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離散半導体製品（16626）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	フェットタイプ	得	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	vce（on max） @ vge	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	入力容量（ cies @ vce	トランジスタタイプ	DC電流ゲイン	頻度 -遷移	ノイズフィギュア（DBタイプ @ f）
IPA60R099C6XKSA1	4.8603	RFQ	8409	Infineon Technologies	coolmos™	チューブ	前回購入します	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3フルパック	IPA60R099	モスフェット（金属酸化物）			PG〜220-FP	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50			nチャネル		600 V	37.9a	10V	99mohm @ 18.1a、10V	3.5V @ 1.21MA	119 NC @ 10 V	±20V	2660 PF @ 100 V	-	35W （TC）
FF600R12KE7EHPSA1	310.8200	RFQ	10	Infineon Technologies	c	トレイ	アクティブ	-40°C〜175°C	シャーシマウント	モジュール	FF600R12			標準	AG-62mmhb	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	10	ハーフブリッジインバーター																							トレンチフィールドストップ	1200 v	600 a	1.75V @ 15V 、600A	100 µA	いいえ	92.3 nf @ 25 v
IPI60R199CPXKSA2	4.6000	RFQ	500	Infineon Technologies	coolmos®	チューブ	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	To-262-3 Long Leads	IPI60R199	モスフェット（金属酸化物）			PG-to262-3-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない			0000.00.0000	500			nチャネル		600 V	16a（tc）	10V	199mohm @ 9.9a 、10V	3.5V @ 660µA	43 NC @ 10 V	±20V	1520 pf @ 100 V	-	139W
IRLM9301TRPBF	0.4900	RFQ	25	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	IRLML9301	モスフェット（金属酸化物）			Micro3™/SOT-23	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	3,000			pチャネル		30 V	3.6a（ta）	4.5V 、10V	64mohm @ 3.6a 、10V	2.4V @ 10µA	4.8 NC @ 4.5 v	±20V	388 PF @ 25 V	-	1.3W
BSS126L6906HTSA1	-	RFQ	3837	Infineon Technologies	SIPMOS®	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3		モスフェット（金属酸化物）			PG-SOT23	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	3,000			nチャネル		600 V	21ma（ta）	0V 、10V	500OHM @ 16MA 、10V	1.6V @ 8µA	2.1 NC @ 5 V	±20V	28 pf @ 25 v	枯渇モード	500MW
IPI037N06L3GHKSA1	-	RFQ	9773	Infineon Technologies	Optimos™	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	穴を通して	To-262-3 Long Leads	IPI037N	モスフェット（金属酸化物）			PG-to262-3	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	500			nチャネル		60 V	90a	10V	3.7mohm @ 90a 、10V	2.2V @ 93µA	79 NC @ 4.5 v	±20V	13000 pf @ 30 V	-	167W
IRFU6215PBF	-	RFQ	7571	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	穴を通して	to-251-3		モスフェット（金属酸化物）			IPAK（TO-251AA）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	3,000			pチャネル		150 v	13a（tc）	10V	295mohm @ 6.6a 、10V	4V @ 250µA	66 NC @ 10 V	±20V	860 PF @ 25 V	-	110W
BAS4005E6433HTMA1	0.4200	RFQ	17	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		表面マウント	TO-236-3	BAS4005	ショットキー			PG-SOT23	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	10,000		小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度													1ペア共通カソード	40 v	120ma	1 V @ 40 mA	100 ps	1 µA @ 30 V	150°C （最大）
D121N18BXPSA1	-	RFQ	5825	Infineon Technologies	-	バルク	廃止		スタッドマウント	DO-205AA	D121N	標準			-	ダウンロード		適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns														1800 v				20 mA @ 1800 v	-40°C〜180°C	230A	-
BSC084P03NS3GATMA1	1.4300	RFQ	8	Infineon Technologies	Optimos™	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	8-powertdfn	BSC084	モスフェット（金属酸化物）			PG-TDSON-8-5	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	5,000			pチャネル		30 V	14.9a	6V 、10V	8.4mohm @ 50a 、10V	3.1V @ 105µA	58 NC @ 10 V	±25V	4785 PF @ 15 V	-	2.5W
