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離散半導体製品（16626）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	入力タイプ	テクノロジー	パワー -マックス	構造	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	フェットタイプ	現在 -マックス	現在-hold（ihmax）	テスト条件	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	電圧 -状態外	現在 -state（it （rms	電圧 -ゲートトリガー（ vgt ）（最大）	現在 -非担当者サージ50、60Hz	現在 -ゲートトリガー（ Igt ）（最大）	現在 -State	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	scr の数、ダイオード	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターパルス（ icm）	vce（on max） @ vge	エネルギーの切り替え	ゲートチャージ	TD （オン/オフ） @ 25°C	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	入力容量（ cies @ vce	@ @ if、f	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移	抵抗 -ベース（r1）	抵抗 -エミッターベース（r2）
auirfp46310z	-	RFQ	3344	Infineon Technologies	*	バルク	アクティブ											-	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.29.0095	1
BSC022N04LSATMA1	1.6300	RFQ	4	Infineon Technologies	Optimos™	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	8-powertdfn	BSC022		モスフェット（金属酸化物）				PG-TDSON-8-6	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	5,000			nチャネル				40 v	100a（tc）	4.5V 、10V	2.2mohm @ 50a 、10V	2V @ 250µA	37 NC @ 10 V	±20V	2600 PF @ 20 V	-	2.5W
IPT012N06NATMA1	6.2800	RFQ	1	Infineon Technologies	Optimos™	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	8-POWERSFN	IPT012		モスフェット（金属酸化物）				PG-HSOF-8-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,000			nチャネル				60 V	240a	6V 、10V	1.2mohm @ 100a 、10V	3.3V @ 143µA	124 NC @ 10 V	±20V	9750 PF @ 30 V	-	214W
SPN01N60C3	-	RFQ	5670	Infineon Technologies	coolmos™	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-261-4、TO-261AA	SPN01N		モスフェット（金属酸化物）				PG-SOT223-4	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000			nチャネル				650 V	300ma（ta）	10V	6OHM @ 500MA 、10V	3.7V @ 250µA	5 NC @ 10 V	±20V	100 pf @ 25 v	-	1.8W
BSM400GA120DLCHOSA1	244.5380	RFQ	6605	Infineon Technologies	-	トレイ	前回購入します	-40°C〜125°C	シャーシマウント	モジュール	BSM400			2500 W		標準	モジュール	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	10	シングル																														-	1200 v	625 a		2.6V @ 15V 、400A						5 Ma	いいえ	26 nf @ 25 v
SIDC04D60F6X1SA3	-	RFQ	1806	Infineon Technologies	-	バルク	廃止		表面マウント	死ぬ	SIDC04		標準				ホイル上の鋸	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns																					600 V	1.6 V @ 9 a		27 µA @ 600 v	-40°C〜150°C	9a	-
BCR 166L3 E6327	-	RFQ	7083	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました		表面マウント	SC-101 、SOT-883	BCR 166			250 MW			PG-TSLP-3-4	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	15,000																																50 v	100 Ma								100na（icbo）				pnp-前バイアス	300MV @ 500µA 、10mA	70 @ 5MA 、5V	160 MHz	4.7 Kohms	47 Kohms
IRG7PG42UDPBF	-	RFQ	1074	Infineon Technologies	-	チューブ	廃止	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-247-3	IRG7PG	標準		320 W			TO-247AC	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	SP001532794	ear99	8541.29.0095	25						600V 、30A 、10OHM15V																			153 ns						溝	1000 V	85 a	90 a	2V @ 15V、30A	2.11MJ	157 NC	25ns/229ns
IPP055N03LGXKSA1	1.2900	RFQ	3070	Infineon Technologies	Optimos™	チューブ	新しいデザインではありません	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3	IPP055		モスフェット（金属酸化物）				PGから220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50			nチャネル				30 V	50a（tc）	4.5V 、10V	5.5mohm @ 30a 、10V	2.2V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±20V	3200 PF @ 15 V	-	68W （TC）
