RFQ
ボム
お問い合わせ

Tel： +86-0755-83501315

メール：sales@sic-components.com

サインイン

日本語

離散半導体製品（16626）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	タイプ	基本製品番号	入力タイプ	テクノロジー	パワー -マックス	構造	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	フェットタイプ	現在 -マックス	現在-hold（ihmax）	テスト条件	現在	電圧	電圧 -分離	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	電圧 -状態外	現在 -state（it （rms	電圧 -ゲートトリガー（ vgt ）（最大）	現在 -非担当者サージ50、60Hz	現在 -ゲートトリガー（ Igt ）（最大）	現在 -State	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	scr の数、ダイオード	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターパルス（ icm）	vce（on max） @ vge	エネルギーの切り替え	ゲートチャージ	TD （オン/オフ） @ 25°C	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	現在 -コレクターカットオフ（最大）	@ @ if、f	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移
IRG4IBC30W	-	RFQ	7887	Infineon Technologies	-	チューブ	廃止	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3フルパック		IRG4IBC	標準		45 W		PG〜220-FP	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	*IRG4IBC30W	ear99	8541.29.0095	50						480v																												-	600 V	17 a	92 a	2.7V @ 15V 、12a	130µj（on130µj （オフ）	51 NC	25ns/99ns
FB10R06KL4GBOMA1	-	RFQ	6581	Infineon Technologies	-	トレイ	廃止					FB10R06						-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		廃止		20
IPP120N06NGAKSA1	-	RFQ	5715	Infineon Technologies	Optimos™	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3		IPP120N		モスフェット（金属酸化物）			PG-to220-3-1	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	500			nチャネル							60 V	75a（tc）	10V	12mohm @ 75a 、10V	4V @ 94µA	62 NC @ 10 V	±20V	2100 PF @ 30 V	-	158W
IPB180N04S4L01ATMA1	1.9606	RFQ	9871	Infineon Technologies	Automotive 、AEC-Q101、Optimos™	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-7		IPB180		モスフェット（金属酸化物）			PG-to263-7-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000			nチャネル							40 v	180a（tc）	4.5V 、10V	1.2mohm @ 100a 、10V	2.2V @ 140µA	245 NC @ 10 V	+20V、 -16V	19100 pf @ 25 v	-	188W
BSC009NE2LS5ATMA1	2.1900	RFQ	8	Infineon Technologies	Optimos™	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	8-powertdfn		BSC009		モスフェット（金属酸化物）			PG-TDSON-8-7	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	5,000			nチャネル							25 v	41a	4.5V 、10V	0.9mohm @ 30a 、10V	2V @ 250µA	57 NC @ 10 V	±16V	3900 PF @ 12 v	-	2.5W
MMBD914LT1HTSA1	0.3900	RFQ	57	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	前回購入します		表面マウント	TO-236-3		MMBD914		標準			PG-SOT23	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	3,000		高速回復= <500ns																								100 V	1.25 V @ 150 MA	4 ns	100 Na @ 75 V	150°C （最大）	250ma	2PF @ 0V、1MHz
BTS113AE3045ANTMA1	-	RFQ	7158	Infineon Technologies	Tempfet®	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-263-3				モスフェット（金属酸化物）			TO-220AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000			nチャネル							60 V	11.5a	4.5V	170mohm @ 5.8a 、4.5V	2.5V @ 1MA		±10V	560 PF @ 25 V	-	40W （TC）
IM323M6G2XKMA1	11.1600	RFQ	7105	Infineon Technologies	cipos™	チューブ	新しいデザインではありません		穴を通して	26-POWERDIP モジュール（1.043 "、26.50mm）	IGBT	IM323M6						-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8542.39.0001	240	3相インバーター						10 a	600 V	2000VRMS
