400 v	-40°C〜150°C
ISC015N04NM5ATMA1	1.7800	RFQ	4272	Infineon Technologies	Optimos™-5	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	8-powertdfn		ISC015N		モスフェット（金属酸化物）				PG-TDSON-8 FL	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	5,000			nチャネル						40 v	33a（ta ）、206a（tc）	7V 、10V	1.5mohm @ 50a 、10V	3.4V @ 60µA	67 NC @ 10 V	±20V	4800 PF @ 20 V	-	3w（ta ）、115w（tc）
IRD3CH16DF6	-	RFQ	7260	Infineon Technologies	-	バルク	廃止					IRD3CH16							ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	SP001540428	ear99	8541.10.0080	1
IGCM04G60HAXKMA1	10.1100	RFQ	22	Infineon Technologies	cipos™	チューブ	アクティブ		穴を通して	24-POWERDIP モジュール（1.028 "、26.10mm）	IGBT	IGCM04							ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	14	3フェーズ					4 a	600 V	2000VRMS
BSM200GA120DN2FSE32HOSA1	-	RFQ	3751	Infineon Technologies	-	バルク	廃止	150°C （TJ）	シャーシマウント	モジュール		BSM200			1550 w		標準	モジュール	-					廃止		1	シングルスイッチ																																		-	1200 v	300 a		3V @ 15V 、200A				4 Ma	いいえ	13 nf @ 25 v
IRFR1205TRL	-	RFQ	7481	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3		IRFR1205		モスフェット（金属酸化物）				d-pak	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	3,000			nチャネル						55 v	44a（tc）	10V	27mohm @ 26a 、10V	4V @ 250µA	65 NC @ 10 V	±20V	1300 PF @ 25 V	-	107W （TC）
TD500N16KOFHOSA1	-	RFQ	5359	Infineon Technologies	-	バルク	前回購入します	125°C （TJ）	シャーシマウント	モジュール		TD500N16				-scr/ダイオード			-					ear99	8541.30.0080	1				300 Ma															1.6 kV	900 a	2.2 v	17000A @ 50Hz	250 Ma	500 a										1 scr、1ダイオード
FZ2400R12HP4PHPSA1	1.0000	RFQ	5826	Infineon Technologies	IHM-B	トレイ	アクティブ	-40°C〜150°C	シャーシマウント	モジュール		FZ2400			12500 w		標準	AG-IHMB130-2	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	3	シングルスイッチ																																		溝	1200 v	3460 a		2.05V @ 15V 、2.4ka				5 Ma	いいえ
IRGPS60B120KDP	-	RFQ	1626	Infineon Technologies	-	チューブ	廃止	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-274AA		IRGPS60	標準		595 w			Super-247™（To-274AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	25					600V、15a 、4.7OHM、15V																								180 ns						npt	1200 v	105 a	240 a	2.75V @ 15V 、60a	3.21MJ	340 NC	-
IRFR3711ZTRRPBF	-	RFQ	8695	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3				モスフェット（金属酸化物）				d-pak	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	3,000			nチャネル						20 v	93a（tc）	4.5V 、10V	5.7mohm @ 15a 、10V	2.45V @ 250µA	27 NC @ 4.5 v	±20V	2160 PF @ 10 V	-	79W
IPI100N06S3-03	-	RFQ	7246	Infineon Technologies	Optimos™	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	穴を通して	To-262-3 Long Leads		IPI100N		モスフェット（金属酸化物）				PG-to262-3	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	500			nチャネル						55 v	100a（tc）	10V	3.3mohm @ 80a 、10V	4V @ 230µA	480 NC @ 10 V	±20V	21620 PF @ 25 V	-	300W （TC）
IRF6100PBF	-	RFQ	4195	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	4-flipfet™		IRF6100		モスフェット（金属酸化物）				4-flipfet™	ダウンロード		2（1 年）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	6,000			pチャネル						20 v	5.1a（ta）	2.5V 、4.5V	65mohm @ 5.1a 、4.5V	1.2V @ 250µA	21 NC @ 5 V	±12V	1230 PF @ 15 V	-	2.2W
D255N02BXPSA1	-	RFQ	9772	Infineon Technologies	-	バルク	廃止		スタッドマウント	DO-205AA		D255N		標準				-	ダウンロード		適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns																								200 v				20 ma @ 200 v	-40°C〜180°C	255a	-
BSP613P	-	RFQ	3921	Infineon Technologies	SIPMOS®	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-261-4、TO-261AA				モスフェット（金属酸化物）				PG-SOT223-4-21	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000			pチャネル						60 V	2.9a（ta）	10V	130mohm @ 2.9a 、10V	4V @ 1MA	33 NC @ 10 V	±20V	875 PF @ 25 V	-	1.8W
