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離散半導体製品（16626）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	タイプ	基本製品番号	入力タイプ	テクノロジー	パワー -マックス	構造	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	フェットタイプ	現在-hold（ihmax）	テスト条件	得	現在	電圧	電圧 -分離	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	電圧 -状態外	現在 -state（it （rms	電圧 -ゲートトリガー（ vgt ）（最大）	現在 -非担当者サージ50、60Hz	現在 -ゲートトリガー（ Igt ）（最大）	現在 -State	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	scr の数、ダイオード	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターパルス（ icm）	vce（on max） @ vge	エネルギーの切り替え	ゲートチャージ	TD （オン/オフ） @ 25°C	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	入力容量（ cies @ vce	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移	抵抗 -ベース（r1）	抵抗 -エミッターベース（r2）	ノイズフィギュア（DBタイプ @ f）	静電容量比	静電容量比条件	Q @ vr、f
TZ500N12KOFHPSA1	-	RFQ	8235	Infineon Technologies	-	バルク	廃止	-40°C〜125°C	シャーシマウント	モジュール		TZ500N12				シングル			ダウンロード	ROHS3準拠	適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.30.0080	3				300 Ma																1.2 kv	1050 a	2.2 v	17a @ 50Hz	250 Ma	669 a										1 SCR
IRF7326D2TR	-	RFQ	2074	Infineon Technologies	fetky™	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）				モスフェット（金属酸化物）				8-SO	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	4,000			pチャネル							30 V	3.6a（ta）	4.5V 、10V	100mohm @ 1.8a 、10V	1V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	440 PF @ 25 V	ショットキーダイオード（分離）	2W （TA）
BSZ12DN20NS3GATMA1	1.5700	RFQ	2	Infineon Technologies	Optimos™	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	8-powertdfn		BSZ12DN20		モスフェット（金属酸化物）				PG-TSDSON-8	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	5,000			nチャネル							200 v	11.3a（tc）	10V	125mohm @ 5.7a 、10V	4V @ 25µA	8.7 NC @ 10 V	±20V	680 PF @ 100 V	-	50W （TC）
IRF5850TR	-	RFQ	4759	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	SOT-23-6薄い、TSOT-23-6		IRF58		モスフェット（金属酸化物）	960MW			6-tsop	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	SP001564468	ear99	8541.21.0095	3,000	2 P-Channel （デュアル）									20V	2.2a		135mohm @ 2.2a 、4.5V	1.2V @ 250µA	5.4NC @ 4.5V		320pf @ 15V	ロジックレベルゲート
SPS01N60C3BKMA1	0.4300	RFQ	30	Infineon Technologies	coolmos™	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-251-3 スタブリード、IPAK				モスフェット（金属酸化物）				PG-to251-3-11	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	0000.00.0000	1			nチャネル							600 V	800ma	10V	6OHM @ 500MA 、10V	3.9V @ 250µA	5 NC @ 10 V	±20V	100 pf @ 25 v	-	11W （TC）
DD450S45T3E4B5BPSA1	1.0000	RFQ	9860	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ												-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない				1
IDB10S60CATMA2	-	RFQ	1915年年	Infineon Technologies	coolsic™+	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました		表面マウント	TO-263-3		IDB10		sic （炭化シリコン）ショットキー				PG-to263-3-2	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000		回復時間なし> 500ma																									600 V		1.7 V @ 10 a	0 ns	140 µA @ 600 V	-55°C〜175°C	10a	480pf @ 1V、1MHz
T221N18BOFXPSA1	-	RFQ	9872	Infineon Technologies	-	トレイ	廃止	-40°C〜125°C	ネジマウント	非標準		T221N				シングル			ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.30.0080	1				300 Ma																1.8 kv	450 a	2 v	6500A @ 50Hz	200 ma	221 a										1 SCR
BCW 66G E6327	-	RFQ	8911	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3		BCW 66			330 MW			PG-SOT23	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	3,000																																					45 v	800 Ma								20na（icbo）			npn	450mv @ 50ma 、500ma	160 @ 100MA、1V	170MHz
6MS20017E43W37032NOSA1	-	RFQ	5973	Infineon Technologies	modstack™HD	バルク	廃止	-25°C〜55°C	シャーシマウント	モジュール		6MS20017					標準	モジュール	ダウンロード		適用できない	影響を受けていない		ear99	8543.70.9860	1	三相インバーター																																			-	1700 v			-							はい
BBY 57-02V E6327	-	RFQ	6850	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜125°C（TJ）	表面マウント	SC-79、SOD-523		BBY 57						PG-SC79-2	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000																																		5.5pf @ 4V、1MHz										シングル	10 v											4.5	C1/C4	-
IRAM136-1561A2	-	RFQ	5614	Infineon Technologies	imotion™	チューブ	廃止		穴を通して	29-POWERSSIP モジュール、21 のリード、リードを形成しました	IGBT								ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8542.39.0001	80	3フェーズ						15 a	600 V	2000VRMS
IPP040N08NF2SAKMA1	2.4800	RFQ	848	Infineon Technologies	Strongirfet™2	チューブ	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3		IPP040N		モスフェット（金属酸化物）				PGから220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50			nチャネル							80 v	22a（ta ）、115a（tc）	6V 、10V	4mohm @ 80a 、10V	3.8V @ 85µA	81 NC @ 10 V	±20V	3800 PF @ 40 V	-	3.8W
FF1800R12IE5BPSA1	1.0000	RFQ	2	Infineon Technologies	Primepack™3+	トレイ	アクティブ	-40°C〜175°C	シャーシマウント	モジュール		FF1800			20 MW		標準	モジュール	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2	2独立																																			トレンチフィールドストップ	1200 v	1800 a		2.15V @ 15V、1800a						5 Ma	はい	98.5 nf @ 25 v