auirf4905l	-	RFQ	3083	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-262				モスフェット（金属酸化物）			TO-262	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	SP001521094	ear99	8541.29.0095	1,000			pチャネル							55 v	42a	10V	20mohm @ 42a 、10V	4V @ 250µA	180 NC @ 10 V	±20V	3500 PF @ 25 V	-	200W （TC）
BA885E6327HTSA1	-	RFQ	3885	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	150°C （TJ）		TO-236-3		BA885E					PG-SOT23	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	3,000				50 Ma																												0.6pf @ 10V、1MHz										ピン -シングル	50V		7OHM @ 10MA 、100MHz
IRFR3505PBF	-	RFQ	3518	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3				モスフェット（金属酸化物）			d-pak	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	75			nチャネル							55 v	30a（tc）	10V	13mohm @ 30a 、10V	4V @ 250µA	93 NC @ 10 V	±20V	2030 PF @ 25 V	-	140W
T430N18TOFXPSA1	142.8878	RFQ	8212	Infineon Technologies	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜125°C	シャーシマウント	TO-200AA		T430N18				シングル		ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.30.0080	18					300 Ma															1.8 kv	700 a	2 v	5200A @ 50Hz	200 ma	433 a								1 SCR
IPA65R600C6	1.0000	RFQ	3828	Infineon Technologies	coolmos™	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3フルパック				モスフェット（金属酸化物）			PG-to220-3-111	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1			nチャネル							650 V	7.3a（tc）	10V	600mohm @ 2.1a 、10V	3.5V @ 210µA	23 NC @ 10 V	±20V	440 PF @ 100 V	-	28W （TC）
BA895E6327	0.0400	RFQ	21	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ	150°C （TJ）		SC-80							SCD-80	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	3,000				50 Ma																												0.6pf @ 10V、1MHz										ピン -シングル	50V		7OHM @ 10MA 、100MHz
BSS84PWH6327XTSA1	0.3400	RFQ	6582	Infineon Technologies	SIPMOS®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-70、SOT-323		BSS84		モスフェット（金属酸化物）			PG-SOT323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	3,000			pチャネル							60 V	150ma（ta）	4.5V 、10V	8ohm @ 150ma 、10V	2V @ 20µA	1.5 NC @ 10 V	±20V	19.1 pf @ 25 v	-	300MW
SPP04N60S5BKSA1	-	RFQ	6159	Infineon Technologies	coolmos™	チューブ	廃止	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3		spp04n		モスフェット（金属酸化物）			PG-to220-3-1	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50			nチャネル							600 V	4.5a	10V	950mohm @ 2.8a 、10V	5.5V @ 200µA	22.9 NC @ 10 V	±20V	580 PF @ 25 V	-	50W （TC）
auirlr014n	-	RFQ	9768	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3				モスフェット（金属酸化物）			d-pak（to-252aa）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	SP001518258	ear99	8541.29.0095	3,000			nチャネル							55 v	10a（tc）	4.5V 、10V	140mohm @ 6a 、10V	3V @ 250µA	7.9 NC @ 5 V	±16V	265 PF @ 25 V	-	28W （TC）
auirf1324s	-	RFQ	1535	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3				モスフェット（金属酸化物）			d2pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	SP001518994	ear99	8541.29.0095	1,000			nチャネル							24 v	195a（tc）	10V	1.65mohm @ 195a 、10V	4V @ 250µA	240 NC @ 10 V	±20V	7590 PF @ 24 V	-	300W （TC）
IRLR7821TRLPBF	-	RFQ	3500	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3		IRLR7821		モスフェット（金属酸化物）			d-pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	SP001567356	ear99	8541.29.0095	3,000			nチャネル							30 V	65a（tc）	4.5V 、10V	10mohm @ 15a 、10V	1V @ 250µA	14 NC @ 4.5 v	±20V	1030 PF @ 15 V	-	75W
