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離散半導体製品（16626）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	入力タイプ	テクノロジー	パワー -マックス	構造	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	フェットタイプ	現在-hold（ihmax）	テスト条件	得	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	電圧 -状態外	現在 -state（it （rms	電圧 -ゲートトリガー（ vgt ）（最大）	現在 -非担当者サージ50、60Hz	現在 -ゲートトリガー（ Igt ）（最大）	現在 -State	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	scr の数、ダイオード	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターパルス（ icm）	vce（on max） @ vge	エネルギーの切り替え	ゲートチャージ	TD （オン/オフ） @ 25°C	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	入力容量（ cies @ vce	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移	抵抗 -ベース（r1）	抵抗 -エミッターベース（r2）	ノイズフィギュア（DBタイプ @ f）
IRL3714ZS	-	RFQ	4534	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3			モスフェット（金属酸化物）				d2pak	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	*IRL3714ZS	ear99	8541.29.0095	50			nチャネル				20 v	36a（tc）	4.5V 、10V	16mohm @ 15a 、10V	2.55V @ 250µA	7.2 NC @ 4.5 v	±20V	550 PF @ 10 V	-	35W （TC）
IRF7453TRPBF	-	RFQ	5182	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）			モスフェット（金属酸化物）				8-SO	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	4,000			nチャネル				250 v	2.2a（ta）	10V	230mohm @ 1.3a 、10V	5.5V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±30V	930 PF @ 25 V	-	2.5W
IRLR8503PBF	-	RFQ	3456	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	to-252-3			モスフェット（金属酸化物）				d-pak	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	75			nチャネル				30 V	44a（tc）	4.5V 、10V	16mohm @ 15a 、10V	3V @ 250µA	20 NC @ 5 V	±20V	1650 PF @ 25 V	-	62W
IRFR120NPBF	-	RFQ	4484	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	sicで中止されました	-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3			モスフェット（金属酸化物）				d-pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	3,000			nチャネル				100 V	9.4a（tc）	10V	210mohm @ 5.6a 、10V	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	330 PF @ 25 V	-	48W （TC）
IHW40N135R3FKSA1	-	RFQ	3080	Infineon Technologies	-	チューブ	廃止	-40°C〜175°C	穴を通して	TO-247-3	IHW40	標準		429 w			PG-to247-3	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	240					600V 、40A 、7.5OHM、15V																										溝	1350 v	80 a	120 a	1.85V @ 15V 、40a	2.5MJ （オフ）	365 NC	- /343ns
IRF7241TRPBF	0.9700	RFQ	22	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）	IRF7241		モスフェット（金属酸化物）				8-SO	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	4,000			pチャネル				40 v	6.2a（ta）	4.5V 、10V	41mohm @ 6.2a 、10V	3V @ 250µA	80 NC @ 10 V	±20V	3220 PF @ 25 V	-	2.5W
T1590N54P179XPSA1	-	RFQ	9730	Infineon Technologies	*	トレイ	廃止				T1590N							-		1 （無制限）	影響を受けていない		廃止	0000.00.0000	1
IRL3502SPBF	-	RFQ	8861	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-263-3			モスフェット（金属酸化物）				d2pak	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50			nチャネル				20 v	110a（tc）	4.5V 、7V	7mohm @ 64a 、7v	700MV @ 250µA （最小）	110 NC @ 4.5 v	±10V	4700 PF @ 15 V	-	140W
IPI100N08N3GHKSA1	-	RFQ	9283	Infineon Technologies	Optimos™	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	穴を通して	To-262-3 Long Leads	IPI100N		モスフェット（金属酸化物）				PG-to262-3	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	500			nチャネル				80 v	70a	6V 、10V	10mohm @ 46a 、10V	3.5V @ 46µA	35 NC @ 10 V	±20V	2410 pf @ 40 v	-	100W （TC）
