画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | タイプ | 基本製品番号 | 入力タイプ | テクノロジー | パワー -マックス | 入力 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | フェットタイプ | テスト条件 | 現在 | 電圧 | 電圧 -分離 | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | IGBTタイプ | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 現在 -コレクターパルス( icm) | vce(on max) @ vge | エネルギーの切り替え | ゲートチャージ | TD (オン/オフ) @ 25°C | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | NTCサーミスタ | 入力容量( cies @ vce | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SPP12N50C3HKSA1 | - | ![]() | 2716 | 0.00000000 | Infineon Technologies | coolmos™ | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 | spp12n | モスフェット(金属酸化物) | PG-to220-3-1 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 500 | nチャネル | 560 v | 11.6a(tc) | 10V | 380mohm @ 7a、10V | 3.9V @ 500µA | 49 NC @ 10 V | ±20V | 1200 PF @ 25 V | - | 125W | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRG4BC20KPBF | - | ![]() | 6841 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 | 標準 | 60 W | TO-220AB | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 480V 、9A 、50OHM、15V | - | 600 V | 16 a | 32 a | 2.8V @ 15V 、9a | 150µj(オン)、250µJ | 34 NC | 28ns/150ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPD60R400CEAUMA1 | 1.4600 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Infineon Technologies | coolmos™ce | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜150°C (TJ | 表面マウント | to-252-3 | IPD60R | モスフェット(金属酸化物) | PG-to252-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 600 V | 14.7a | 10V | 400mohm @ 3.8a 、10V | 3.5V @ 300µA | 32 NC @ 10 V | ±20V | 700 pf @ 100 V | - | 112W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFU13N20DPBF | - | ![]() | 7605 | 0.00000000 | Infineon Technologies | hexfet® | チューブ | 廃止 | -55°C〜175°C | 穴を通して | to-251-3 | モスフェット(金属酸化物) | IPAK(TO-251AA) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 200 v | 13a(tc) | 10V | 235mohm @ 8a 、10V | 5.5V @ 250µA | 38 NC @ 10 V | ±30V | 830 PF @ 25 V | - | 110W | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRL3502 | - | ![]() | 8930 | 0.00000000 | Infineon Technologies | hexfet® | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220AB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | *IRL3502 | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 20 v | 110a(tc) | 4.5V 、7V | 7mohm @ 64a 、7v | 700MV @ 250µA (最小) | 110 NC @ 4.5 v | ±10V | 4700 PF @ 15 V | - | 140W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSC097N06NSATMA1 | 0.9500 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos™ | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-powertdfn | BSC097 | モスフェット(金属酸化物) | PG-TDSON-8-6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | nチャネル | 60 V | 46a(tc) | 6V 、10V | 9.7mohm @ 40a 、10V | 3.3V @ 14µA | 15 NC @ 10 V | ±20V | 1075 PF @ 30 V | - | 2.5W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AIMBG75R016M1HXTMA1 | 17.7456 | ![]() | 1873年 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 448-AIMBG75R016M1HXTMA1TR | 1,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FF800R12KL4CNOSA1 | - | ![]() | 8684 | 0.00000000 | Infineon Technologies | c | トレイ | 廃止 | -40°C〜125°C | シャーシマウント | モジュール | 5000 w | - | Ag-Prime2 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2 | 2独立 | - | 1200 v | 1250 a | 2.6V @ 15V 、800A | 5 Ma | いいえ | 56 nf @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPD70R900P7SAUMA1 | 0.8900 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Infineon Technologies | coolmos™p7 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜150°C (TJ | 表面マウント | to-252-3 | IPD70 | モスフェット(金属酸化物) | PG-to252-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 700 V | 6a(tc) | 10V | 900mohm @ 1.1a 、10V | 3.5V @ 60µA | 6.8 NC @ 10 V | ±16V | 211 PF @ 400 v | - | 30.5W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DD340N20SHPSA1 | - | ![]() | 1165 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | シャーシマウント | モジュール | 標準 | BG-PB50SB-1 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3 | 標準回復> 500ns | 1ペアシリーズ接続 | 2000 v | 330A | 1 MA @ 2000 v | -40°C〜135°C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSO211PNTMA1 | 0.8600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos™ | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | BSO211 | モスフェット(金属酸化物) | 2W | PG-DSO-8 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 P-Channel (デュアル) | 20V | 4.7a | 67mohm @ 4.7a 、4.5V | 1.2V @ 25µA | 23.9NC @ 4.5V | 920pf @ 15V | ロジックレベルゲート | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCP49H6419XTMA1 | - | ![]() | 4447 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ&リール( tr) | 前回購入します | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-261-4、TO-261AA | BCP49 | 1.5 w | PG-SOT223-4 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 60 V | 500 Ma | 100na(icbo) | npn-ダーリントン | 1V @ 100µA 、100mA | 10000 @ 100MA 、5V | 200MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPP016N08NF2SAKMA1 | 3.7600 | ![]() | 789 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Strongirfet™2 | チューブ | アクティブ | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-220-3 | IPP016N | モスフェット(金属酸化物) | PGから220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 80 v | 35a(タタ)、196a | 6V 、10V | 1.6mohm @ 100a 、10V | 3.8V @ 267µA | 255 NC @ 10 V | ±20V | 12000 pf @ 40 v | - | 3.8W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DD171N12KKHPSA2 | 191.5900 | ![]() | 7045 | 0.00000000 | Infineon Technologies | DD171N | トレイ | アクティブ | シャーシマウント | モジュール | DD171N12 | 標準 | - | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 8 | 標準回復> 500ns | 1ペアシリーズ接続 | 1200 v | 171a | 1.26 V @ 500 a | 20 mA @ 1200 v | 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FP50R12KT4B11BOSA1 | - | ![]() | 5919 | 0.00000000 | Infineon Technologies | econopim™2 | バルク | sicで中止されました | -40°C〜150°C (TJ | シャーシマウント | モジュール | FP50R12 | 280 W | 標準 | モジュール | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 10 | 三相インバーター | トレンチフィールドストップ | 1200 v | 50 a | 2.15V @ 15V 、50a | 1 Ma | はい | 2.8 nf @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRAM136-1061A | - | ![]() | 1053 | 0.00000000 | Infineon Technologies | imotion™ | チューブ | 廃止 | 穴を通して | 29-POWERSSIP モジュール、21 のリード、リードを形成しました | IGBT | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.39.0001 | 80 | 3フェーズ | 12 a | 600 V | 2000VRMS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SIDC06D60F6X1SA2 | - | ![]() | 3377 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | 廃止 | 表面マウント | 死ぬ | SIDC06D60 | 標準 | 死ぬ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 600 V | 1.6 V @ 15 a | 27 µA @ 600 v | -40°C〜175°C | 15a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IDW30E65D1 | - | ![]() | 7942 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | 標準 | PG-to247-3-1 | ダウンロード | 適用できない | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 650 V | 1.7 V @ 30 a | 115 ns | 40 µA @ 650 v | -40°C〜175°C | 60a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SPS03N60C3AKMA1 | - | ![]() | 6835 | 0.00000000 | Infineon Technologies | coolmos™ | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-251-3 スタブリード、IPAK | SPS03N | モスフェット(金属酸化物) | PG-to251-3-11 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 75 | nチャネル | 650 V | 3.2a | 10V | 1.4OHM @ 2A 、10V | 3.9V @ 135µA | 17 NC @ 10 V | ±20V | 400 pf @ 25 V | - | 38W | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FP15R06YE3B4BOMA1 | 70.8720 | ![]() | 4513 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 新しいデザインではありません | FP15R06 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 20 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCR573 | 0.0600 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | アクティブ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 4,792 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FF200R12KE3B2HOSA1 | 197.5400 | ![]() | 1830 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜125°C | シャーシマウント | モジュール | FF200R12 | 1050 w | 標準 | モジュール | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 10 | ハーフブリッジ | - | 1200 v | 295 a | 2.15V @ 15V 、200A | 5 Ma | いいえ | 14 nf @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF8327STR1PBF | - | ![]() | 5466 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜150°C (TJ | 表面マウント | directfet™sq | モスフェット(金属酸化物) | directfet™sq | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | nチャネル | 30 V | 14a(ta )、 60a(tc) | 4.5V 、10V | 7.3mohm @ 14a 、10V | 2.4V @ 25µA | 14 NC @ 4.5 v | ±20V | 1430 pf @ 15 v | - | 2.2W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCX69-10E6327 | 0.0200 | ![]() | 190 | 0.00000000 | Infineon Technologies | aec-q101 | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-243AA | 3 W | PG-SOT89-4-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 20 v | 1 a | 100na(icbo) | 500MV @ 100MA、1a | 85 @ 500MA、1V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPP024N08NF2SAKMA1 | 2.7900 | ![]() | 388 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Strongirfet™2 | チューブ | アクティブ | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-220-3 | IPP024N | モスフェット(金属酸化物) | PGから220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 80 v | 28a(タタ)、 182a(tc) | 6V 、10V | 2.4mohm @ 100a 、10V | 3.8V @ 139µA | 133 NC @ 10 V | ±20V | 6200 PF @ 40 V | - | 3.8W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IGC10T65QEX1SA1 | - | ![]() | 5874 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | 廃止 | -40°C〜175°C | 表面マウント | 死ぬ | IGC10T65 | 標準 | 死ぬ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | - | トレンチフィールドストップ | 650 V | 20 a | 60 a | 2.32V @ 15V 、20a | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IDK10G65C5XTMA1 | - | ![]() | 3919 | 0.00000000 | Infineon Technologies | coolsic™+ | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | TO-263-3 | IDK10G65 | sic (炭化シリコン)ショットキー | PG-to263-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.8 V @ 10 a | 0 ns | 1.7 MA @ 650 v | -55°C〜175°C | 10a | 300pf @ 1V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRAM256-2067A | - | ![]() | 7124 | 0.00000000 | Infineon Technologies | imotion™ | チューブ | 廃止 | 穴を通して | 29-POWERSSIP モジュール、21 のリード、リードを形成しました | IGBT | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.39.0001 | 80 | 3フェーズ | 20 a | 600 V | 2000VRMS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSZ0911LSATMA1 | 0.6400 | ![]() | 30 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos™5 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-powertdfn | BSZ0911 | モスフェット(金属酸化物) | PG-TDSON-8 FL | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | nチャネル | 30 V | 12a(タタ)、40a(tc) | 4.5V 、10V | 7mohm @ 20a 、10v | 2V @ 250µA | 10 NC @ 10 V | ±20V | 670 PF @ 15 V | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS12507WE6327HTSA1 | - | ![]() | 3687 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | SC-82A 、SOT-343 | BAS12507 | ショットキー | PG-SOT343-3D | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 2独立 | 25 v | 100MA (DC) | 950 mV @ 35 Ma | 150 Na @ 25 V | 150°C (最大) |
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