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離散半導体製品（16626）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	入力タイプ	テクノロジー	パワー -マックス	構造	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	フェットタイプ	現在-hold（ihmax）	テスト条件	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	電圧 -状態外	現在 -state（it （rms	電圧 -ゲートトリガー（ vgt ）（最大）	現在 -非担当者サージ50、60Hz	現在 -ゲートトリガー（ Igt ）（最大）	現在 -State	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	scr の数、ダイオード	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターパルス（ icm）	vce（on max） @ vge	エネルギーの切り替え	ゲートチャージ	TD （オン/オフ） @ 25°C	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	入力容量（ cies @ vce	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移	抵抗 -ベース（r1）	抵抗 -エミッターベース（r2）
IRFB42N20DPBF	-	RFQ	5948	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3			モスフェット（金属酸化物）				TO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000			nチャネル			200 v	44a（tc）	10V	55mohm @ 26a 、10V	5.5V @ 250µA	140 NC @ 10 V	±30V	3430 PF @ 25 V	-	2.4W
FS75R12KE3GBOSA1	186.7800	RFQ	7084	Infineon Technologies	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜125°C	シャーシマウント	モジュール	FS75R12			355 W		標準	モジュール	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	10	三相インバーター																													-	1200 v	100 a		2.15V @ 15V 、75a				5 Ma	はい	5.3 nf @ 25 v
IPP120N04S401AKSA1	-	RFQ	7125	Infineon Technologies	Optimos™	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3	IPP120N		モスフェット（金属酸化物）				PG-to220-3-1	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	500			nチャネル			40 v	120a（tc）	10V	1.9mohm @ 100a 、10V	4V @ 140µA	176 NC @ 10 V	±20V	14000 PF @ 25 V	-	188W
BSM35GP120GBOSA1	289.6420	RFQ	1937年年	Infineon Technologies	-	トレイ	前回購入します	-40°C〜125°C	シャーシマウント	モジュール	BSM35G			230 W		三相ブリッジ整流器	モジュール	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	10	フルブリッジ																													-	1200 v	45 a		2.85V @ 15V、35a				500 µA	はい	1.5 nf @ 25 V
IDH03SG60C	0.9600	RFQ	68	Infineon Technologies	coolsic™+	バルク	アクティブ		穴を通して	TO-220-2			sic （炭化シリコン）ショットキー				PG-to220-2-2	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	1		回復時間なし> 500ma																				600 V	2.3 V @ 3 a	0 ns	15 µA @ 600 V	-55°C〜175°C	3a	60pf @ 1V、1MHz
IGP01N120H2	0.5500	RFQ	13	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	穴を通して	TO-220-3		標準		28 W			PG-to220-3-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1					800V、1A 、241OHM 、15V																									-	1200 v	3.2 a	3.5 a	2.8V @ 15V、1a	140µj	8.6 NC	13NS/370NS
IRL7833STRRPBF	-	RFQ	9027	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3			モスフェット（金属酸化物）				d2pak	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	SP001558120	ear99	8541.29.0095	800			nチャネル			30 V	150a	4.5V 、10V	3.8mohm @ 38a 、10V	2.3V @ 250µA	47 NC @ 4.5 v	±20V	4170 PF @ 15 V	-	140W
IPC60R190P6X7SA1	-	RFQ	9959	Infineon Technologies	-	バルク	廃止				IPC60R							-		1 （無制限）	影響を受けていない	SP001418030	廃止	0000.00.0000	1							-
BC80725E6327	0.0300	RFQ	843	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ	150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3				330 MW			PG-SOT23-3-11	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	3,000																															45 v	500 Ma						100na（icbo）			PNP	700mv @ 50ma 、500ma	160 @ 100MA、1V	200MHz
