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離散半導体製品（16626）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	電圧 -定格	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	入力タイプ	頻度	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	フェットタイプ	現在の評価（ amp）	テスト条件	現在 -テスト	電力 -出力	得	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	ノイズ図	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターパルス（ icm）	vce（on max） @ vge	エネルギーの切り替え	ゲートチャージ	TD （オン/オフ） @ 25°C	電圧 -テスト	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	入力容量（ cies @ vce	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移	抵抗 -ベース（r1）	抵抗 -エミッターベース（r2）
BCR166W	0.0300	RFQ	8567	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ			表面マウント	SC-70、SOT-323	BCR166				250 MW		PG-SOT323-3-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	8,893																														50 v	100 Ma							100na（icbo）			pnp-前バイアス	300MV @ 500µA 、10mA	70 @ 5MA 、5V	160 MHz	4.7 Kohms	47 Kohms
IDH09G65C5XKSA2	4.9500	RFQ	2220	Infineon Technologies	coolsic™+	チューブ	新しいデザインではありません			穴を通して	TO-220-2	IDH09G65			sic （炭化シリコン）ショットキー			PG-to220-2-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	SP001633154	ear99	8541.10.0080	50		回復時間なし> 500ma																			650 V		1.7 V @ 9 a	0 ns	160 µA @ 650 v	-55°C〜175°C	9a	270pf @ 1V、1MHz
IPSA70R1K4CEAKMA1	-	RFQ	3917	Infineon Technologies	-	チューブ	廃止		-40°C〜150°C （TJ	穴を通して	to-251-3	IPSA70			モスフェット（金属酸化物）			PG-to251-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	SP001605398	ear99	8541.29.0095	75			nチャネル						700 V	5.4a（tc）	10V	1.4OHM @ 1A 、10V	3.5V @ 100µA	10.5 NC @ 10 V	±20V	225 PF @ 100 V	-	53W
IRGSL15B60KDPBF-INF	1.4100	RFQ	250	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	To-262-3 Long Leads		標準			208 w		TO-262	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1					400V、15A 、22OHM 、15V																								npt	600 V	31 a	62 a	2.2V @ 15V 、15a	220µj（オン）、340µj（オフ）	56 NC	34ns/184ns
IPU80R2K0P7AKMA1	1.1100	RFQ	4726	Infineon Technologies	coolmos™p7	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	to-251-3	IPU80R2			モスフェット（金属酸化物）			PG-to251-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,500			nチャネル						800 V	3a（tc）	10V	2OHM @ 940MA 、10V	3.5V @ 50µA	9 NC @ 10 V	±20V	175 pf @ 500 v	-	24W （TC）
IRF5802	-	RFQ	1440	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止			表面マウント	SOT-23-6薄い、TSOT-23-6				モスフェット（金属酸化物）			micro6™（tsop-6）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	100			nチャネル						150 v	900ma（ta）	10V	1.2OHM @ 540MA 、10V	5.5V @ 250µA	6.8 NC @ 10 V	±30V	88 PF @ 25 V	-	2W （TA）
IRLH6224TRPBF	1.4200	RFQ	3	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	8-powertdfn	IRLH6224			モスフェット（金属酸化物）			8-PQFN	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	4,000			nチャネル						20 v	28a（ta ）、 105a （tc）	2.5V 、4.5V	3mohm @ 20a 、4.5v	1.1V @ 50µA	86 NC @ 10 V	±12V	3710 PF @ 10 V	-	3.6W
BSZ0901NSIATMA1	1.5300	RFQ	9	Infineon Technologies	Optimos™	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	8-powertdfn	BSZ0901			モスフェット（金属酸化物）			PG-TSDSON-8-FL	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	5,000			nチャネル						30 V	25a（タタ）、40a	4.5V 、10V	2.1mohm @ 20a 、10V	2.2V @ 250µA	41 NC @ 10 V	±20V	2600 PF @ 15 V	ショットキーダイオード（ボディ）	2.1W
SIGC11T60SNCX1SA2	-	RFQ	8400	Infineon Technologies	-	バルク	廃止		-55°C〜150°C	表面マウント	死ぬ	SIGC11	標準					死ぬ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		廃止		1					400V 、10A 、25OHM15V																								npt	600 V	10 a	30 a	2.4V @ 15V 、10a	-		28ns/198ns
