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離散半導体製品（16626）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	入力タイプ	テクノロジー	パワー -マックス	構造	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	フェットタイプ	現在-hold（ihmax）	テスト条件	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	電圧 -状態外	現在 -state（it （rms	電圧 -ゲートトリガー（ vgt ）（最大）	現在 -非担当者サージ50、60Hz	現在 -ゲートトリガー（ Igt ）（最大）	現在 -State	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	scr の数、ダイオード	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターパルス（ icm）	vce（on max） @ vge	エネルギーの切り替え	ゲートチャージ	TD （オン/オフ） @ 25°C	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	入力容量（ cies @ vce
IPA60R280P7XKSA1	2.6000	RFQ	7736	Infineon Technologies	coolmos™p7	チューブ	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3フルパック	IPA60R280		モスフェット（金属酸化物）				PG〜220-FP	ダウンロード	ROHS3準拠	適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50			nチャネル			600 V	12a（tc）	10V	280mohm @ 3.8a 、10V	4V @ 190µA	18 NC @ 10 V	±20V	761 PF @ 400 v	-	24W （TC）
IAUT165N08S5N029ATMA2	3.9000	RFQ	9477	Infineon Technologies	Optimos™	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	8-POWERSFN	IAUT165		モスフェット（金属酸化物）				PG-HSOF-8-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,000			nチャネル			80 v	165a（tc）	6V 、10V	2.9mohm @ 80a 、10V	3.8V @ 108µA	90 NC @ 10 V	±20V	6370 PF @ 40 V	-	167W （TC）
IRGB8B60KPBF	-	RFQ	8397	Infineon Technologies	-	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3		標準		167 w			TO-220AB	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000					400V、5a 、100OHM、15V																								npt	600 V	28 a	26 a	2.2V @ 15V 、8a	160µj（オン）、160µj（オフ）	18.2 NC	23ns/140ns
2N7002L6327HTSA1	-	RFQ	2477	Infineon Technologies	Optimos™	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	2N7002		モスフェット（金属酸化物）				pg-sot23-po	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	3,000			nチャネル			60 V	300ma（ta）	4.5V 、10V	3OHM @ 500MA 、10V	2.5V @ 250µA	0.6 NC @ 10 V	±20V	20 pf @ 25 v	-	500MW
SIPC03N50C3X1SA1	-	RFQ	6848	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ				SIPC03							-	ROHS3準拠	2（1 年）	影響を受けていない	SP000014882		0000.00.0000	1							-
IRLR3110ZTRPBF	1.9700	RFQ	19	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3	IRLR3110		モスフェット（金属酸化物）				d-pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,000			nチャネル			100 V	42a	4.5V 、10V	14mohm @ 38a 、10V	2.5V @ 100µA	48 NC @ 4.5 v	±16V	3980 PF @ 25 V	-	140W
IPB108N15N3GATMA1	5.1900	RFQ	3	Infineon Technologies	Optimos™	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3	IPB108		モスフェット（金属酸化物）				PG-to263-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000			nチャネル			150 v	83a（tc）	8V 、10V	10.8mohm @ 83a 、10V	4V @ 160µA	55 NC @ 10 V	±20V	3230 PF @ 75 v	-	214W
IRFH7085TRPBF	1.9700	RFQ	5715	Infineon Technologies	strongirfet™	テープ＆リール（ tr）	新しいデザインではありません	-55°C〜150°C	表面マウント	8-POWERVDFN	IRFH7085		モスフェット（金属酸化物）				PQFN （5x6	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	4,000			nチャネル			60 V	100a（tc）	6V 、10V	3.2mohm @ 75a 、10V	3.7V @ 150µA	165 NC @ 10 V	±20V	6460 PF @ 25 V	-	156W
IPP042N03LGHKSA1	0.7048	RFQ	7462	Infineon Technologies	Optimos™	チューブ	新しいデザインではありません	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3	IPP042		モスフェット（金属酸化物）				PG-to220-3-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	SP000256161	ear99	8541.29.0095	500			nチャネル			30 V	70a	4.5V 、10V	4.2mohm @ 30a 、10V	2.2V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	3900 PF @ 15 V	-	79W