IPB60R080P7ATMA1	5.9900	RFQ	6618	Infineon Technologies	coolmos™p7	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-263-3		IPB60R080		モスフェット（金属酸化物）			PG-to263-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000			nチャネル							600 V	37a（tc）	10V	80mohm @ 11.8a 、10V	4V @ 590µA	51 NC @ 10 V	±20V	2180 PF @ 400 V	-	129W
IPD050N10N5ATMA1	3.0500	RFQ	2	Infineon Technologies	Optimos™	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3		IPD050		モスフェット（金属酸化物）			PG-to252-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,500			nチャネル							100 V	80a（tc）	6V 、10V	5mohm @ 40a 、10V	3.8V @ 84µA	64 NC @ 10 V	±20V	4700 PF @ 50 V	-	150W
TD251N16KOFHPSA1	-	RFQ	9230	Infineon Technologies	-	トレイ	廃止	-40°C〜125°C	シャーシマウント	モジュール		TD251N16				-scr/ダイオード		ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.30.0080	3					300 Ma															1.8 kv	410 a	2 v	9100A @ 50Hz	200 ma	250 a								1 scr、1ダイオード
BCM856SH6327XTSA1	0.1516	RFQ	4181	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	前回購入します	150°C （TJ）	表面マウント	6-VSSOP 、SC-88 、SOT-363		BCM856			250MW		pg-sot363-po	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	3,000																																			65V	100mA								15NA		2 PNP （デュアル）	650mv @ 5ma 、100ma	200 @ 2MA 、5V	250MHz
IRFC4227ED	-	RFQ	6007	Infineon Technologies	-	バルク	廃止											ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	SP001551896	廃止	0000.00.0000	1											-
IPD50P04PL11ATMA2	1.5800	RFQ	2	Infineon Technologies	Optimos®-P2	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3		IPD50		モスフェット（金属酸化物）			PG-to252-3-313	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,500			pチャネル							40 v	50a（tc）	4.5V 、10V	10.6mohm @ 50a 、10V	2.2V @ 85µA	59 NC @ 10 V	+5V、 -16V	3900 PF @ 25 V	-	58W （TC）
IRFSL4610	-	RFQ	8877	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	穴を通して	To-262-3 Long Leads		IRFSL461		モスフェット（金属酸化物）			TO-262	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	*IRFSL4610	ear99	8541.29.0095	50			nチャネル							100 V	73a（tc）	10V	14mohm @ 44a 、10V	4V @ 100µA	140 NC @ 10 V	±20V	3550 PF @ 50 V	-	190W
IPP65R110CFDXKSA1	4.4517	RFQ	3842	Infineon Technologies	coolmos™	チューブ	前回購入します	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3		IPP65R110		モスフェット（金属酸化物）			PGから220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	500			nチャネル							700 V	31.2a	10V	110mohm @ 12.7a 、10V	4.5V @ 1.3MA	118 NC @ 10 V	±20V	3240 PF @ 100 V	-	277.8W
BSD314SPEL6327	1.0000	RFQ	5563	Infineon Technologies	Optimos™-P 3	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	6-VSSOP 、SC-88 、SOT-363				モスフェット（金属酸化物）			PG-SOT363-6-6	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	3,000			pチャネル							30 V	1.5a（ta）	4.5V 、10V	140mohm @ 1.5a 、10V	2V @ 6.3µA	2.9 NC @ 10 V	±20V	294 PF @ 15 V	-	500MW
IRAM136-0461G	-	RFQ	8417	Infineon Technologies	imotion™	チューブ	廃止		穴を通して	23-POWERSSIP モジュール、22 のリード、リードを形成しました	IGBT							ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8542.39.0001	80	3フェーズ						9.4 a	600 V	2000VRMS
T360N26TOFXPSA1	208.0925	RFQ	6545	Infineon Technologies	-	トレイ	廃止	-40°C〜125°C	クランプオン	do-200aa、a-puk		T360N26				シングル		ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.30.0080	12					300 Ma															2.6 kV	550 a	2 v	5000A @ 50Hz	200 ma	360 a								1 SCR

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²