IPB80N06S2L07ATMA3	3.0800	RFQ	1672	Infineon Technologies	Optimos™	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3	IPB80N	モスフェット（金属酸化物）			PG-to263-3-2	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000			nチャネル		55 v	80a（tc）	4.5V 、10V	6.7mohm @ 60a 、10V	2V @ 150µA	130 NC @ 10 V	±20V	3160 PF @ 25 V	-	210W
IPP60R105CFD7XKSA1	5.8000	RFQ	187	Infineon Technologies	coolmos™cfd7	チューブ	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3	IPP60R105	モスフェット（金属酸化物）			PGから220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50			nチャネル		600 V	21a（tc）	10V	105mohm @ 9.3a 、10V	4.5V @ 470µA	42 NC @ 10 V	±20V	1752 PF @ 400 v	-	106W
IPP040N06NAKSA1	2.0800	RFQ	415	Infineon Technologies	Optimos™	チューブ	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3	IPP040	モスフェット（金属酸化物）			PGから220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50			nチャネル		60 V	20a（タタ）、 80a（tc）	6V 、10V	4mohm @ 80a 、10V	2.8V @ 50µA	38 NC @ 10 V	±20V	2700 PF @ 30 V	-	3W （TA ）、107W（TC）
IPB100N08S207ATMA1	2.3255	RFQ	3979	Infineon Technologies	Optimos™	テープ＆リール（ tr）	新しいデザインではありません	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3	IPB100	モスフェット（金属酸化物）			PG-to263-3-2	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000			nチャネル		75 v	100a（tc）	10V	6.8mohm @ 80a 、10V	4V @ 250µA	200 NC @ 10 V	±20V	4700 PF @ 25 V	-	300W （TC）
IRFSL4010PBF	3.9800	RFQ	1	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	To-262-3 Long Leads	IRFSL4010	モスフェット（金属酸化物）			TO-262	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50			nチャネル		100 V	180a（tc）	10V	4.7mohm @ 106a 、10v	4V @ 250µA	215 NC @ 10 V	±20V	9575 PF @ 50 V	-	375W
IRLR8726TRPBF	0.6800	RFQ	1	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3	IRLR8726	モスフェット（金属酸化物）			d-pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,000			nチャネル		30 V	86a（tc）	4.5V 、10V	5.8mohm @ 25a 、10V	2.35V @ 50µA	23 NC @ 4.5 v	±20V	2150 PF @ 15 V	-	75W
IRF3315L	-	RFQ	1454	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	穴を通して	To-262-3 Long Leads		モスフェット（金属酸化物）			TO-262	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	*IRF3315L	ear99	8541.29.0095	50			nチャネル		150 v	21a（tc）	10V	82mohm @ 12a 、10v	4V @ 250µA	95 NC @ 10 V	±20V	1300 PF @ 25 V	-	3.8W
SPW20N60C3FKSA1	6.6600	RFQ	2	Infineon Technologies	coolmos™	チューブ	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-247-3	SPW20N60	モスフェット（金属酸化物）			PG-to247-3-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	30			nチャネル		650 V	20.7a（tc）	10V	190mohm @ 13.1a 、10V	3.9V @ 1MA	114 NC @ 10 V	±20V	2400 PF @ 25 V	-	208W
IRFB7446PBF	1.4700	RFQ	4	Infineon Technologies	hexfet®、 strongirfet™	チューブ	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3	IRFB7446	モスフェット（金属酸化物）			TO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50			nチャネル		40 v	120a（tc）	6V 、10V	3.3mohm @ 70a 、10V	3.9V @ 100µA	93 NC @ 10 V	±20V	3183 PF @ 25 V	-	99W
SPD03N60C3BTMA1	-	RFQ	2270	Infineon Technologies	coolmos™	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	to-252-3	SPD03N	モスフェット（金属酸化物）			PG-to252-3-11	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,500			nチャネル		650 V	3.2a	10V	1.4OHM @ 2A 、10V	3.9V @ 135µA	17 NC @ 10 V	±20V	400 pf @ 25 V	-	38W
