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離散半導体製品（16626）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	構造	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	フェットタイプ	現在-hold（ihmax）	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	電圧 -状態外	現在 -state（it （rms	電圧 -ゲートトリガー（ vgt ）（最大）	現在 -非担当者サージ50、60Hz	現在 -ゲートトリガー（ Igt ）（最大）	現在 -State	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	scr の数、ダイオード	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	vce（on max） @ vge	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	入力容量（ cies @ vce	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移	抵抗 -ベース（r1）	抵抗 -エミッターベース（r2）
IRL3502SPBF	-	RFQ	8861	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-263-3		モスフェット（金属酸化物）				d2pak	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50			nチャネル		20 v	110a（tc）	4.5V 、7V	7mohm @ 64a 、7v	700MV @ 250µA （最小）	110 NC @ 4.5 v	±10V	4700 PF @ 15 V	-	140W
TT330N14KOFHPSA2	-	RFQ	6839	Infineon Technologies	-	トレイ	廃止	-40°C〜130°C	シャーシマウント	モジュール	TT330N14			シリーズ接続 -すべてのscr			ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	SP001271506	ear99	8541.30.0080	3				300 Ma											1.6 kV	520 a	2 v	12500A @ 50Hz	200 ma	330 a										2 SCRS
IPS65R1K0CEAKMA2	0.4175	RFQ	4673	Infineon Technologies	coolmos™ce	チューブ	新しいデザインではありません	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-251-3 スタブリード、IPAK	IPS65R1	モスフェット（金属酸化物）				PG-to251-3-342	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,500			nチャネル		650 V	7.2a（tc）	10V	1OHM @ 1.5A 、10V	3.5V @ 200µA	15.3 NC @ 10 V	±20V	328 PF @ 100 V	-	68W （TC）
IRD3CH11DB6	-	RFQ	5848	Infineon Technologies	-	バルク	廃止		表面マウント	死ぬ	IRD3CH11	標準				死ぬ	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	SP001538788	ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns																				1200 v		2.7 V @ 25 a	190 ns	700 na @ 1200 v	-40°C〜150°C	25a	-
BC 807-40 E6433	-	RFQ	5729	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3	BC 807		330 MW			PG-SOT23	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	10,000																																45 v	500 Ma		100na（icbo）			PNP	700mv @ 50ma 、500ma	250 @ 100MA、1V	200MHz
BCR573E6327HTSA1	0.0838	RFQ	4291	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	前回購入します		表面マウント	TO-236-3	BCR573		330 MW			PG-SOT23	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	3,000																																50 v	500 Ma		100na（icbo）			pnp-前バイアス	300MV @ 2.5MA 、50mA	70 @ 50MA 、5V	150 MHz	1 KOHMS	10 Kohms
IRFR2307ZPBF	-	RFQ	5422	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	sicで中止されました	-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3		モスフェット（金属酸化物）				d-pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	75			nチャネル		75 v	42a	10V	16mohm @ 32a 、10V	4V @ 100µA	75 NC @ 10 V	±20V	2190 PF @ 25 V	-	110W
IRF3710ZSTRLPBF	1.9600	RFQ	26	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3	IRF3710	モスフェット（金属酸化物）				d2pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	800			nチャネル		100 V	59a（tc）	10V	18mohm @ 35a 、10V	4V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	2900 PF @ 25 V	-	160W
IRFS4610	-	RFQ	9160	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3		モスフェット（金属酸化物）				d2pak	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	*IRFS4610	ear99	8541.29.0095	50			nチャネル		100 V	73a（tc）	10V	14mohm @ 44a 、10V	4V @ 100µA	140 NC @ 10 V	±20V	3550 PF @ 50 V	-	190W
IRLL1503	-	RFQ	6701	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止		穴を通して	TO-261-4、TO-261AA		モスフェット（金属酸化物）				SOT-223	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	80			nチャネル		30 V	75a（ta）		3.3mohm @ 140a 、10V	4V @ 250µA	200 NC @ 10 V		5730 PF @ 25 V	-	-
BAV199E6359HTMA1	-	RFQ	1788	Infineon Technologies	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	前回購入します		表面マウント	TO-236-3	bav199	標準				PG-SOT23	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	3,000		小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度																			1ペアシリーズ接続	80 v	200MA （DC）	1.25 V @ 150 MA	1.5 µs	5 Na @ 75 V	150°C （最大）
IPF067N20NM6ATMA1	4.8760	RFQ	2728	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ										-	ROHS3準拠						1,000
FF450R12KE4PHOSA1	264.3550	RFQ	2866	Infineon Technologies	c	トレイ	アクティブ	-40°C〜150°C	シャーシマウント	モジュール	FF450R12				標準	モジュール	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	8	ハーフブリッジインバーター																														トレンチフィールドストップ	1200 v	450 a	2.15V @ 15V 、450A	5 Ma	いいえ	28 nf @ 25 v
IDH12SG60CXKSA2	6.8800	RFQ	3	Infineon Technologies	coolsic™+	チューブ	アクティブ		穴を通して	TO-220-2	IDH12SG60	sic （炭化シリコン）ショットキー				PG-to220-2-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50		回復時間なし> 500ma																				600 V		2.1 V @ 12 a	0 ns	100 µA @ 600 V	-55°C〜175°C	12a	310pf @ 1V、1MHz