BSS119L6433HTMA1	-	RFQ	3816	Infineon Technologies	SIPMOS®	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3			モスフェット（金属酸化物）				PG-SOT23	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	10,000			nチャネル			100 V	170ma（ta）	4.5V 、10V	6ohm @ 170ma 、10V	2.3V @ 50µA	2.5 NC @ 10 V	±20V	78 PF @ 25 V	-	360MW
IRFU3910PBF	1.1200	RFQ	5	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	to-251-3	IRFU3910		モスフェット（金属酸化物）				IPAK（TO-251AA）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	75			nチャネル			100 V	16a（tc）	10V	115mohm @ 10a 、10v	4V @ 250µA	44 NC @ 10 V	±20V	640 PF @ 25 V	-	79W
DZ1070N18KHPSA3	491.3700	RFQ	1	Infineon Technologies	-	トレイ	アクティブ		シャーシマウント	モジュール	DZ1070		標準				モジュール	ダウンロード	ROHS3準拠	適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns																				1800 v	1.11 V @ 3000 a	150 mA @ 1800 v	-40°C〜150°C	1100a	-
IRF3709STRL	-	RFQ	3979	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-263-3			モスフェット（金属酸化物）				d2pak	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	800			nチャネル			30 V	90a	4.5V 、10V	9mohm @ 15a 、10V	3V @ 250µA	41 NC @ 5 V	±20V	2672 PF @ 16 V	-	3.1W
BSM15GP120BPSA1	118.7113	RFQ	1870年	Infineon Technologies	-	トレイ	前回購入します	150°C （TJ）	シャーシマウント	モジュール	BSM15G			180 W		三相ブリッジ整流器	ag-econo2b	-	ROHS3準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	15	三相インバーター																												-	1200 v	35 a		2.55V @ 15V、15a				500 µA	はい	1 NF @ 25 V
BSC025N03MSG	1.0000	RFQ	3642	Infineon Technologies	Optimos™3	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	8-powertdfn			モスフェット（金属酸化物）				PG-TDSON-8-1	ダウンロード					ear99	8541.29.0095	1			nチャネル			30 V	23a（ta ）、 147a（tc）	4.5V 、10V	2.5mohm @ 30a 、10V	2V @ 250µA	98 NC @ 10 V	±20V	7600 PF @ 15 V	-	2.5W （TA ）、83W（TC）
FP50R12W2T7BPSA1	73.4700	RFQ	2889	Infineon Technologies	Easypim™	トレイ	アクティブ	-40°C〜175°C	シャーシマウント	モジュール	FP50R12			20 MW		三相ブリッジ整流器	ag-easy2b	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	15	三相インバーター																												トレンチフィールドストップ	1200 v	50 a		-				8 µA	はい	11.1 nf @ 25 v
T1081N70TOHPRXPSA1	3.0000	RFQ	9782	Infineon Technologies	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜125°C	シャーシマウント	TO-200AF	T1081N70				シングル			-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.30.0080	2				350 Ma												7 kV	2040 a	2.5 v	35000A @ 50Hz	350 Ma	1800 a							1 SCR
IPS50R520CPAKMA1	-	RFQ	7632	Infineon Technologies	coolmos™	バルク	廃止	-55°C〜150°C	穴を通して	to-251-3	IPS50R		モスフェット（金属酸化物）				PG-to251-3	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	SP001130978	ear99	8541.29.0095	1			nチャネル			500 V	7.1a（tc）	10V	520mohm @ 3.8a 、10V	3.5V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	680 PF @ 100 V	-	66W
ND89N12KHPSA1	128.3200	RFQ	15	Infineon Technologies	-	トレイ	アクティブ		シャーシマウント	モジュール	ND89N12		標準				BG-PB20-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	15		標準回復> 500ns																				1200 v		20 mA @ 1200 v	-40°C〜135°C	89a	-
IRF9Z34NSTRRPBF	-	RFQ	6101	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3	IRF9Z34		モスフェット（金属酸化物）				d2pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	800			pチャネル			55 v	19a（tc）	10V	100mohm @ 10a 、10V	4V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V	620 PF @ 25 V	-	3.8W （TA ）、68W（TC）
