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離散半導体製品（16626）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	タイプ	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	構造	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	フェットタイプ	現在 -マックス	現在-hold（ihmax）	現在	電圧	電圧 -分離	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	電圧 -状態外	現在 -state（it （rms	電圧 -ゲートトリガー（ vgt ）（最大）	現在 -非担当者サージ50、60Hz	現在 -ゲートトリガー（ Igt ）（最大）	現在 -State	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	scr の数、ダイオード	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	vce（on max） @ vge	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	入力容量（ cies @ vce	@ @ if、f	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移	静電容量比	静電容量比条件	Q @ vr、f
BA885E6327HTSA1	-	RFQ	3885	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	150°C （TJ）		TO-236-3		BA885E					PG-SOT23	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	3,000				50 Ma																											0.6pf @ 10V、1MHz						ピン -シングル	50V				7OHM @ 10MA 、100MHz
IRFR3505PBF	-	RFQ	3518	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3			モスフェット（金属酸化物）				d-pak	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	75			nチャネル						55 v	30a（tc）	10V	13mohm @ 30a 、10V	4V @ 250µA	93 NC @ 10 V	±20V	2030 PF @ 25 V	-	140W
T430N18TOFXPSA1	142.8878	RFQ	8212	Infineon Technologies	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜125°C	シャーシマウント	TO-200AA		T430N18			シングル			ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.30.0080	18					300 Ma														1.8 kv	700 a	2 v	5200A @ 50Hz	200 ma	433 a								1 SCR
IPA65R600C6	1.0000	RFQ	3828	Infineon Technologies	coolmos™	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3フルパック			モスフェット（金属酸化物）				PG-to220-3-111	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1			nチャネル						650 V	7.3a（tc）	10V	600mohm @ 2.1a 、10V	3.5V @ 210µA	23 NC @ 10 V	±20V	440 PF @ 100 V	-	28W （TC）
BA895E6327	0.0400	RFQ	21	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ	150°C （TJ）		SC-80							SCD-80	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	3,000				50 Ma																											0.6pf @ 10V、1MHz						ピン -シングル	50V				7OHM @ 10MA 、100MHz
BSS84PWH6327XTSA1	0.3400	RFQ	6582	Infineon Technologies	SIPMOS®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-70、SOT-323		BSS84	モスフェット（金属酸化物）				PG-SOT323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	3,000			pチャネル						60 V	150ma（ta）	4.5V 、10V	8ohm @ 150ma 、10V	2V @ 20µA	1.5 NC @ 10 V	±20V	19.1 pf @ 25 v	-	300MW
SPP04N60S5BKSA1	-	RFQ	6159	Infineon Technologies	coolmos™	チューブ	廃止	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3		spp04n	モスフェット（金属酸化物）				PG-to220-3-1	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50			nチャネル						600 V	4.5a	10V	950mohm @ 2.8a 、10V	5.5V @ 200µA	22.9 NC @ 10 V	±20V	580 PF @ 25 V	-	50W （TC）
auirf1324s	-	RFQ	1535	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3			モスフェット（金属酸化物）				d2pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	SP001518994	ear99	8541.29.0095	1,000			nチャネル						24 v	195a（tc）	10V	1.65mohm @ 195a 、10V	4V @ 250µA	240 NC @ 10 V	±20V	7590 PF @ 24 V	-	300W （TC）
IRLR7821TRLPBF	-	RFQ	3500	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3		IRLR7821	モスフェット（金属酸化物）				d-pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	SP001567356	ear99	8541.29.0095	3,000			nチャネル						30 V	65a（tc）	4.5V 、10V	10mohm @ 15a 、10V	1V @ 250µA	14 NC @ 4.5 v	±20V	1030 PF @ 15 V	-	75W
IPB60R080P7ATMA1	5.9900	RFQ	6618	Infineon Technologies	coolmos™p7	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-263-3		IPB60R080	モスフェット（金属酸化物）				PG-to263-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000			nチャネル						600 V	37a（tc）	10V	80mohm @ 11.8a 、10V	4V @ 590µA	51 NC @ 10 V	±20V	2180 PF @ 400 V	-	129W
IPD050N10N5ATMA1	3.0500	RFQ	2	Infineon Technologies	Optimos™	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3		IPD050	モスフェット（金属酸化物）				PG-to252-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,500			nチャネル						100 V	80a（tc）	6V 、10V	5mohm @ 40a 、10V	3.8V @ 84µA	64 NC @ 10 V	±20V	4700 PF @ 50 V	-	150W
TD251N16KOFHPSA1	-	RFQ	9230	Infineon Technologies	-	トレイ	廃止	-40°C〜125°C	シャーシマウント	モジュール		TD251N16			-scr/ダイオード			ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.30.0080	3					300 Ma														1.8 kv	410 a	2 v	9100A @ 50Hz	200 ma	250 a								1 scr、1ダイオード
BCM856SH6327XTSA1	0.1516	RFQ	4181	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	前回購入します	150°C （TJ）	表面マウント	6-VSSOP 、SC-88 、SOT-363		BCM856		250MW			pg-sot363-po	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	3,000																																		65V	100mA				15NA				2 PNP （デュアル）	650mv @ 5ma 、100ma	200 @ 2MA 、5V	250MHz
IRFC4227ED	-	RFQ	6007	Infineon Technologies	-	バルク	廃止											ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	SP001551896	廃止	0000.00.0000	1										-