IPB60R070CFD7ATMA1	6.9500	RFQ	41	Infineon Technologies	coolmos™cfd7	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	TO-263-3	IPB60R070			モスフェット（金属酸化物）			PG-to263-3-2	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000			nチャネル						600 V	31a（tc）	10V	70mohm @ 15.1a 、10V	4.5V @ 760µA	67 NC @ 10 V	±20V	2721 PF @ 400 v	-	156W
BAS16E6393	0.0300	RFQ	144	Infineon Technologies	aec-q101	バルク	アクティブ			表面マウント	TO-236-3	BAS16			標準				ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	3,000		高速回復= <500ns																			80 v		1.25 V @ 150 MA	4 ns	1 µA @ 75 V	150°C （最大）	250ma	2PF @ 0V、1MHz
IRGB4059DPBF	-	RFQ	7227	Infineon Technologies	-	チューブ	廃止		-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3		標準			56 W		TO-220AB	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50					400V 、4a 、100OHM、15V																			55 ns					溝	600 V	8 a	16 a	2.05V @ 15V 、4a	35µj（on 75µj （オフ）	9 NC	25ns/65ns
IRF7855PBF	-	RFQ	3996	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	sicで中止されました		-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）				モスフェット（金属酸化物）			8-SO	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	95			nチャネル						60 V	12a（ta）	10V	9.4mohm @ 12a 、10V	4.9V @ 100µA	39 NC @ 10 V	±20V	1560 PF @ 25 V	-	2.5W
IDW20G65C5BXKSA2	11.2900	RFQ	240	Infineon Technologies	coolsic™+	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-247-3	IDW20G65			sic （炭化シリコン）ショットキー			PG-to247-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	30		回復時間なし> 500ma																			650 V		1.7 V @ 10 a	0 ns	180 µA @ 650 v	-55°C〜175°C	10a	300pf @ 1V、1MHz
PTFA211801F V4 R250	-	RFQ	5938	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	65 v		表面マウント	2 フラットパック、フィンのリード、フランジ	PTFA211801		2.14GHz	ldmos			H-37260-2	ダウンロード		3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	250				10µA		1.2 a	35W	15.5dB											-																		28 v
IPB60R099C7ATMA1	6.2800	RFQ	5932	Infineon Technologies	coolmos™c7	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	TO-263-3	IPB60R099			モスフェット（金属酸化物）			PG-to263-3-2	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000			nチャネル						600 V	22a（tc）	10V	99mohm @ 9.7a 、10V	4V @ 490µA	42 NC @ 10 V	±20V	1819 pf @ 400 v	-	110W
BC857CWH6327XTSA1	0.0558	RFQ	2228	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	前回購入します		150°C （TJ）	表面マウント	SC-70、SOT-323	BC857				250 MW		PG-SOT323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	3,000																														45 v	100 Ma							15NA			PNP	650mv @ 5ma 、100ma	420 @ 2MA 、5V	250MHz
IPP65R090CFD7XKSA1	6.3700	RFQ	487	Infineon Technologies	coolmos™cfd7	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3	IPP65R			モスフェット（金属酸化物）			PGから220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50			nチャネル						650 V	25a（tc）	10V	90mohm @ 12.5a 、10V	4.5V @ 630µA	53 NC @ 10 V	±20V	2513 PF @ 400 v	-	127W
HFA15TB60PBF	-	RFQ	9436	Infineon Technologies	hexfred®	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-2	HFA15			標準			TO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns																			600 V		1.7 V @ 15 a	60 ns	10 µA @ 600 V	-55°C〜150°C	15a	-
