RFQ
ボム
お問い合わせ

Tel： +86-0755-83501315

メール：sales@sic-components.com

サインイン

日本語

離散半導体製品（16626）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	入力タイプ	テクノロジー	パワー -マックス	構造	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	フェットタイプ	現在-hold（ihmax）	テスト条件	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	電圧 -状態外	現在 -state（it （rms	電圧 -ゲートトリガー（ vgt ）（最大）	現在 -非担当者サージ50、60Hz	現在 -ゲートトリガー（ Igt ）（最大）	現在 -State	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	scr の数、ダイオード	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターパルス（ icm）	vce（on max） @ vge	エネルギーの切り替え	ゲートチャージ	TD （オン/オフ） @ 25°C	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	入力容量（ cies @ vce
IPI80N06S208AKSA2	-	RFQ	7072	Infineon Technologies	Optimos™	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	穴を通して	To-262-3 Long Leads	IPI80N06		モスフェット（金属酸化物）				PG-to262-3-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	500			nチャネル			55 v	80a（tc）	10V	8mohm @ 58a 、10V	4V @ 150µA	96 NC @ 10 V	±20V	2860 PF @ 25 V	-	215W
TZ740N22KS01HPSA3	-	RFQ	3246	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ	125°C （TJ）	シャーシマウント	モジュール	TZ740N22				シングル			ダウンロード					ear99	8541.30.0080	1				500 Ma												2.2 kv	1500 a	2 v	30000A @ 50Hz	250 Ma	819 a							1 SCR
IRFR5505TRR	-	RFQ	9969	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	to-252-3			モスフェット（金属酸化物）				d-pak	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	3,000			pチャネル			55 v	18a（tc）	10V	110mohm @ 9.6a 、10V	4V @ 250µA	32 NC @ 10 V	±20V	650 PF @ 25 V	-	57W
IRFZ48Z	-	RFQ	2726	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3			モスフェット（金属酸化物）				TO-220AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	*IRFZ48Z	ear99	8541.29.0095	50			nチャネル			55 v	61a（tc）	10V	11mohm @ 37a 、10V	4V @ 250µA	64 NC @ 10 V	±20V	1720 pf @ 25 v	-	91W
FF8MR12W1M1HB70BPSA1	207.7600	RFQ	2878	Infineon Technologies	-	トレイ	アクティブ				FF8MR12		-					-	ROHS3準拠		影響を受けていない				24														-
IRFC3415B	-	RFQ	9659	Infineon Technologies	hexfet®	バルク	廃止	-	表面マウント	死ぬ			モスフェット（金属酸化物）				死ぬ	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	448-IRFC3415B	廃止		1			-			150 v	43a	10V	42mohm @ 43a 、10V	-		-		-	-
IPD30N06S2L-23	-	RFQ	1850	Infineon Technologies	Optimos™	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3			モスフェット（金属酸化物）				PG-to252-3-11	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	1			nチャネル			55 v	30a（tc）	4.5V 、10V	23mohm @ 22a 、10V	2V @ 50µA	42 NC @ 10 V	±20V	1091 PF @ 25 V	-	100W （TC）
IRL3715STRL	-	RFQ	2559	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3			モスフェット（金属酸化物）				d2pak	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	800			nチャネル			20 v	54a（tc）	4.5V 、10V	14mohm @ 26a 、10v	3V @ 250µA	17 NC @ 4.5 v	±20V	1060 PF @ 10 V	-	3.8W （TA ）、71W（TC）
IRF7904TRPBF	1.1600	RFQ	7805	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	新しいデザインではありません	-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）	IRF7904		モスフェット（金属酸化物）	1.4W 、2W			8-SO	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	4,000	2 nチャンネル（ハーフブリッジ）					30V	7.6a 、11a		16.2mohm @ 7.6a 、10V	2.25V @ 25µA	11NC @ 4.5V		910pf @ 15V	ロジックレベルゲート