IPD50P04PL11ATMA2	1.5800	RFQ	2	Infineon Technologies	Optimos®-P2	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3		IPD50	モスフェット（金属酸化物）				PG-to252-3-313	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,500			pチャネル						40 v	50a（tc）	4.5V 、10V	10.6mohm @ 50a 、10V	2.2V @ 85µA	59 NC @ 10 V	+5V、 -16V	3900 PF @ 25 V	-	58W （TC）
IPP65R110CFDXKSA1	4.4517	RFQ	3842	Infineon Technologies	coolmos™	チューブ	前回購入します	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3		IPP65R110	モスフェット（金属酸化物）				PGから220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	500			nチャネル						700 V	31.2a	10V	110mohm @ 12.7a 、10V	4.5V @ 1.3MA	118 NC @ 10 V	±20V	3240 PF @ 100 V	-	277.8W
T360N26TOFXPSA1	208.0925	RFQ	6545	Infineon Technologies	-	トレイ	廃止	-40°C〜125°C	クランプオン	do-200aa、a-puk		T360N26			シングル			ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.30.0080	12					300 Ma														2.6 kV	550 a	2 v	5000A @ 50Hz	200 ma	360 a								1 SCR
TZ500N12KOFHPSA1	-	RFQ	8235	Infineon Technologies	-	バルク	廃止	-40°C〜125°C	シャーシマウント	モジュール		TZ500N12			シングル			ダウンロード	ROHS3準拠	適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.30.0080	3					300 Ma														1.2 kv	1050 a	2.2 v	17a @ 50Hz	250 Ma	669 a								1 SCR
IRF7326D2TR	-	RFQ	2074	Infineon Technologies	fetky™	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）			モスフェット（金属酸化物）				8-SO	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	4,000			pチャネル						30 V	3.6a（ta）	4.5V 、10V	100mohm @ 1.8a 、10V	1V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	440 PF @ 25 V	ショットキーダイオード（分離）	2W （TA）
BSZ12DN20NS3GATMA1	1.5700	RFQ	2	Infineon Technologies	Optimos™	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	8-powertdfn		BSZ12DN20	モスフェット（金属酸化物）				PG-TSDSON-8	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	5,000			nチャネル						200 v	11.3a（tc）	10V	125mohm @ 5.7a 、10V	4V @ 25µA	8.7 NC @ 10 V	±20V	680 PF @ 100 V	-	50W （TC）
IRF5850TR	-	RFQ	4759	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	SOT-23-6薄い、TSOT-23-6		IRF58	モスフェット（金属酸化物）	960MW			6-tsop	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	SP001564468	ear99	8541.21.0095	3,000	2 P-Channel （デュアル）								20V	2.2a		135mohm @ 2.2a 、4.5V	1.2V @ 250µA	5.4NC @ 4.5V		320pf @ 15V	ロジックレベルゲート
SPS01N60C3BKMA1	0.4300	RFQ	30	Infineon Technologies	coolmos™	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-251-3 スタブリード、IPAK			モスフェット（金属酸化物）				PG-to251-3-11	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	0000.00.0000	1			nチャネル						600 V	800ma	10V	6OHM @ 500MA 、10V	3.9V @ 250µA	5 NC @ 10 V	±20V	100 pf @ 25 v	-	11W （TC）
DD450S45T3E4B5BPSA1	1.0000	RFQ	9860	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ											-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない				1
IDB10S60CATMA2	-	RFQ	1915年年	Infineon Technologies	coolsic™+	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました		表面マウント	TO-263-3		IDB10	sic （炭化シリコン）ショットキー				PG-to263-3-2	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000		回復時間なし> 500ma																							600 V	1.7 V @ 10 a	0 ns	140 µA @ 600 V	-55°C〜175°C	10a	480pf @ 1V、1MHz
T221N18BOFXPSA1	-	RFQ	9872	Infineon Technologies	-	トレイ	廃止	-40°C〜125°C	ネジマウント	非標準		T221N			シングル			ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.30.0080	1					300 Ma														1.8 kv	450 a	2 v	6500A @ 50Hz	200 ma	221 a								1 SCR
BCW 66G E6327	-	RFQ	8911	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3		BCW 66		330 MW			PG-SOT23	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	3,000																																		45 v	800 Ma				20na（icbo）				npn	450mv @ 50ma 、500ma	160 @ 100MA、1V	170MHz
BBY 57-02V E6327	-	RFQ	6850	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜125°C（TJ）	表面マウント	SC-79、SOD-523		BBY 57					PG-SC79-2	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000																															5.5pf @ 4V、1MHz						シングル	10 v									4.5	C1/C4	-
IRAM136-1561A2	-	RFQ	5614	Infineon Technologies	imotion™	チューブ	廃止		穴を通して	29-POWERSSIP モジュール、21 のリード、リードを形成しました	IGBT							ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8542.39.0001	80	3フェーズ					15 a	600 V	2000VRMS
IPP040N08NF2SAKMA1	2.4800	RFQ	848	Infineon Technologies	Strongirfet™2	チューブ	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3		IPP040N	モスフェット（金属酸化物）				PGから220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50			nチャネル						80 v	22a（ta ）、115a（tc）	6V 、10V	4mohm @ 80a 、10V	3.8V @ 85µA	81 NC @ 10 V	±20V	3800 PF @ 40 V	-	3.8W
FF1800R12IE5BPSA1	1.0000	RFQ	2	Infineon Technologies	Primepack™3+	トレイ	アクティブ	-40°C〜175°C	シャーシマウント	モジュール		FF1800		20 MW		標準	モジュール	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2	2独立																																トレンチフィールドストップ	1200 v	1800 a	2.15V @ 15V、1800a			5 Ma	はい	98.5 nf @ 25 v

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²