IPS60R1K0CEAKMA1	0.3733	RFQ	6239	Infineon Technologies	coolmos™ce	チューブ	新しいデザインではありません	-40°C〜150°C （TJ	穴を通して	to-251-3	IPS60R1		モスフェット（金属酸化物）				PG-to251-3	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,500			nチャネル			600 V	6.8a	10V	1OHM @ 1.5A 、10V	3.5V @ 130µA	13 NC @ 10 V	±20V	280 PF @ 100 V	-	61W （TC）
ISC230N10NM6ATMA1	0.4747	RFQ	5	Infineon Technologies	Optimos™6	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	8-powertdfn	ISC230N		モスフェット（金属酸化物）				PG-TDSON-8 FL	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	5,000			nチャネル			100 V	7.7a	8V 、10V	23mohm @ 10a 、10V	3.3V @ 13µA	9.3 NC @ 10 V	±20V	690 PF @ 50 V	-	3W （TA ）、48W（TC）
FF1800R23IE7PBPSA1	2.0000	RFQ	2	Infineon Technologies	Primepack™3+ b	バルク	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	モジュール						標準	Primepack™3+	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない			8541.29.0095	3	2独立																													-	2300 v	1800 a		2.26V @ 15V、1.8ka				30 Ma	いいえ	420 nf @ 25 v
IRLR4132TRPBF	1.0700	RFQ	9454	Infineon Technologies	*	テープ＆リール（ tr）	アクティブ				IRLR4132							ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,000
IRF7821TRPBFXTMA1	1.1400	RFQ	4314	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜155°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）			モスフェット（金属酸化物）				PG-DSO-8-902	-	ROHS3準拠						4,000			nチャネル			30 V	13.6a	4.5V 、10V	9.1mohm @ 13a 、10v	1V @ 250µA	14 NC @ 4.5 v	±20V	1010 PF @ 15 V	-	2.5W
IRGB4607DPBF	-	RFQ	4203	Infineon Technologies	-	チューブ	廃止	-40°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3		標準		58 W			TO-220AB	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	SP001541648	ear99	8541.29.0095	50					400V 、4a 、100OHM、15V																			48 ns						-	600 V	11 a	12 a	2.05V @ 15V 、4a	140µj（62µj（オフ）	9 NC	27ns/120ns
FZ1500R33HE3B60BPSA1	2.0000	RFQ	5659	Infineon Technologies	IHM-B	トレイ	廃止	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	モジュール	FZ1500			2400000 w		標準	AG-IHVB190	-	ROHS3準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	シングルスイッチ																													トレンチフィールドストップ	3300 v	1500 a		3.1V @ 15V 、1.5ka				5 Ma	いいえ	280 nf @ 25 v
IRFB4215PBF	-	RFQ	4684	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3			モスフェット（金属酸化物）				TO-220AB	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50			nチャネル			60 V	115a（tc）	10V	9mohm @ 54a 、10V	4V @ 250µA	170 NC @ 10 V	±20V	4080 PF @ 25 V	-	270W
BCR192E6327	-	RFQ	4871	Infineon Technologies	aec-q101	バルク	アクティブ		表面マウント	TO-236-3	BCR192			200 MW			PG-SOT23-3-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	3,000																															50 v	100 Ma						100na（icbo）			pnp-前バイアス	300MV @ 500µA 、10mA	70 @ 5MA 、5V	200 MHz	22 Kohms	47 Kohms
IRG4PH40KDPBF	-	RFQ	3827	Infineon Technologies	-	チューブ	廃止	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-247-3		標準		160 W			TO-247AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	400					800V、15A 、10OHM 、15V																			63 ns						-	1200 v	30 a	60 a	3.4V @ 15V、15a	1.31MJ	94 NC	50ns/96ns