BSP613PH6327XTSA1	1.4100	RFQ	12	Infineon Technologies	SIPMOS®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-261-4、TO-261AA	BSP613		モスフェット（金属酸化物）				PG-SOT223-4	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000			pチャネル			60 V	2.9a（ta）	10V	130mohm @ 2.9a 、10V	4V @ 1MA	33 NC @ 10 V	±20V	875 PF @ 25 V	-	1.8W
64-2127pbf	-	RFQ	1976年年	Infineon Technologies	*	チューブ	アクティブ				64-2127							ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	SP001574284	ear99	8541.29.0095	50
IRFR2405TRPBF	1.6800	RFQ	82	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3	IRFR2405		モスフェット（金属酸化物）				d-pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,000			nチャネル			55 v	56a（tc）	10V	16mohm @ 34a 、10V	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	2430 pf @ 25 v	-	110W
IPA80R750P7XKSA1	1.9000	RFQ	1776	Infineon Technologies	coolmos™p7	チューブ	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3フルパック	IPA80R750		モスフェット（金属酸化物）				PG〜220-FP	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50			nチャネル			800 V	7a（tc）	10V	750mohm @ 2.7a 、10V	3.5V @ 140µA	17 NC @ 10 V	±20V	460 pf @ 500 v	-	27W （TC）
IPA60R280P7XKSA1	2.6000	RFQ	7736	Infineon Technologies	coolmos™p7	チューブ	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3フルパック	IPA60R280		モスフェット（金属酸化物）				PG〜220-FP	ダウンロード	ROHS3準拠	適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50			nチャネル			600 V	12a（tc）	10V	280mohm @ 3.8a 、10V	4V @ 190µA	18 NC @ 10 V	±20V	761 PF @ 400 v	-	24W （TC）
IAUT165N08S5N029ATMA2	3.9000	RFQ	9477	Infineon Technologies	Optimos™	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	8-POWERSFN	IAUT165		モスフェット（金属酸化物）				PG-HSOF-8-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,000			nチャネル			80 v	165a（tc）	6V 、10V	2.9mohm @ 80a 、10V	3.8V @ 108µA	90 NC @ 10 V	±20V	6370 PF @ 40 V	-	167W （TC）
IRGB8B60KPBF	-	RFQ	8397	Infineon Technologies	-	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3		標準		167 w			TO-220AB	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000					400V、5a 、100OHM、15V																								npt	600 V	28 a	26 a	2.2V @ 15V 、8a	160µj（オン）、160µj（オフ）	18.2 NC	23ns/140ns
2N7002L6327HTSA1	-	RFQ	2477	Infineon Technologies	Optimos™	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	2N7002		モスフェット（金属酸化物）				pg-sot23-po	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	3,000			nチャネル			60 V	300ma（ta）	4.5V 、10V	3OHM @ 500MA 、10V	2.5V @ 250µA	0.6 NC @ 10 V	±20V	20 pf @ 25 v	-	500MW
IRLR3110ZTRPBF	1.9700	RFQ	19	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3	IRLR3110		モスフェット（金属酸化物）				d-pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,000			nチャネル			100 V	42a	4.5V 、10V	14mohm @ 38a 、10V	2.5V @ 100µA	48 NC @ 4.5 v	±16V	3980 PF @ 25 V	-	140W
IPB108N15N3GATMA1	5.1900	RFQ	3	Infineon Technologies	Optimos™	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3	IPB108		モスフェット（金属酸化物）				PG-to263-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000			nチャネル			150 v	83a（tc）	8V 、10V	10.8mohm @ 83a 、10V	4V @ 160µA	55 NC @ 10 V	±20V	3230 PF @ 75 v	-	214W
IRFH7085TRPBF	1.9700	RFQ	5715	Infineon Technologies	strongirfet™	テープ＆リール（ tr）	新しいデザインではありません	-55°C〜150°C	表面マウント	8-POWERVDFN	IRFH7085		モスフェット（金属酸化物）				PQFN （5x6	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	4,000			nチャネル			60 V	100a（tc）	6V 、10V	3.2mohm @ 75a 、10V	3.7V @ 150µA	165 NC @ 10 V	±20V	6460 PF @ 25 V	-	156W