IRFS7534TRLPBF	3.2100	RFQ	1	Infineon Technologies	hexfet®、 strongirfet™	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-7	IRFS7534		モスフェット（金属酸化物）				PG-to263-7	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	800			nチャネル				60 V	195a（tc）	6V 、10V	2.4mohm @ 100a 、10V	3.7V @ 250µA	279 NC @ 10 V	±20V	10034 PF @ 25 V	-	294W
IPD60R600CPATMA1	-	RFQ	1174	Infineon Technologies	coolmos™cp	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	to-252-3	IPD60R		モスフェット（金属酸化物）				PG-to252-3	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	SP000680642	ear99	8541.29.0095	2,500			nチャネル				600 V	6.1a（tc）	10V	600mohm @ 3.3a 、10V	3.5V @ 220µA	27 NC @ 10 V	±20V	550 PF @ 100 V	-	60W （TC）
IMBG65R022M1HXTMA1	23.5900	RFQ	8466	Infineon Technologies	coolsic™	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-8	IMBG65		sicfet （炭化シリコン）				PG-to263-7-12	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	448-IMBG65R022M1HXTMA1DKR	ear99	8541.29.0095	1,000			nチャネル				650 V	64a（tc）	18V	30mohm @ 41.1a、18V	5.7V @ 12.3MA	67 NC @ 18 V	+23V、-5V	2288 PF @ 400 v	-	300W （TC）
SIPC10N65C3X1SA2	-	RFQ	8939	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ	-	-	-	SIPC10		-				-	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	SP001611950	ear99	8541.29.0095	1			-					-	-	-	-		-		-	-
IPS80R1K2P7AKMA1	0.6448	RFQ	1246	Infineon Technologies	coolmos™p7	チューブ	新しいデザインではありません	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-251-3 スタブリード、IPAK	IPS80R1		モスフェット（金属酸化物）				PG-to251-3-342	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,500			nチャネル				800 V	4.5a	10V	1.2OHM @ 1.7A 、10V	3.5V @ 80µA	11 NC @ 10 V	±20V	300 pf @ 500 v	-	37W （TC）
SGB02N120CT	-	RFQ	9419	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-263-3	SGB02N	標準		62 w			PG-to263-3-2	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.29.0095	1						800V 、2A 、91OHM、15V																									npt	1200 v	6.2 a	9.6 a	3.6V @ 15V 、2a	220µj	11 NC	23ns/260ns
IRF1010EZL	-	RFQ	1039	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	穴を通して	To-262-3 Long Leads			モスフェット（金属酸化物）				TO-262	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	*IRF1010EZL	ear99	8541.29.0095	50			nチャネル				60 V	75a（tc）	10V	8.5mohm @ 51a 、10V	4V @ 100µA	86 NC @ 10 V	±20V	2810 pf @ 25 v	-	140W
IRF7534D1TR	-	RFQ	7119	Infineon Technologies	fetky™	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	8-tssop 、8-msop （0.118 "、3.00mm 幅）			モスフェット（金属酸化物）				micro8™	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	4,000			pチャネル				20 v	4.3a（ta）	2.5V 、4.5V	55mohm @ 4.3a 、4.5V	1.2V @ 250µA	15 NC @ 5 V	±12V	1066 PF @ 10 V	ショットキーダイオード（分離）	1.25W
バー90-07LRH E6327	-	RFQ	4284	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	150°C （TJ）		4-xfdfn	bar90						PG-TSLP-4-7	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	15,000				100 Ma												250 MW													0.35pf @ 1V、1MHz										ピン-2独立	80V				800mohm @ 10ma 、100MHz
IRF7338TRPBF	-	RFQ	5915	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）	IRF733		モスフェット（金属酸化物）	2W			8-SO	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	4,000	nおよびpチャネル						12V	6.3a、3a		34mohm @ 6a 、4.5V	1.5V @ 250µA	8.6NC @ 4.5V		640pf @ 9V	ロジックレベルゲート
