画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | タイプ | 基本製品番号 | 入力タイプ | テクノロジー | パワー -マックス | 構造 | 入力 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | フェットタイプ | 現在-hold(ihmax) | テスト条件 | 現在 | 電圧 | 電圧 -分離 | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | 電圧 -状態外 | 現在 -state(it (rms | 電圧 -ゲートトリガー( vgt )(最大) | 現在 -非担当者サージ50、60Hz | 現在 -ゲートトリガー( Igt )(最大) | 現在 -State | scr の数、ダイオード | IGBTタイプ | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 現在 -コレクターパルス( icm) | vce(on max) @ vge | エネルギーの切り替え | ゲートチャージ | TD (オン/オフ) @ 25°C | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | NTCサーミスタ | 入力容量( cies @ vce | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 | 抵抗 -ベース(r1) | 抵抗 -エミッターベース(r2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | auirf1324s | - | ![]() | 1535 | 0.00000000 | Infineon Technologies | hexfet® | チューブ | 廃止 | -55°C〜175°C | 表面マウント | TO-263-3 | モスフェット(金属酸化物) | d2pak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | SP001518994 | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | nチャネル | 24 v | 195a(tc) | 10V | 1.65mohm @ 195a 、10V | 4V @ 250µA | 240 NC @ 10 V | ±20V | 7590 PF @ 24 V | - | 300W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCR141SH6327 | - | ![]() | 9891 | 0.00000000 | Infineon Technologies | aec-q101 | バルク | アクティブ | 表面マウント | 6-VSSOP 、SC-88 、SOT-363 | BCR141 | 250MW | PG-SOT363-6-1 | ダウンロード | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 50V | 100mA | 100na(icbo) | 2 npn- バイアス(デュアル) | 300MV @ 500µA 、10mA | 50 @ 5MA 、5V | 130MHz | 22kohms | 22kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF3707ZCSPBF | - | ![]() | 2282 | 0.00000000 | Infineon Technologies | hexfet® | チューブ | 廃止 | -55°C〜175°C | 表面マウント | TO-263-3 | モスフェット(金属酸化物) | d2pak | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | *IRF3707ZCSPBF | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 30 V | 59a(tc) | 4.5V 、10V | 9.5mohm @ 21a 、10V | 2.25V @ 25µA | 15 NC @ 4.5 v | ±20V | 1210 PF @ 15 V | - | 57W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRAMX30TP60A-2 | - | ![]() | 4830 | 0.00000000 | Infineon Technologies | imotion™ | チューブ | 廃止 | 穴を通して | 23-POWERSIP モジュール、19 のリード、リードを形成しました | IGBT | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | SP001535430 | ear99 | 8542.39.0001 | 80 | 3フェーズ | 30 a | 600 V | 2000VRMS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFB42N20DPBF | - | ![]() | 5948 | 0.00000000 | Infineon Technologies | hexfet® | チューブ | 廃止 | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-220-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | nチャネル | 200 v | 44a(tc) | 10V | 55mohm @ 26a 、10V | 5.5V @ 250µA | 140 NC @ 10 V | ±30V | 3430 PF @ 25 V | - | 2.4W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFR3910TRPBF | 1.3400 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Infineon Technologies | hexfet® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | to-252-3 | IRFR3910 | モスフェット(金属酸化物) | d-pak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | nチャネル | 100 V | 16a(tc) | 10V | 115mohm @ 10a 、10v | 4V @ 250µA | 44 NC @ 10 V | ±20V | 640 PF @ 25 V | - | 79W | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FZ1800R16KF4NOSA1 | - | ![]() | 7646 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | シャーシマウント | モジュール | 11000 w | 標準 | - | - | 0000.00.0000 | 1 | 3独立 | - | 1600 v | 1800 a | - | 12 Ma | いいえ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB120N04S302ATMA1 | - | ![]() | 9594 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos® | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | TO-263-3 | モスフェット(金属酸化物) | PG-to263-3-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | nチャネル | 40 v | 120a(tc) | 10V | 2.3mohm @ 80a 、10V | 4V @ 230µA | 210 NC @ 10 V | ±20V | 14300 PF @ 25 V | - | 300W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IQE220N15NM5CGSCATMA1 | 1.5191 | ![]() | 9714 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 