FF200R17KE3S4HOSA1	179.1000	RFQ	10	Infineon Technologies	c	トレイ	アクティブ	-40°C〜125°C	シャーシマウント	モジュール	FF200R17			1250 w		標準	モジュール	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	10	ハーフブリッジインバーター																													トレンチフィールドストップ	1700 v	310 a		2.45V @ 15V 、200A				3 Ma	いいえ	18 nf @ 25 v
IPB80N03S4L-03	-	RFQ	3176	Infineon Technologies	coolmos™	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3			モスフェット（金属酸化物）				PG-to263-3-2	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	1			nチャネル			30 V	80a（tc）	4.5V 、10V	3.7mohm @ 80a 、10V	2.2V @ 45µA	75 NC @ 10 V	±16V	5100 PF @ 25 V	-	94W
IRL3303STRR	-	RFQ	9885	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3			モスフェット（金属酸化物）				d2pak	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	800			nチャネル			30 V	38a（tc）	4.5V 、10V	26mohm @ 20a 、10V	1V @ 250µA	26 NC @ 4.5 v	±16V	870 PF @ 25 V	-	3.8W （TA ）、68W（TC）
T2351N52TOHXPSA1	3.0000	RFQ	6901	Infineon Technologies	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜125°C	シャーシマウント	TO-200AF	T2351N52				シングル			ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.30.0080	2				350 Ma												5.2 kv	3530 a	2.5 v	55000A @ 50Hz	350 Ma	3110 a								1 SCR
BCX55-16E6327	0.0800	RFQ	7	Infineon Technologies	aec-q101	バルク	アクティブ	150°C （TJ）	表面マウント	TO-243AA				2 W			PG-SOT89-4-2	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0075	1,000																															60 V	1 a						100na（icbo）				500MV @ 50MA 、500MA	100 @ 150ma 、2V	100MHz
BSP299L6327HUSA1	-	RFQ	5728	Infineon Technologies	SIPMOS®	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-261-4、TO-261AA			モスフェット（金属酸化物）				PG-SOT223-4-21	ダウンロード		3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000			nチャネル			500 V	400ma（ta）	10V	4OHM @ 400MA 、10V	4V @ 1MA		±20V	400 pf @ 25 V	-	1.8W
T830N14TOFXPSA1	152.3900	RFQ	9782	Infineon Technologies	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜125°C	シャーシマウント	do-200ab、b-puk	T830N14				シングル			ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.30.0080	9				300 Ma												1.8 kv	1500 a	1.5 v	14500A @ 50Hz	250 Ma	844 a								1 SCR
IRFB3006PBF	4.3100	RFQ	2	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3	IRFB3006		モスフェット（金属酸化物）				TO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	SP001570606	ear99	8541.29.0095	50			nチャネル			60 V	195a（tc）	10V	2.5mohm @ 170a 、10V	4V @ 250µA	300 NC @ 10 V	±20V	8970 PF @ 50 V	-	375W
auirls3036-7p	-	RFQ	5986	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-7			モスフェット（金属酸化物）				d2pak（7 リード）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000			nチャネル			60 V	240a	4.5V 、10V	1.9mohm @ 180a 、10V	2.5V @ 250µA	160 NC @ 4.5 v	±16V	11270 PF @ 50 V	-	380W
IPS65R1K5CEAKMA1	-	RFQ	3880	Infineon Technologies	coolmos™ce	チューブ	廃止	-40°C〜150°C （TJ	穴を通して	TO-251-3 スタブリード、IPAK	IPS65R		モスフェット（金属酸化物）				TO-251	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,500			nチャネル			650 V	3.1a（tc）	10V	1.5OHM @ 1A 、10V	3.5V @ 100µA	10.5 NC @ 10 V	±20V	225 PF @ 100 V	-	28W （TC）
IRF3704ZCS	-	RFQ	8299	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3			モスフェット（金属酸化物）				d2pak	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	*IRF3704ZCS	ear99	8541.29.0095	50			nチャネル			20 v	67a（tc）	4.5V 、10V	7.9mohm @ 21a 、10V	2.55V @ 250µA	13 NC @ 4.5 v	±20V	1220 pf @ 10 v	-	57W

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²