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離散半導体製品（16626）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	入力タイプ	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	フェットタイプ	テスト条件	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターパルス（ icm）	vce（on max） @ vge	エネルギーの切り替え	ゲートチャージ	TD （オン/オフ） @ 25°C	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	入力容量（ cies @ vce	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移	抵抗 -ベース（r1）	抵抗 -エミッターベース（r2）
IKD04N60RAATMA1	-	RFQ	7332	Infineon Technologies	TrenchStop™	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜175°C	表面マウント	to-252-3		標準		75 W		PG-to252-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,500				400V 、4a 、43ohm、 15V													43 ns					溝	600 V	8 a	12 a	2.1V @ 15V 、4a	90µj（オン）、150µj（オフ）	27 NC	14ns/146ns
FP75R07N2E4B11BOSA1	-	RFQ	3725	Infineon Technologies	econopim™2	バルク	sicで中止されました	-40°C〜150°C	シャーシマウント	モジュール	FP75R07				標準	モジュール	ダウンロード		適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	10	三相インバーター																					トレンチフィールドストップ	650 V	75 a		1.95V @ 15V 、75a				1 Ma	はい	4.6 nf @ 25 v
IPA70R450P7SXKSA1	1.4600	RFQ	1	Infineon Technologies	coolmos™p7	チューブ	新しいデザインではありません	-40°C〜150°C （TJ	穴を通して	TO-220-3フルパック	IPA70R450		モスフェット（金属酸化物）			PG〜220-FP	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50			nチャネル		700 V	10a（tc）	10V	450mohm @ 2.3a 、10V	3.5V @ 120µA	13.1 NC @ 400 v	±16V	424 PF @ 400 v	-	22.7W
IRGR2B60KDPBF	-	RFQ	4094	Infineon Technologies	-	チューブ	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	to-252-3	IRGR2B60	標準		35 W		d-pak	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	3,000				400V、2A 、100OHM15V													68 ns					npt	600 V	6.3 a	8 a	2.25V @ 15V、2a	74µj（on 39µj （オフ）	12 NC	11ns/150ns
DZ1070N28KHPSA1	782.4600	RFQ	5082	Infineon Technologies	-	トレイ	アクティブ		シャーシマウント	モジュール	DZ1070		標準			モジュール	ダウンロード	ROHS3準拠	適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns													2800 v	1.52 V @ 3400 a		150 mA @ 2800 v	-40°C〜150°C	1070a	-
BCR148E6393HTSA1	-	RFQ	2755	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	前回購入します		表面マウント	TO-236-3	BCR148			200 MW		PG-SOT23	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	3,000																							50 v	100 Ma						100na（icbo）			npn-バイアス化	300MV @ 500µA 、10mA	70 @ 5MA 、5V	100 MHz	47 Kohms	47 Kohms
IDD09E60BUMA1	-	RFQ	7944	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	廃止		表面マウント	to-252-3	IDD09E60		標準			PG-to252-3	ダウンロード		3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2,500		高速回復= <500ns													600 V	2 V @ 9 a	75 ns	50 µA @ 600 V	-55°C〜175°C	19.3a	-
buz72a	1.0000	RFQ	1809	Infineon Technologies	*	バルク	アクティブ										-	ROHS非準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.29.0095	1
auirgf66524d0	-	RFQ	6620	Infineon Technologies	-	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-247-3	auirgf66524	標準		214 w		TO-247AD	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	400				400V 、24a 、10ohm15V													176 ns					-	600 V	60 a	72 a	1.9V @ 15V 、24a	915µj（on 280µj （オフ）	80 NC	30ns/75ns
IRG7T 300SD12B	-	RFQ	4217	Infineon Technologies	-	箱	廃止	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	Powir®62モジュール	IRG7T			1800 w	標準	Powir®62	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	15	シングル																					-	1200 v	600 a		2.2V @ 15V 、300A				4 Ma	いいえ	41.5 nf @ 25 v
BSC010N04LS6ATMA1	2.4600	RFQ	511	Infineon Technologies	Optimos™	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	8-powertdfn	BSC010		モスフェット（金属酸化物）			PG-TDSON-8-6	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	5,000			nチャネル		40 v	40a（タタ）、 100a（tc）	4.5V 、10V	1mohm @ 50a 、10V	2.3V @ 250µA	67 NC @ 4.5 v	±20V	4600 PF @ 20 V	-	3W （TA）、150W（TC）
IPP08CN10L g	-	RFQ	5742	Infineon Technologies	Optimos™	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3	IPP08C		モスフェット（金属酸化物）			PGから220-3	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	500			nチャネル		100 V	98a（tc）	4.5V 、10V	8mohm @ 98a 、10V	2.4V @ 130µA	90 NC @ 10 V	±20V	8610 PF @ 50 V	-	167W （TC）
auirf1404	-	RFQ	7628	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3	auirf1404		モスフェット（金属酸化物）			TO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	SP001522606	ear99	8541.29.0095	50			nチャネル		40 v	160a（tc）	10V	4mohm @ 121a 、10v	4V @ 250µA	196 NC @ 10 V	±20V	5669 PF @ 25 V	-	333W （TC）
rjh60f7bdpq-a0＃t0	-	RFQ	3616	Infineon Technologies	-	バルク	廃止										-				2156-RJH60F7BDPQ-A0＃T0			1
1IRF3710PBF	1.0000	RFQ	4010	Infineon Technologies	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3			モスフェット（金属酸化物）			TO-220	ダウンロード						0000.00.0000	1			nチャネル		100 V	57a（tc）	10V	23mohm @ 28a 、10v	4V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±20V	3130 PF @ 25 V	-	200W （TC）