IPB60R099CPATMA1	9.4000	RFQ	6	Infineon Technologies	coolmos™cp	テープ＆リール（ tr）	新しいデザインではありません	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-263-3	IPB60R099		モスフェット（金属酸化物）				PG-to263-3-2	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000			nチャネル				600 V	31a（tc）	10V	99mohm @ 18a 、10v	3.5V @ 1.2MA	80 NC @ 10 V	±20V	2800 PF @ 100 V	-	255W
FP25R12W2T7B11BPSA1	61.1600	RFQ	10	Infineon Technologies	Easypim™	トレイ	アクティブ	-40°C〜175°C	シャーシマウント	モジュール	FP25R12			20 MW		三相ブリッジ整流器	ag-easy2b-2	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	15	三相インバーター																														トレンチフィールドストップ	1200 v	25 a		1.6V @ 15V 、25a						5.6 µA	はい	4.77 NF @ 25 V
IPU60R1K4C6BKMA1	-	RFQ	1895年	Infineon Technologies	coolmos™	バルク	sicで中止されました	-55°C〜155°C	穴を通して	to-251-3	IPU60R		モスフェット（金属酸化物）				PG-to251-3	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1			nチャネル				600 V	3.2a	10V	1.4OHM @ 1.1A 、10V	3.5V @ 90µA	9.4 NC @ 10 V	±20V	200 pf @ 100 V	-	28.4W
IRF3305PBF	-	RFQ	5819	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3			モスフェット（金属酸化物）				TO-220AB	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50			nチャネル				55 v	75a（tc）	10V	8mohm @ 75a 、10V	4V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±20V	3650 PF @ 25 V	-	330W
SPW47N60C3FKSA1	18.4700	RFQ	1	Infineon Technologies	coolmos™	チューブ	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-247-3	SPW47N60		モスフェット（金属酸化物）				PG-to247-3-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	30			nチャネル				650 V	47a（tc）	10V	70mohm @ 30a 、10V	3.9V @ 2.7MA	320 NC @ 10 V	±20V	6800 PF @ 25 V	-	415W
RKP404KS-1＃Q1	-	RFQ	7592	Infineon Technologies	-	バルク	廃止											-				2156-RKP404KS-1 ＃Q1			1
BCR 503 B6327	-	RFQ	6516	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました		表面マウント	TO-236-3	BCR 503			330 MW			PG-SOT23	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	30,000																																50 v	500 Ma								100na（icbo）				npn-バイアス化	300MV @ 2.5MA 、50mA	40 @ 50ma 、5v	100 MHz	2.2 KOHMS	2.2 KOHMS
IPS040N03LGBKMA1	-	RFQ	5772	Infineon Technologies	Optimos™	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-251-3 スタブリード、IPAK			モスフェット（金属酸化物）				PG-to251-3-11	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,500			nチャネル				30 V	90a	4.5V 、10V	4mohm @ 30a 、10V	2.2V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	3900 PF @ 15 V	-	79W
auirfs4410ztrl-inf	-	RFQ	8524	Infineon Technologies	aec-q101	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3			モスフェット（金属酸化物）				d2pak	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1			nチャネル				100 V	97a（tc）	10V	9mohm @ 58a 、10V	4V @ 1.037MA	120 NC @ 10 V	±20V	4820 PF @ 50 V	-	230W
FF3MR12KM1PHOSA1	-	RFQ	8312	Infineon Technologies	coolsic™	トレイ	廃止	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	モジュール	FF3MR12		モスフェット（金属酸化物）	-			AG-62mm	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	8	2 nチャンネル（ハーフブリッジ）						1200V（1.2kv）	375a		2.83mohm @ 375a、15V	5.15V @ 168ma	1000NC @ 15V		29800PF @ 25V	-
T2510N06TOFVTPRXPSA1	-	RFQ	2478	Infineon Technologies	-	トレイ	廃止	-40°C〜125°C	クランプオン	TO-200AC	T2510N				シングル			-		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.30.0080	1					300 Ma												600 V	4900 a	1.5 v	46000A @ 50Hz	250 Ma	2510 a								1 SCR

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²