IRFSL7430PBF	-	RFQ	1788	Infineon Technologies	hexfet®、 strongirfet™	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3	IRFSL7430	モスフェット（金属酸化物）			d2pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	SP001557608	ear99	8541.29.0095	1,000			nチャネル		40 v	195a（tc）	6V 、10V	1.2mohm @ 100a 、10V	3.9V @ 250µA	460 NC @ 10 V	±20V	14240 PF @ 25 V	-	375W
BSC090N03MSGATMA1	-	RFQ	7816	Infineon Technologies	Optimos™	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	8-powertdfn	BSC090	モスフェット（金属酸化物）			PG-TDSON-8-5	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	5,000			nチャネル		30 V	12a（タタ）、48a（tc）	4.5V 、10V	9mohm @ 30a 、10V	2V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±20V	1900 PF @ 15 V	-	2.5W
BSS315PL6327HTSA1	-	RFQ	6022	Infineon Technologies	Optimos™	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3		モスフェット（金属酸化物）			PG-SOT23	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	3,000			pチャネル		30 V	1.5a（ta）	4.5V 、10V	150mohm @ 1.5a 、10V	2V @ 11µA	2.3 NC @ 5 V	±20V	282 PF @ 15 V	-	500MW
IRF7104PBF	-	RFQ	8767	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	sicで中止されました	-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）	IRF71	モスフェット（金属酸化物）	2W		8-SO	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	95	2 P-Channel （デュアル）				20V	2.3a		250mohm @ 1a 、10V	3V @ 250µA	25NC @ 10V		290pf @ 15V	ロジックレベルゲート
PTFA092213ELV4R250XTMA2	-	RFQ	1987年年	Infineon Technologies	*	テープ＆リール（ tr）	廃止									ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	SP001128134	ear99	8541.29.0075	250
IRFS7537PBF	-	RFQ	8726	Infineon Technologies	hexfet®、 strongirfet™	チューブ	sicで中止されました	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3		モスフェット（金属酸化物）			d2pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50			nチャネル		60 V	173a	6V 、10V	3.3mohm @ 100a 、10V	3.7V @ 150µA	210 NC @ 10 V	±20V	7020 PF @ 25 V	-	230W
IPB100N06S3L-03	-	RFQ	7059	Infineon Technologies	Optimos™	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3	IPB100N	モスフェット（金属酸化物）			PG-to263-3-2	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000			nチャネル		55 v	100a（tc）	5V、10V	2.7mohm @ 80a 、10V	2.2V @ 230µA	550 NC @ 10 V	±16V	26240 PF @ 25 V	-	300W （TC）
IPP070N08N3 g	-	RFQ	1510	Infineon Technologies	Optimos™	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3	IPP070N	モスフェット（金属酸化物）			PGから220-3	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	500			nチャネル		80 v	80a（tc）	6V 、10V	7mohm @ 73a 、10V	3.5V @ 73µA	56 NC @ 10 V	±20V	3840 PF @ 40 V	-	136W
IPB60R230P6ATMA1	-	RFQ	9288	Infineon Technologies	CoolMos™P6	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-263-4 、D²pak（3リード +タブ）、 To-263AA	IPB60R	モスフェット（金属酸化物）			PG-to263-3-1	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	SP001364466	ear99	8541.29.0095	1,000			nチャネル		600 V	16.8a	10V	230mohm @ 6.4a 、10V	4.5V @ 530µA	31 NC @ 10 V	±20V	1450 PF @ 100 V	-	126W
BFR193FH6327XTSA1	0.5400	RFQ	9	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	150°C （TJ）	表面マウント	SOT-723	BFR193		580MW		PG-TSFP-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	3,000				12.5dB																					12V	80ma					npn	70 @ 30MA 、8V	8GHz	1DB〜1.6DB @ 900MHz〜1.8GHz

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²