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離散半導体製品（16626）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	構造	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	フェットタイプ	現在-hold（ihmax）	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	電圧 -状態外	現在 -state（it （rms	電圧 -ゲートトリガー（ vgt ）（最大）	現在 -非担当者サージ50、60Hz	現在 -ゲートトリガー（ Igt ）（最大）	現在 -State	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	scr の数、ダイオード	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターカットオフ（最大）	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移	抵抗 -ベース（r1）	抵抗 -エミッターベース（r2）
IRF8721TRPBF	0.7200	RFQ	4994	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）	IRF8721	モスフェット（金属酸化物）			8-SO	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	4,000			nチャネル		30 V	14a（ta）	4.5V 、10V	8.5mohm @ 14a 、10V	2.35V @ 25µA	12 NC @ 4.5 v	±20V	1040 PF @ 15 V	-	2.5W
BCR 146L3 E6327	-	RFQ	4611	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました		表面マウント	SC-101 、SOT-883	BCR 146		250 MW		PG-TSLP-3-4	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	15,000																															50 v	70 Ma	100na（icbo）	npn-バイアス化	300MV @ 500µA 、10mA	50 @ 5MA 、5V	150 MHz	47 Kohms	22 Kohms
IPS031N03L g	-	RFQ	9438	Infineon Technologies	Optimos™	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-251-3 スタブリード、IPAK		モスフェット（金属酸化物）			PG-to251-3-11	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,500			nチャネル		30 V	90a	4.5V 、10V	3.1mohm @ 30a 、10V	2.2V @ 250µA	51 NC @ 10 V	±20V	5300 PF @ 15 V	-	94W
ETD630N18P60HPSA1	253.1400	RFQ	2872	Infineon Technologies	-	トレイ	アクティブ	135°C （TJ）	シャーシマウント	モジュール				-scr/ダイオード		ダウンロード	ROHS3準拠	適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.30.0080	2				300 Ma											1.8 kv	700 a	2 v	16800a 、20000a	250 Ma	628 a										1 scr、1ダイオード
BAV199E6327HTSA1	0.4300	RFQ	1	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	前回購入します		表面マウント	TO-236-3	bav199	標準			PG-SOT23	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	3,000		小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度																			1ペアシリーズ接続	80 v	200MA （DC）	1.25 V @ 150 MA	1.5 µs	5 Na @ 75 V	150°C （最大）
IRF9956TRPBF	0.7800	RFQ	2	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）	IRF995	モスフェット（金属酸化物）	2W		8-SO	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	4,000	2 nチャンネル（デュアル）				30V	3.5a		100mohm @ 2.2a 、10V	1V @ 250µA	14NC @ 10V		190pf @ 15V	ロジックレベルゲート
IRFP4232PBF	-	RFQ	5091	Infineon Technologies	hexfet®	バッグ	廃止	-40°C〜175°C	穴を通して	TO-247-3		モスフェット（金属酸化物）			TO-247AC	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	25			nチャネル		250 v	60a（tc）	10V	35.7mohm @ 42a 、10V	5V @ 250µA	240 NC @ 10 V	±20V	7290 PF @ 25 V	-	430W
IPD65R420CFDATMA2	1.0650	RFQ	8558	Infineon Technologies	coolmos™cfd2	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	to-251-3	IPD65R420	モスフェット（金属酸化物）			PG-to251-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,500			nチャネル		650 V	8.7a（tc）	10V	420mohm @ 3.4a 、10V	4.5V @ 300µA	31.5 NC @ 10 V	±20V	870 PF @ 100 V	-	83.3W
SPD07N60C2	-	RFQ	7898	Infineon Technologies	coolmos™	バルク	アクティブ	-	表面マウント	to-252-3		-			PG-to252-3-1	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.29.0095	2,500			-			7.3a	-	-	-		-		-	-
IRFB3307ZPBF	2.6200	RFQ	2	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3	IRFB3307	モスフェット（金属酸化物）			TO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50			nチャネル		75 v	120a（tc）	10V	5.8mohm @ 75a 、10V	4V @ 150µA	110 NC @ 10 V	±20V	4750 PF @ 50 V	-	230W
BCX5416H6327XTSA1	0.1920	RFQ	4134	Infineon Technologies	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	前回購入します	150°C （TJ）	表面マウント	TO-243AA	BCX5416		2 W		PG-SOT89	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0075	1,000																															45 v	1 a	100na（icbo）	npn	500MV @ 50MA 、500MA	100 @ 150ma 、2V	100MHz
IRFR024NTRRPBF	-	RFQ	1976年年	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました		表面マウント	to-252-3		モスフェット（金属酸化物）			d-pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	SP001554980	ear99	8541.29.0095	3,000			nチャネル		55 v	17a（tc）	10V	75mohm @ 10a 、10V	4V @ 250µA	20 NC @ 10 V	±20V	370 PF @ 25 V	-	45W
IPA65R400CEXKSA1	1.6200	RFQ	372	Infineon Technologies	coolmos™	チューブ	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3フルパック	IPA65R400	モスフェット（金属酸化物）			PG〜220-FP	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50			nチャネル		650 V	15.1a（tc）	10V	400mohm @ 3.2a 、10V	3.5V @ 320µA	39 NC @ 10 V	±20V	710 PF @ 100 V	-	31W （TC）
IPD65R650CEATMA1	-	RFQ	5949	Infineon Technologies	coolmos™	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜150°C （TJ	表面マウント	to-252-3	IPD65R	モスフェット（金属酸化物）			PG-to252-3	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	SP001295798	ear99	8541.29.0095	2,500			nチャネル		650 V	10.1a（tc）	10V	650mohm @ 2.1a 、10V	3.5V @ 210µA	23 NC @ 10 V	±20V	440 PF @ 100 V	-	86W