auirfp1405-203	-	RFQ	5788	Infineon Technologies	-	チューブ	廃止												-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		廃止		1										160a（tc）
IPA60R280P6XKSA1	2.8900	RFQ	500	Infineon Technologies	CoolMos™P6	チューブ	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3フルパック		IPA60R280		モスフェット（金属酸化物）				PG〜220-FP	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50			nチャネル						600 V	13.8a	10V	280mohm @ 5.2a 、10V	4.5V @ 430µA	25.5 NC @ 10 V	±20V	1190 PF @ 100 V	-	32W
D1800N36TVFXPSA1	-	RFQ	4718	Infineon Technologies	-	バルク	廃止		シャーシマウント	DO-200AC 、K-PUK		D1800N36		標準				-	ダウンロード		適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns																								3600 v		1.32 V @ 1500 a		100 mA @ 3600 v	-40°C〜160°C	1800a	-
IDH20G65C5XKSA1	-	RFQ	3532	Infineon Technologies	coolsic™+	チューブ	sicで中止されました		穴を通して	TO-220-2		IDH20		sic （炭化シリコン）ショットキー				PG-to220-2-2	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50		回復時間なし> 500ma																								650 V		1.7 V @ 20 a	0 ns	700 µA @ 650 V	-55°C〜175°C	20a	590pf @ 1V、1MHz
IRF1405ZSTRRPBF	-	RFQ	1112	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3				モスフェット（金属酸化物）				d2pak	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	SP001561404	ear99	8541.29.0095	800			nチャネル						55 v	75a（tc）	10V	4.9mohm @ 75a 、10V	4V @ 250µA	180 NC @ 10 V	±20V	4780 PF @ 25 V	-	230W
IRG4BC20FD	-	RFQ	5790	Infineon Technologies	-	チューブ	廃止	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3			標準		60 W			TO-220AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	*IRG4BC20FD	ear99	8541.29.0095	50					480V 、9A 、50OHM、15V																								37 ns						-	600 V	16 a	64 a	2V @ 15V、9a	250µj（640µj （オフ）	27 NC	43ns/240ns
ETD630N16P60HPSA1	293.4200	RFQ	8272	Infineon Technologies	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜135°C	シャーシマウント	モジュール		ETD630				-scr/ダイオード			ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8542.39.0001	2				300 Ma															1.6 kV	700 a	2 v	19800a @ 50Hz	250 Ma	635 a										1 scr、1ダイオード
IRFR5410PBF	-	RFQ	6660	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	sicで中止されました	-55°C〜150°C	表面マウント	to-252-3				モスフェット（金属酸化物）				d-pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	75			pチャネル						100 V	13a（tc）	10V	205mohm @ 7.8a 、10V	4V @ 250µA	58 NC @ 10 V	±20V	760 PF @ 25 V	-	66W
IRFS3306TRLPBF	2.8500	RFQ	15	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3		IRFS3306		モスフェット（金属酸化物）				d2pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	800			nチャネル						60 V	120a（tc）	10V	4.2mohm @ 75a 、10V	4V @ 150µA	120 NC @ 10 V	±20V	4520 PF @ 50 V	-	230W
FP35R12N2T4B86BPSA1	178.3073	RFQ	6563	Infineon Technologies	-	トレイ	アクティブ												-	ROHS3準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	15
Buz73a	-	RFQ	4687	Infineon Technologies	SIPMOS®	チューブ	廃止	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3				モスフェット（金属酸化物）				PGから220-3	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	500			nチャネル						200 v	5.5a（tc）	10V	600mohm @ 4.5a 、10V	4V @ 1MA		±20V	530 PF @ 25 V	-	40W （TC）
D650S14TQRXPSA1	-	RFQ	8309	Infineon Technologies	-	バルク	廃止		クランプオン	do-200ab、b-puk		D650S14		標準				-	ダウンロード		適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns																								1400 v		2.25 V @ 1400 a	5.3 µs	20 mA @ 1400 v	-40°C〜150°C	620A	-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²