IRFR13N20DCPBF	-	RFQ	6143	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3			モスフェット（金属酸化物）				d-pak	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	75			nチャネル			200 v	13a（tc）	10V	235mohm @ 8a 、10V	5.5V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±30V	830 PF @ 25 V	-	110W
SI4435DYTR	-	RFQ	9626	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）			モスフェット（金属酸化物）				8-SO	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	4,000			pチャネル			30 V	8a（tc）	4.5V 、10V	20mohm @ 8a 、10V	1V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	2320 pf @ 15 v	-	2.5W
IPD50R520CPATMA1	-	RFQ	6587	Infineon Technologies	coolmos™cp	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	to-252-3	IPD50R520		モスフェット（金属酸化物）				PG-to252-3-313	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	SP001117706	ear99	8541.29.0095	2,500			nチャネル			500 V	7.1a（tc）	10V	520mohm @ 3.8a 、10V	3.5V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	680 PF @ 100 V	-	66W
IPD65R225C7ATMA1	2.9200	RFQ	2	Infineon Technologies	coolmos™c7	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	to-252-3	IPD65R225		モスフェット（金属酸化物）				PG-to252-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,500			nチャネル			650 V	11a（tc）	10V	225mohm @ 4.8a 、10V	4V @ 240µA	20 NC @ 10 V	±20V	996 PF @ 400 v	-	63W
IPA60R380C6XKSA1	2.6200	RFQ	4301	Infineon Technologies	coolmos™	チューブ	新しいデザインではありません	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3フルパック	IPA60R380		モスフェット（金属酸化物）				PG〜220-FP	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50			nチャネル			600 V	10.6a（tc）	10V	380mohm @ 3.8a 、10V	3.5V @ 320µA	32 NC @ 10 V	±20V	700 pf @ 100 V	-	31W （TC）
IRL3102SPBF	-	RFQ	2199	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-263-3			モスフェット（金属酸化物）				d2pak	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50			nチャネル			20 v	61a（tc）	4.5V 、7V	13mohm @ 37a 、7v	700MV @ 250µA （最小）	58 NC @ 4.5 v	±10V	2500 PF @ 15 V	-	89W
BSD316SNH6327XTSA1	0.4700	RFQ	2	Infineon Technologies	Optimos™	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	6-VSSOP 、SC-88 、SOT-363	BSD316		モスフェット（金属酸化物）				pg-sot363-po	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	3,000			nチャネル			30 V	1.4a（ta）	4.5V 、10V	160mohm @ 1.4a 、10V	2V @ 3.7µA	0.6 NC @ 5 V	±20V	94 PF @ 15 V	-	500MW
IRF7353D1PBF	-	RFQ	5871	Infineon Technologies	fetky™	チューブ	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）			モスフェット（金属酸化物）				8-SO	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	SP001559814	ear99	8541.29.0095	95			nチャネル			30 V	6.5a（ta）	4.5V 、10V	32mohm @ 5.8a 、10V	1V @ 250µA	33 NC @ 10 V	±20V	650 PF @ 25 V	ショットキーダイオード（分離）	2W （TA）
IPB65R280E6ATMA1	-	RFQ	3958	Infineon Technologies	coolmos™e6	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-263-3	IPB65R		モスフェット（金属酸化物）				PG-to263-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	SP000795274	ear99	8541.29.0095	1,000			nチャネル			650 V	13.8a	10V	280mohm @ 4.4a 、10V	3.5V @ 440µA	45 NC @ 10 V	±20V	950 PF @ 100 V	-	104W
FF200R12KE3HOSA1	168.1200	RFQ	1	Infineon Technologies	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜125°C	シャーシマウント	モジュール	FF200R12			1050 w		標準	モジュール	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	10	2独立																												-	1200 v			2.15V @ 15V 、200A				5 Ma	はい	14 nf @ 25 v

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²