SIDC73D170E6X1SA2	-	RFQ	1531	Infineon Technologies	-	バルク	sicで中止されました		表面マウント	死ぬ	SIDC73D		標準				ホイル上の鋸	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns																					1700 v	2.15 V @ 100 a		27 µA @ 1700 v	-40°C〜175°C	100a	-
IPS65R1K0CEAKMA2	0.4175	RFQ	4673	Infineon Technologies	coolmos™ce	チューブ	新しいデザインではありません	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-251-3 スタブリード、IPAK	IPS65R1		モスフェット（金属酸化物）				PG-to251-3-342	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,500			nチャネル				650 V	7.2a（tc）	10V	1OHM @ 1.5A 、10V	3.5V @ 200µA	15.3 NC @ 10 V	±20V	328 PF @ 100 V	-	68W （TC）
IRL540NSTRRPBF	-	RFQ	9138	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました		表面マウント	TO-263-3			モスフェット（金属酸化物）				d2pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	SP001550372	ear99	8541.29.0095	800			nチャネル				100 V	36a（tc）	4V 、10V	44mohm @ 18a 、10V	2V @ 250µA	74 NC @ 5 V	±16V	1800 pf @ 25 v	-	3.8W
IRD3CH31DD6	-	RFQ	1878年年	Infineon Technologies	-	バルク	廃止				IRD3CH31							ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1
IRFR3710ZTRR	-	RFQ	8926	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3			モスフェット（金属酸化物）				d-pak	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	SP001575918	ear99	8541.29.0095	3,000			nチャネル				100 V	42a	10V	18mohm @ 33a 、10V	4V @ 250µA	100 NC @ 10 V	±20V	2930 PF @ 25 V	-	140W
SPD04N50C3ATMA1	1.7100	RFQ	10	Infineon Technologies	coolmos™	テープ＆リール（ tr）	新しいデザインではありません	-55°C〜150°C	表面マウント	to-252-3	SPD04N50		モスフェット（金属酸化物）				PG-to252-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,500			nチャネル				500 V	4.5a	10V	950mohm @ 2.8a 、10V	3.9V @ 200µA	22 NC @ 10 V	±20V	470 PF @ 25 V	-	50W （TC）
auirlr3636	-	RFQ	8781	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3	auirlr3636		モスフェット（金属酸化物）				d-pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	SP001520390	ear99	8541.29.0095	3,000			nチャネル				60 V	50a（tc）	4.5V 、10V	6.8mohm @ 50a 、10V	2.5V @ 100µA	49 NC @ 4.5 v	±16V	3779 PF @ 50 V	-	143W
TT92N16KOFKHPSA1	-	RFQ	5525	Infineon Technologies	-	バルク	廃止	-40°C〜130°C	シャーシマウント	モジュール	TT92N				一般的なカソード -すべてのscr			ダウンロード		適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.30.0080	15				200 ma													1.6 kV	160 a	1.4 v	2050A @ 50Hz	120 Ma	104 a								2 SCRS
BCR 116S E6727	-	RFQ	6152	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	廃止		表面マウント	6-VSSOP 、SC-88 、SOT-363	BCR 116			250MW			pg-sot363-po	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	3,000																																50V	100mA						-			2 npn- バイアス（デュアル）	300MV @ 500µA 、10mA	70 @ 5MA 、5V	150MHz	4.7kohms	47kohms
IRFI3205PBF	3.2300	RFQ	1	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3フルパック	IRFI3205		モスフェット（金属酸化物）				TO-220AB FULL-PAK	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50			nチャネル				55 v	64a（tc）	10V	8mohm @ 34a 、10V	4V @ 250µA	170 NC @ 10 V	±20V	4000 pf @ 25 V	-	63W
BFR193E6327HTSA1	0.4000	RFQ	5590	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3	BFR193			580MW			PG-SOT23	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	3,000						10db〜15db																										12V	80ma									npn		70 @ 30MA 、8V	8GHz			1DB〜1.6DB @ 900MHz〜1.8GHz