IPP042N03LGHKSA1	0.7048	RFQ	7462	Infineon Technologies	Optimos™	チューブ	新しいデザインではありません	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3	IPP042		モスフェット（金属酸化物）				PG-to220-3-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	SP000256161	ear99	8541.29.0095	500			nチャネル			30 V	70a	4.5V 、10V	4.2mohm @ 30a 、10V	2.2V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	3900 PF @ 15 V	-	79W
BSS119L6433HTMA1	-	RFQ	3816	Infineon Technologies	SIPMOS®	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3			モスフェット（金属酸化物）				PG-SOT23	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	10,000			nチャネル			100 V	170ma（ta）	4.5V 、10V	6ohm @ 170ma 、10V	2.3V @ 50µA	2.5 NC @ 10 V	±20V	78 PF @ 25 V	-	360MW
DZ1070N18KHPSA3	491.3700	RFQ	1	Infineon Technologies	-	トレイ	アクティブ		シャーシマウント	モジュール	DZ1070		標準				モジュール	ダウンロード	ROHS3準拠	適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns																				1800 v	1.11 V @ 3000 a	150 mA @ 1800 v	-40°C〜150°C	1100a	-
IRF3709STRL	-	RFQ	3979	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-263-3			モスフェット（金属酸化物）				d2pak	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	800			nチャネル			30 V	90a	4.5V 、10V	9mohm @ 15a 、10V	3V @ 250µA	41 NC @ 5 V	±20V	2672 PF @ 16 V	-	3.1W
BSM15GP120BPSA1	118.7113	RFQ	1870年	Infineon Technologies	-	トレイ	前回購入します	150°C （TJ）	シャーシマウント	モジュール	BSM15G			180 W		三相ブリッジ整流器	ag-econo2b	-	ROHS3準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	15	三相インバーター																												-	1200 v	35 a		2.55V @ 15V、15a				500 µA	はい	1 NF @ 25 V
BSC025N03MSG	1.0000	RFQ	3642	Infineon Technologies	Optimos™3	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	8-powertdfn			モスフェット（金属酸化物）				PG-TDSON-8-1	ダウンロード					ear99	8541.29.0095	1			nチャネル			30 V	23a（ta ）、 147a（tc）	4.5V 、10V	2.5mohm @ 30a 、10V	2V @ 250µA	98 NC @ 10 V	±20V	7600 PF @ 15 V	-	2.5W （TA ）、83W（TC）
ND89N12KHPSA1	128.3200	RFQ	15	Infineon Technologies	-	トレイ	アクティブ		シャーシマウント	モジュール	ND89N12		標準				BG-PB20-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	15		標準回復> 500ns																				1200 v		20 mA @ 1200 v	-40°C〜135°C	89a	-
IRF9Z34NSTRRPBF	-	RFQ	6101	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3	IRF9Z34		モスフェット（金属酸化物）				d2pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	800			pチャネル			55 v	19a（tc）	10V	100mohm @ 10a 、10V	4V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V	620 PF @ 25 V	-	3.8W （TA ）、68W（TC）
IRFR13N20DCPBF	-	RFQ	6143	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3			モスフェット（金属酸化物）				d-pak	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	75			nチャネル			200 v	13a（tc）	10V	235mohm @ 8a 、10V	5.5V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±30V	830 PF @ 25 V	-	110W
SI4435DYTR	-	RFQ	9626	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）			モスフェット（金属酸化物）				8-SO	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	4,000			pチャネル			30 V	8a（tc）	4.5V 、10V	20mohm @ 8a 、10V	1V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	2320 pf @ 15 v	-	2.5W

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²