IRFC8721ED	-	RFQ	9560	Infineon Technologies	-	バルク	廃止										ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	SP001570724	廃止	0000.00.0000	1						-
BCR133SH6327XTSA1	0.4600	RFQ	9	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	前回購入します		表面マウント	6-VSSOP 、SC-88 、SOT-363	BCR133		250MW			pg-sot363-po	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	3,000																																50V	100mA		-			2 npn- バイアス（デュアル）	300MV @ 500µA 、10mA	30 @ 5MA 、5V	130MHz	10kohms	10kohms
BCW60CE6327HTSA1	0.0492	RFQ	3814	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	前回購入します	150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3	BCW60		330 MW			PG-SOT23	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	3,000																																32 v	100 Ma		20na（icbo）			npn	550MV @ 1.25MA 、50mA	250 @ 2MA 、5V	250MHz
IPI80N06S208AKSA2	-	RFQ	7072	Infineon Technologies	Optimos™	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	穴を通して	To-262-3 Long Leads	IPI80N06	モスフェット（金属酸化物）				PG-to262-3-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	500			nチャネル		55 v	80a（tc）	10V	8mohm @ 58a 、10V	4V @ 150µA	96 NC @ 10 V	±20V	2860 PF @ 25 V	-	215W
BSC054N04NSGATMA1	0.9900	RFQ	35	Infineon Technologies	Optimos™	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	8-powertdfn	BSC054	モスフェット（金属酸化物）				PG-TDSON-8-5	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	5,000			nチャネル		40 v	17a	10V	5.4mohm @ 50a 、10V	4V @ 27µA	34 NC @ 10 V	±20V	2800 PF @ 20 V	-	2.5w
BAS16E6393HTSA1	-	RFQ	6270	Infineon Technologies	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	前回購入します		表面マウント	TO-236-3	BAS16	標準				PG-SOT23	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	SP000010204	ear99	8541.10.0070	3,000		高速回復= <500ns																				80 v		1.25 V @ 150 MA	4 ns	1 µA @ 75 V	150°C （最大）	250ma	2PF @ 0V、1MHz
IRF7452TRPBF	-	RFQ	6881	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）		モスフェット（金属酸化物）				8-SO	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	4,000			nチャネル		100 V	4.5a（ta）	10V	60mohm @ 2.7a、10V	5.5V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±30V	930 PF @ 25 V	-	2.5W
BC847BL3E6327XTMA1	0.1136	RFQ	3301	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	前回購入します	150°C （TJ）	表面マウント	SC-101 、SOT-883	BC847		250 MW			PG-TSLP-3-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	15,000																																45 v	100 Ma		15NA			npn	600MV @ 5MA 、100mA	200 @ 2MA 、5V	250MHz
BSS139 E6906	-	RFQ	8029	Infineon Technologies	SIPMOS®	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3		モスフェット（金属酸化物）				PG-SOT23	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	3,000			nチャネル		250 v	100ma（ta）	0V 、10V	14OHM @ 0.1MA 、10V	1V @ 56µA	3.5 NC @ 5 V	±20V	76 PF @ 25 V	枯渇モード	360MW
BUZ73AE3046XK	-	RFQ	9304	Infineon Technologies	SIPMOS®	チューブ	sicで中止されました	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3	buz73	モスフェット（金属酸化物）				PGから220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	500			nチャネル		200 v	5.5a（tc）	10V	600mohm @ 4.5a 、10V	4V @ 1MA		±20V	530 PF @ 25 V	-	40W （TC）
IRF9530NPBF	1.1600	RFQ	51	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3	IRF9530	モスフェット（金属酸化物）				TO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50			pチャネル		100 V	14a（tc）	10V	200mohm @ 8.4a 、10V	4V @ 250µA	58 NC @ 10 V	±20V	760 PF @ 25 V	-	79W
TZ740N22KS01HPSA3	-	RFQ	3246	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ	125°C （TJ）	シャーシマウント	モジュール	TZ740N22			シングル			ダウンロード					ear99	8541.30.0080	1				500 Ma											2.2 kv	1500 a	2 v	30000A @ 50Hz	250 Ma	819 a										1 SCR
IRFR5505TRR	-	RFQ	9969	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	to-252-3		モスフェット（金属酸化物）				d-pak	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	3,000			pチャネル		55 v	18a（tc）	10V	110mohm @ 9.6a 、10V	4V @ 250µA	32 NC @ 10 V	±20V	650 PF @ 25 V	-	57W
IRFZ48Z	-	RFQ	2726	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3		モスフェット（金属酸化物）				TO-220AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	*IRFZ48Z	ear99	8541.29.0095	50			nチャネル		55 v	61a（tc）	10V	11mohm @ 37a 、10V	4V @ 250µA	64 NC @ 10 V	±20V	1720 pf @ 25 v	-	91W
IRF9317PBF	-	RFQ	3454	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	sicで中止されました	-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）		モスフェット（金属酸化物）				8-SO	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	SP001572200	ear99	8541.29.0095	95			pチャネル		30 V	16a（ta）	4.5V 、10V	6.6mohm @ 16a 、10V	2.4V @ 50µA	92 NC @ 10 V	±20V	2820 PF @ 15 V	-	2.5W
BSZ42DN25NS3GATMA1	1.4100	RFQ	27	Infineon Technologies	Optimos™	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	8-powertdfn	BSZ42DN25	モスフェット（金属酸化物）				PG-TSDSON-8-2	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	5,000			nチャネル		250 v	5a（tc）	10V	425mohm @ 2.5a 、10V	4V @ 13µA	5.5 NC @ 10 V	±20V	430 PF @ 100 V	-	33.8W

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²