IRF6628TRPBF	-	RFQ	3980	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜150°C （TJ	表面マウント	directfet™mx			モスフェット（金属酸化物）				DirectFet™MX	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	4,800			nチャネル				25 v	27a（ta ）、160a（tc）	4.5V 、10V	2.5mohm @ 27a 、10V	2.35V @ 100µA	47 NC @ 4.5 v	±20V	3770 PF @ 15 V	-	2.8W
IRF7335D1TR	-	RFQ	4348	Infineon Technologies	fetky™	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	14-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）	IRF733		モスフェット（金属酸化物）	2W			14-SOIC	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	Q1902365	ear99	8541.29.0095	4,000	2 n チャネル（デュアル）非対称						30V	10a		17.5mohm @ 10a 、4.5V	1V @ 250µA	20NC @ 4.5V		1500pf @ 15V	ロジックレベルゲート
BSZ0901NSIATMA1	1.5300	RFQ	9	Infineon Technologies	Optimos™	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	8-powertdfn	BSZ0901		モスフェット（金属酸化物）				PG-TSDSON-8-FL	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	5,000			nチャネル				30 V	25a（タタ）、40a	4.5V 、10V	2.1mohm @ 20a 、10V	2.2V @ 250µA	41 NC @ 10 V	±20V	2600 PF @ 15 V	ショットキーダイオード（ボディ）	2.1W
IDH08SG60CXKSA2	5.7600	RFQ	3263	Infineon Technologies	coolsic™+	チューブ	アクティブ		穴を通して	TO-220-2	IDH08SG60		sic （炭化シリコン）ショットキー				PG-to220-2-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50		回復時間なし> 500ma																					600 V	2.1 V @ 8 a	0 ns	70 µA @ 600 V	-55°C〜175°C	8a	240pf @ 1V、1MHz
FD800R33KF2CKNOSA1	-	RFQ	5406	Infineon Technologies	IHM-A	バルク	廃止	-40°C〜125°C	シャーシマウント	モジュール	FD800R33			9600 w		標準	モジュール	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	シングルチョッパー																														-	3300 v			4.25V @ 15V 、800A				5 Ma	いいえ	100 nf @ 25 v
IPP80N06S207AKSA4	-	RFQ	8135	Infineon Technologies	Optimos™	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3	IPP80N06		モスフェット（金属酸化物）				PG-to220-3-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	500			nチャネル				55 v	80a（tc）	10V	6.6mohm @ 68a 、10V	4V @ 180µA	110 NC @ 10 V	±20V	3400 PF @ 25 V	-	250W
auirfs8409	-	RFQ	3891	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3	IRFS8409		モスフェット（金属酸化物）				PG-to263-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000			nチャネル				40 v	195a（tc）	10V	1.2mohm @ 100a 、10V	3.9V @ 250µA	450 NC @ 10 V	±20V	14240 PF @ 25 V	-	375W
IPS65R1K4C6	-	RFQ	2101	Infineon Technologies	coolmos™c6	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	to-251-3			モスフェット（金属酸化物）				PG-to251-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1			nチャネル				650 V	3.2a		1.4OHM @ 1A 、10V	3.5V @ 100µA	10.5 NC @ 10 V	±20V	225 PF @ 100 V	-	28W （TC）
IPB60R099C7ATMA1	6.2800	RFQ	5932	Infineon Technologies	coolmos™c7	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-263-3	IPB60R099		モスフェット（金属酸化物）				PG-to263-3-2	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000			nチャネル				600 V	22a（tc）	10V	99mohm @ 9.7a 、10V	4V @ 490µA	42 NC @ 10 V	±20V	1819 pf @ 400 v	-	110W
IRGSL15B60KDPBF-INF	1.4100	RFQ	250	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	To-262-3 Long Leads		標準		208 w			TO-262	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1					400V、15A 、22OHM 、15V																										npt	600 V	31 a	62 a	2.2V @ 15V 、15a	220µj（オン）、340µj（オフ）	56 NC	34ns/184ns

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²