IRF7335D1TR	-	RFQ	4348	Infineon Technologies	fetky™	テープ＆リール（ tr）	廃止		-55°C〜150°C	表面マウント	14-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）	IRF733			モスフェット（金属酸化物）	2W		14-SOIC	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	Q1902365	ear99	8541.29.0095	4,000	2 n チャネル（デュアル）非対称								30V	10a		17.5mohm @ 10a 、4.5V	1V @ 250µA	20NC @ 4.5V		1500pf @ 15V	ロジックレベルゲート
PTFA192401EV4R250FTMA1	-	RFQ	6936	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	65 v		シャーシマウント	H-36260-2	PTFA192401		1.96GHz	ldmos			H-36260-2	ダウンロード		3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	250				10µA		1.6 a	50W	16dB											-																		30 V
FF300R06KE3HOSA1	164.8300	RFQ	1476	Infineon Technologies	c	トレイ	アクティブ		-40°C〜150°C	シャーシマウント	モジュール	FF300R06				940 w	標準	モジュール	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	10	2独立																												トレンチフィールドストップ	600 V	400 a		1.9V @ 15V 、300A					5 Ma	いいえ	19 nf @ 25 v
IPA060N06NXKSA1	2.0100	RFQ	484	Infineon Technologies	Optimos™	チューブ	アクティブ		-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3フルパック	IPA060			モスフェット（金属酸化物）			PG〜220-FP	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50			nチャネル						60 V	45a（tc）	6V 、10V	6mohm @ 45a 、10V	3.3V @ 36µA	32 NC @ 10 V	±20V	2500 PF @ 30 V	-	33W （TC）
BCR 101T E6327	-	RFQ	2100	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました			表面マウント	SC-75、SOT-416	BCR 101				250 MW		PG-SC75-3D	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	3,000																														50 v	50 Ma							100na（icbo）			npn-バイアス化	300MV @ 250µA 、5MA	70 @ 5MA 、5V	100 MHz	100 Kohms	100 Kohms
IRFC240NB	-	RFQ	1279	Infineon Technologies	hexfet®	バルク	廃止		-	表面マウント	死ぬ				モスフェット（金属酸化物）			死ぬ	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	448-IRFC240NB	廃止		1			-						200 v	-	-	-	-		-		-	-
IPB65R110CFDATMA1	3.8773	RFQ	1946年年	Infineon Technologies	coolmos™	テープ＆リール（ tr）	前回購入します		-55°C〜150°C	表面マウント	TO-263-3	IPB65R110			モスフェット（金属酸化物）			PG-to263-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000			nチャネル						650 V	31.2a	10V	110mohm @ 12.7a 、10V	4.5V @ 1.3MA	118 NC @ 10 V	±20V	3240 PF @ 100 V	-	277.8W
BAS7005WH6327XTSA1	0.4200	RFQ	6	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	SC-70、SOT-323	BAS7005			ショットキー			PG-SOT323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	3,000		小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度																		1ペア共通カソード	70 v	70ma	1 V @ 15 mA	100 ps	100 Na @ 50 V	150°C （最大）
FP50R12KT4B11BOSA1	-	RFQ	5919	Infineon Technologies	econopim™2	バルク	sicで中止されました		-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	モジュール	FP50R12				280 W	標準	モジュール	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	10	三相インバーター																												トレンチフィールドストップ	1200 v	50 a		2.15V @ 15V 、50a					1 Ma	はい	2.8 nf @ 25 v
IPB60R190P6ATMA1	-	RFQ	5729	Infineon Technologies	CoolMos™P6	テープ＆リール（ tr）	廃止		-55°C〜150°C	表面マウント	TO-263-3	IPB60R			モスフェット（金属酸化物）			PG-to263-3	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000			nチャネル						600 V	20.2a	10V	190mohm @ 7.6a 、10V	4.5V @ 630µA	37 NC @ 10 V	±20V	1750 PF @ 100 V	-	151W
IRFS41N15DTRR	-	RFQ	6923	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	廃止		-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3				モスフェット（金属酸化物）			d2pak	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	800			nチャネル						150 v	41a（tc）	10V	45mohm @ 25a 、10V	5.5V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±30V	2520 PF @ 25 V	-	3.1W

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²