IRFB4321PBF	3.3200	RFQ	1	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3	IRFB4321		モスフェット（金属酸化物）			TO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	100			nチャネル		150 v	85a（tc）	10V	15mohm @ 33a 、10V	5V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±30V	4460 PF @ 50 V	-	350W
バット54 B5003	-	RFQ	9227	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	廃止		表面マウント	TO-236-3	バット54		ショットキー			PG-SOT23	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	3,000		小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度													30 V	800 mV @ 100 Ma	5 ns	2 µA @ 25 V	150°C （最大）	200mA	10pf @ 1V、1MHz
FP25R12KT4B11BPSA1	83.4800	RFQ	15	Infineon Technologies	econopim™2	トレイ	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	モジュール	FP25R12			160 W	三相ブリッジ整流器	ag-econo2b	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	15	三相インバーター																					トレンチフィールドストップ	1200 v	25 a		2.15V @ 15V 、25a				1 Ma	はい	1.45 nf @ 25 v
IPD80R900P7	1.0000	RFQ	9636	Infineon Technologies	*	バルク	アクティブ										ダウンロード					ear99	8541.29.0095	1
IPD50R2K0CEAUMA1	0.6500	RFQ	3183	Infineon Technologies	coolmos™ce	テープ＆リール（ tr）	新しいデザインではありません	-55°C〜150°C	表面マウント	to-252-3	IPD50R2		モスフェット（金属酸化物）			PG-to252-3	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,500			nチャネル		500 V	2.4a（tc）	13V	2OHM @ 600MA、13V	3.5V @ 50µA	6 NC @ 10 V	±20V	124 PF @ 100 V	-	33W （TC）
BAL99	-	RFQ	3268	Infineon Technologies	aec-q101	バルク	アクティブ		表面マウント	TO-236-3			標準			SOT23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	8,959		高速回復= <500ns													80 v	1.25 V @ 150 MA	4 ns	1 µA @ 70 V	150°C （最大）	250ma	1.5pf @ 0V、1MHz
IRLU7833PBF	-	RFQ	8334	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	穴を通して	to-251-3			モスフェット（金属酸化物）			i-pak	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	SP001553270	ear99	8541.29.0095	75			nチャネル		30 V	140a（tc）	4.5V 、10V	4.5mohm @ 15a 、10V	2.3V @ 250µA	50 NC @ 4.5 v	±20V	4010 PF @ 15 V	-	140W
BCR166W	0.0300	RFQ	8567	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ		表面マウント	SC-70、SOT-323	BCR166			250 MW		PG-SOT323-3-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	8,893																							50 v	100 Ma						100na（icbo）			pnp-前バイアス	300MV @ 500µA 、10mA	70 @ 5MA 、5V	160 MHz	4.7 Kohms	47 Kohms
IDH09G65C5XKSA2	4.9500	RFQ	2220	Infineon Technologies	coolsic™+	チューブ	新しいデザインではありません		穴を通して	TO-220-2	IDH09G65		sic （炭化シリコン）ショットキー			PG-to220-2-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	SP001633154	ear99	8541.10.0080	50		回復時間なし> 500ma													650 V	1.7 V @ 9 a	0 ns	160 µA @ 650 v	-55°C〜175°C	9a	270pf @ 1V、1MHz
IPSA70R1K4CEAKMA1	-	RFQ	3917	Infineon Technologies	-	チューブ	廃止	-40°C〜150°C （TJ	穴を通して	to-251-3	IPSA70		モスフェット（金属酸化物）			PG-to251-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	SP001605398	ear99	8541.29.0095	75			nチャネル		700 V	5.4a（tc）	10V	1.4OHM @ 1A 、10V	3.5V @ 100µA	10.5 NC @ 10 V	±20V	225 PF @ 100 V	-	53W
IRGSL15B60KDPBF-INF	1.4100	RFQ	250	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	To-262-3 Long Leads		標準		208 w		TO-262	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1				400V、15A 、22OHM 、15V																		npt	600 V	31 a	62 a	2.2V @ 15V 、15a	220µj（オン）、340µj（オフ）	56 NC	34ns/184ns
IPU80R2K0P7AKMA1	1.1100	RFQ	4726	Infineon Technologies	coolmos™p7	チューブ	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	to-251-3	IPU80R2		モスフェット（金属酸化物）			PG-to251-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,500			nチャネル		800 V	3a（tc）	10V	2OHM @ 940MA 、10V	3.5V @ 50µA	9 NC @ 10 V	±20V	175 pf @ 500 v	-	24W （TC）
IRF5802	-	RFQ	1440	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止		表面マウント	SOT-23-6薄い、TSOT-23-6			モスフェット（金属酸化物）			micro6™（tsop-6）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	100			nチャネル		150 v	900ma（ta）	10V	1.2OHM @ 540MA 、10V	5.5V @ 250µA	6.8 NC @ 10 V	±30V	88 PF @ 25 V	-	2W （TA）
IRLH6224TRPBF	1.4200	RFQ	3	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	8-powertdfn	IRLH6224		モスフェット（金属酸化物）			8-PQFN	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	4,000			nチャネル		20 v	28a（ta ）、 105a （tc）	2.5V 、4.5V	3mohm @ 20a 、4.5v	1.1V @ 50µA	86 NC @ 10 V	±12V	3710 PF @ 10 V	-	3.6W
BSZ0901NSIATMA1	1.5300	RFQ	9	Infineon Technologies	Optimos™	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	8-powertdfn	BSZ0901		モスフェット（金属酸化物）			PG-TSDSON-8-FL	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	5,000			nチャネル		30 V	25a（タタ）、40a	4.5V 、10V	2.1mohm @ 20a 、10V	2.2V @ 250µA	41 NC @ 10 V	±20V	2600 PF @ 15 V	ショットキーダイオード（ボディ）	2.1W

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²