448-IQE220N15NM5CGSCATMA1TR | 6,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRG6S320UPBF | - | ![]() | 7420 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜150°C (TJ | 表面マウント | TO-263-3 | IRG6S320 | 標準 | 114 w | d2pak | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | SP001533800 | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 196v | 溝 | 330 v | 50 a | 1.65V @ 15V 、24A | - | 46 NC | 24ns/89ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FS75R12KE3GBOSA1 | 186.7800 | ![]() | 7084 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜125°C | シャーシマウント | モジュール | FS75R12 | 355 W | 標準 | モジュール | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 10 | 三相インバーター | - | 1200 v | 100 a | 2.15V @ 15V 、75a | 5 Ma | はい | 5.3 nf @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF3315STRLPBF | - | ![]() | 3506 | 0.00000000 | Infineon Technologies | hexfet® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜175°C | 表面マウント | TO-263-3 | モスフェット(金属酸化物) | d2pak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 800 | nチャネル | 150 v | 21a(tc) | 10V | 82mohm @ 12a 、10v | 4V @ 250µA | 95 NC @ 10 V | ±20V | 1300 PF @ 25 V | - | 3.8W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FZ2000R33HE4BOSA1 | 2.0000 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Infineon Technologies | IHM-B | トレイ | アクティブ | -40°C〜150°C (TJ | シャーシマウント | モジュール | FZ2000 | 4.2 MW | 標準 | Ag-IHVB190-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | シングルスイッチ | トレンチフィールドストップ | 3300 v | 2000 a | 2.2V @ 15V | 5 Ma | いいえ | 280 nf @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FF1800R23IE7BPSA1 | 2.0000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Primepack™3+ b | トレイ | アクティブ | -40°C〜150°C (TJ | シャーシマウント | モジュール | FF1800R | 標準 | Ag-Prime3+ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 8541.29.0095 | 2 | 2独立 | - | 2300 v | 1800 a | 2.26V @ 15V、1.8ka | 30 Ma | いいえ | 420 nf @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC857BWE6327 | 0.0200 | ![]() | 333 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | BC857 | 250 MW | PG-SOT323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 45 v | 100 Ma | 15NA | PNP | 650mv @ 5ma 、100ma | 220 @ 2MA 、5V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FZ1200R33KF2CNOSA2 | - | ![]() | 8083 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜125°C | シャーシマウント | モジュール | FZ1200 | 14500 w | 標準 | - | ダウンロード | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | フルブリッジ | - | 3300 v | 2000 a | 4.25V @ 15V、1.2ka | 12 Ma | いいえ | 150 nf @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB80N06S2H5ATMA1 | - | ![]() | 1711 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos™ | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | -55°C〜175°C | 表面マウント | TO-263-3 | IPB80N | モスフェット(金属酸化物) | PG-to263-3-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | nチャネル | 55 v | 80a(tc) | 10V | 5.2mohm @ 80a 、10V | 4V @ 230µA | 155 NC @ 10 V | ±20V | 4400 PF @ 25 V | - | 300W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPD135N08N3GBTMA1 | - | ![]() | 4889 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos™ | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜175°C | 表面マウント | to-252-3 | IPD135N | モスフェット(金属酸化物) | PG-to252-3 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 80 v | 45a(tc) | 6V 、10V | 13.5mohm @ 45a 、10V | 3.5V @ 33µA | 25 NC @ 10 V | ±20V | 1730 pf @ 40 v | - | 79W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | auirfu8403-701trl | - | ![]() | 5764 | 0.00000000 | Infineon Technologies | hexfet® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜175°C | 穴を通して | to-251-3 | モスフェット(金属酸化物) | PG-to251-3-21 | - | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | nチャネル | 40 v | 100a(tc) | 10V | 3.1mohm @ 76a 、10V | 3.9V @ 100µA | 99 NC @ 10 V | ±20V | 3171 PF @ 25 V | - | 99W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IGC03T60TEX7SA2 | - | ![]() | 9115 