BB669	0.0200	RFQ	49	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-76、SOD-323								PG-SOD323-2-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	3,000																																		2.9pf @ 28V、1MHz										シングル	30 V											20.9	C1/C28	-
IMT65R072M1HXTMA1	-	RFQ	6743	Infineon Technologies	*	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました					IMT65R							-	ROHS3準拠		影響を受けていない				2,000
IRFP4127PBF	6.0800	RFQ	1033	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-247-3		IRFP4127		モスフェット（金属酸化物）				TO-247AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	SP001566148	ear99	8541.29.0095	25			nチャネル							200 v	75a（tc）	10V	21mohm @ 44a 、10v	5V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±20V	5380 PF @ 50 V	-	341W
FP25R12KS4CBPSA1	158.4580	RFQ	3581	Infineon Technologies	-	トレイ	前回購入します	-40°C〜125°C	シャーシマウント	モジュール		FP25R12			230 W		三相ブリッジ整流器	ag-econo2b	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	15	三相インバーター																																			-	1200 v	40 a		3.7V @ 15V 、25a						5 Ma	はい	1.5 nf @ 25 V
FF1700XTR17IE5DBPSA1	1.0000	RFQ	2	Infineon Technologies	-	トレイ	アクティブ												-		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2
IgO60R042D1AUMA2	16.1506	RFQ	2406	Infineon Technologies	Coolgan™	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	表面マウント	20 パウアーティック（0.433 "、11.00mm 幅）				ガンフェット（窒化ガリウム）				PG-DSO-20-85	-	ROHS3準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	800			-							600 V	-	-	-	-		-		-	-
IPA80R1K4CEXKSA1	-	RFQ	1591	Infineon Technologies	coolmos™ce	チューブ	sicで中止されました	-40°C〜150°C （TJ	穴を通して	TO-220-3フルパック		IPA80R		モスフェット（金属酸化物）				PG〜220-FP	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50			nチャネル							800 V	2.8a（tc）	10V	1.4OHM @ 2.3A 、10V	3.9V @ 240µA	23 NC @ 10 V	±20V	570 PF @ 100 V	-	31W （TC）
BFP 650F E6327	-	RFQ	8020	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	150°C （TJ）	表面マウント	4-SMD 、フラットリード		BFP 650			500MW			4-TSFP	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	3,000						11db〜21.5db																															4.5V	150ma											npn		110 @ 80MA、3V	42GHz			0.8db〜1.9db @ 1.8GHz6GHz
BSP88L6327HTSA1	-	RFQ	7375	Infineon Technologies	SIPMOS®	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-261-4、TO-261AA		BSP88		モスフェット（金属酸化物）				PG-SOT223-4-21	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000			nチャネル							240 v	350ma（ta）	2.8V 、4.5V	6OHM @ 350MA 、10V	1.4V @ 108µA	6.8 NC @ 10 V	±20V	95 PF @ 25 V	-	1.7W
IPI084N06L3GXKSA1	-	RFQ	5765	Infineon Technologies	Optimos™	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	穴を通して	To-262-3 Long Leads		IPI084N		モスフェット（金属酸化物）				PG-to262-3-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	500			nチャネル							60 V	50a（tc）	4.5V 、10V	8.4mohm @ 50a 、10V	2.2V @ 34µA	29 NC @ 4.5 v	±20V	4900 PF @ 30 V	-	79W
IPD90N06S407ATMA2	1.6600	RFQ	54	Infineon Technologies	Automotive 、AEC-Q101、Optimos™	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3		IPD90		モスフェット（金属酸化物）				PG-to252-3-11	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,500			nチャネル							60 V	90a	10V	6.9mohm @ 90a 、10V	4V @ 40µA	56 NC @ 10 V	±20V		-	79W
BAV 70W H6327	0.0400	RFQ	78	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ		表面マウント	SC-70、SOT-323		bav 70		標準				SOT-323	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	7,194		小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度																								1ペア共通カソード	80 v	200MA （DC）	1.25 V @ 150 MA	4 ns	150 NA @ 70 V	150°C （最大）
IRFZ48NPBF	1.5900	RFQ	5	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3		IRFZ48		モスフェット（金属酸化物）				TO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50			nチャネル							55 v	64a（tc）	10V	14mohm @ 32a 、10V	4V @ 250µA	81 NC @ 10 V	±20V	1970 pf @ 25 v	-	130W
BSO200P03SNTMA1	-	RFQ	4711	Infineon Technologies	Optimos™	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）				モスフェット（金属酸化物）				PG-DSO-8	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,500			pチャネル							30 V	7.4a（ta）	10V	20mohm @ 9.1a 、10V	1.5V @ 100µA	54 NC @ 10 V	±25V	2330 pf @ 25 v	-	1.56W
IRGS4615DPBF	-	RFQ	2161	Infineon Technologies	-	チューブ	廃止	-40°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3			標準		99 W			d2pak	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50					400V 、8a 、47ohm、15V																									60 ns						-	600 V	23 a	24 a	1.85V @ 15V 、8a	70µj（on145µj （オフ）	19 NC	30ns/95ns
BCR555E6433	0.0600	RFQ	500	Infineon Technologies	aec-q101	バルク	アクティブ		表面マウント	TO-236-3		BCR555			330 MW			PG-SOT23-3-3	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	4,792																																					50 v	500 Ma								100na（icbo）			pnp-前バイアス	300MV @ 2.5MA 、50mA	70 @ 50MA 、5V	150 MHz	2.2 KOHMS	10 Kohms

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²