BCP54-16E6327	0.1300	RFQ	8	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ	150°C （TJ）	表面マウント	TO-261-4、TO-261AA			2 W		SOT-223	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0075	1,000																															45 v	1 a	100na（icbo）	npn	500MV @ 50MA 、500MA	100 @ 150ma 、2V	100MHz
BCV27E6327	0.0600	RFQ	160	Infineon Technologies	aec-q101	バルク	アクティブ	150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3			360 MW		PG-SOT23-3-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	5,079																															30 V	500 Ma	100na（icbo）	npn-ダーリントン	1V @ 100µA 、100mA	20000 @ 100MA 、5V	170MHz
IPI90R500C3XKSA2	4.0600	RFQ	5488	Infineon Technologies	coolmos™	チューブ	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	To-262-3 Long Leads	IPI90R500	モスフェット（金属酸化物）			PG-to262-3-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	500			nチャネル		900 V	11a（tc）	10V	500mohm @ 6.6a 、10V	3.5V @ 740µA	68 NC @ 10 V	±20V	1700 PF @ 100 V	-	156W
IRLR7833TRL	-	RFQ	9037	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3		モスフェット（金属酸化物）			d-pak	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	3,000			nチャネル		30 V	140a（tc）	4.5V 、10V	4.5mohm @ 15a 、10V	2.3V @ 250µA	50 NC @ 4.5 v	±20V	4010 PF @ 15 V	-	140W
IPD65R660CFD	0.8300	RFQ	827	Infineon Technologies	coolmos™cfd2	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	to-252-3		モスフェット（金属酸化物）			PG-to252-3-313	ダウンロード					ear99	8541.29.0095	1			nチャネル		650 V	6a（tc）	10V	660mohm @ 2.1a 、10V	4.5V @ 200µA	22 NC @ 10 V	±20V	615 PF @ 100 V	-	62.5W
BCR 141F E6327	-	RFQ	5954	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	廃止		表面マウント	SOT-723	BCR 141		250 MW		PG-TSFP-3	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	3,000																															50 v	100 Ma	100na（icbo）	npn-バイアス化	300MV @ 500µA 、10mA	50 @ 5MA 、5V	130 MHz	22 Kohms	22 Kohms
IRL3714STRR	-	RFQ	6135	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3		モスフェット（金属酸化物）			d2pak	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	800			nチャネル		20 v	36a（tc）	4.5V 、10V	20mohm @ 18a 、10V	3V @ 250µA	9.7 NC @ 4.5 v	±20V	670 PF @ 10 V	-	47W （TC）
BC817-16B5000	0.0200	RFQ	180	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ	150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3	BC817		500 MW		PG-SOT23	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.21.0075	10,000																															45 v	500 Ma	100na（icbo）	npn	700mv @ 50ma 、500ma	100 @ 100MA、1V	170MHz
IRF7325	-	RFQ	6236	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）	IRF732	モスフェット（金属酸化物）	2W		8-SO	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	95	2 P-Channel （デュアル）				12V	7.8a		24mohm @ 7.8a 、4.5V	900MV @ 250µA	33NC @ 4.5V		2020pf @ 10V	ロジックレベルゲート
IRFS3107PBF	-	RFQ	8393	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	sicで中止されました	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3		モスフェット（金属酸化物）			d2pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50			nチャネル		75 v	195a（tc）	10V	3mohm @ 140a 、10V	4V @ 250µA	240 NC @ 10 V	±20V	9370 PF @ 50 V	-	370W （TC）
IRF7807VD1TRPBF	-	RFQ	1120	Infineon Technologies	fetky™	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）		モスフェット（金属酸化物）			8-SO	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	4,000			nチャネル		30 V	8.3a（ta）	4.5V	25mohm @ 7a 、4.5V	3V @ 250µA	14 NC @ 4.5 v	±20V		ショットキーダイオード（分離）	2.5W
gateleadwhbu445xxpsa1	29.6100	RFQ	4691	Infineon Technologies	-	トレイ	アクティブ		-	-	gateleadwhbu445	-			-	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない			0000.00.0000	1		-																									-	-	-
IPW65R065C7XKSA1	10.6800	RFQ	7100	Infineon Technologies	coolmos™c7	チューブ	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-247-3	IPW65R065	モスフェット（金属酸化物）			PG-to247-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	30			nチャネル		650 V	33a	10V	65mohm @ 17.1a 、10V	4V @ 850µA	64 NC @ 10 V	±20V	3020 pf @ 400 v	-	171W
IRF5810	-	RFQ	2723	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止		表面マウント	SOT-23-6薄い、TSOT-23-6	IRF58	モスフェット（金属酸化物）	960MW		6-tsop	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	100	2 P-Channel （デュアル）				20V	2.9a		90mohm @ 2.9a 、4.5V	1.2V @ 250µA	9.6NC @ 4.5V		650pf @ 16V	ロジックレベルゲート
BC818K16WE6327HTSA1	-	RFQ	3020	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	150°C （TJ）	表面マウント	SC-70、SOT-323	BC818		250 MW		PG-SOT323	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	3,000																															25 v	500 Ma	100na（icbo）	npn	700mv @ 50ma 、500ma	100 @ 100MA、1V	170MHz
SPI100N03S2L-03	-	RFQ	2648	Infineon Technologies	Optimos™	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	穴を通して	To-262-3 Long Leads	SPI100N	モスフェット（金属酸化物）			PG-to262-3-1	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	Q1620887	ear99	8541.29.0095	1			nチャネル		30 V	100a（tc）	10V	3mohm @ 80a 、10V	2V @ 250µA	220 NC @ 10 V	±20V	8180 PF @ 25 V	-	300W （TC）

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²