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | アクティブ | - | - | - | IGC03 | - | - | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TT61N12KOFB2HPSA1 | - | ![]() | 8464 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | 廃止 | -40°C〜125°C | シャーシマウント | モジュール | TT61N | シリーズ接続 -すべてのscr | ダウンロード | 適用できない | 影響を受けていない | ear99 | 8541.30.0080 | 15 | 200 ma | 1.2 kv | 120 a | 1.4 v | 1550A @ 50Hz | 120 Ma | 76 a | 2 SCRS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRLML0060TRPBF | 0.4500 | ![]() | 72 | 0.00000000 | Infineon Technologies | hexfet® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | IRLML0060 | モスフェット(金属酸化物) | Micro3™/SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 60 V | 2.7a(ta) | 4.5V 、10V | 92mohm @ 2.7a 、10V | 2.5V @ 25µA | 2.5 NC @ 4.5 v | ±16V | 290 PF @ 25 V | - | 1.25W | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC 808-40 B6327 | - | ![]() | 8129 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-236-3 | BC 808 | 330 MW | PG-SOT23 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 30,000 | 25 v | 500 Ma | 100na(icbo) | PNP | 700mv @ 50ma 、500ma | 250 @ 100MA、1V | 200MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FZ1000R33HE3BPSA1 | 1.0000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Infineon Technologies | IHM-B | トレイ | 新しいデザインではありません | -40°C〜150°C | シャーシマウント | モジュール | FZ1000 | 標準 | モジュール | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2 | シングルスイッチ | トレンチフィールドストップ | 3300 v | 1000 a | 3.1V @ 15V 、100A | 5 Ma | いいえ | 190 nf @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPP120N04S401AKSA1 | - | ![]() | 7125 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos™ | チューブ | 廃止 | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-220-3 | IPP120N | モスフェット(金属酸化物) | PG-to220-3-1 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 500 | nチャネル | 40 v | 120a(tc) | 10V | 1.9mohm @ 100a 、10V | 4V @ 140µA | 176 NC @ 10 V | ±20V | 14000 PF @ 25 V | - | 188W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRLHS6242TRPBF | 0.6300 | ![]() | 149 | 0.00000000 | Infineon Technologies | hexfet® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 6-POWERVDFN | IRLHS6242 | モスフェット(金属酸化物) | 6-PQFN (2x2) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 4,000 | nチャネル | 20 v | 10a(ta )、 12a (tc) | 2.5V 、4.5V | 11.7mohm @ 8.5a 、4.5V | 1.1V @ 10µA | 14 NC @ 4.5 v | ±12V | 1110 PF @ 10 V | - | 1.98W | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FD1000R17IE4BOSA2 | 710.6400 | ![]() | 9666 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Primepack™3 | トレイ | 新しいデザインではありません | -40°C〜150°C | シャーシマウント | モジュール | FD1000 | 6250 w | 標準 | モジュール | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2 | シングル | - | 1700 v | 2.45V @ 15V、1000A | 5 Ma | はい | 81 nf @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSZ036NE2LSATMA1 | 0.9500 | ![]() | 94 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos™ | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-powertdfn | BSZ036 | モスフェット(金属酸化物) | PG-TSDSON-8-FL | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | nチャネル | 25 v | 16a(タタ)、40a(tc) | 4.5V 、10V | 3.6mohm @ 20a 、10v | 2V @ 250µA | 16 NC @ 10 V | ±20V | 1200 pf @ 12 v | - | 2.1W | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SIGC81T60NCX1SA5 | - | ![]() | 9990 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 死ぬ | SIGC81T60 | 標準 | 死ぬ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 廃止 | 1 | 300V 、100A 、2.2OHM 、15V | npt | 600 V | 100 a | 300 a | 2.5V @ 15V 、100A | - | 95ns/200ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSM35GP120GBOSA1 | 289.6420 | ![]() | 1937年年 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 前回購入します | -40°C〜125°C | シャーシマウント | モジュール | BSM35G | 230 W | 三相ブリッジ整流器 | モジュール | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 10 | フルブリッジ | - | 1200 v | 45 a | 2.85V @ 15V、35a | 500 µA | はい | 1.5 nf @ 25 V |
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