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離散半導体製品（16626）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	タイプ	基本製品番号	入力タイプ	テクノロジー	パワー -マックス	構造	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	フェットタイプ	現在 -マックス	現在-hold（ihmax）	テスト条件	現在	電圧	電圧 -分離	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	電圧 -状態外	現在 -state（it （rms	電圧 -ゲートトリガー（ vgt ）（最大）	現在 -非担当者サージ50、60Hz	現在 -ゲートトリガー（ Igt ）（最大）	現在 -State	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	scr の数、ダイオード	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターパルス（ icm）	vce（on max） @ vge	エネルギーの切り替え	ゲートチャージ	TD （オン/オフ） @ 25°C	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	入力容量（ cies @ vce	@ @ if、f	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移	抵抗 -ベース（r1）	抵抗 -エミッターベース（r2）
IMBG65R022M1HXTMA1	23.5900	RFQ	8466	Infineon Technologies	coolsic™	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-8		IMBG65		sicfet （炭化シリコン）				PG-to263-7-12	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	448-IMBG65R022M1HXTMA1DKR	ear99	8541.29.0095	1,000			nチャネル							650 V	64a（tc）	18V	30mohm @ 41.1a、18V	5.7V @ 12.3MA	67 NC @ 18 V	+23V、-5V	2288 PF @ 400 v	-	300W （TC）
SIPC10N65C3X1SA2	-	RFQ	8939	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ	-	-	-		SIPC10		-				-	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	SP001611950	ear99	8541.29.0095	1			-								-	-	-	-		-		-	-
IPS80R1K2P7AKMA1	0.6448	RFQ	1246	Infineon Technologies	coolmos™p7	チューブ	新しいデザインではありません	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-251-3 スタブリード、IPAK		IPS80R1		モスフェット（金属酸化物）				PG-to251-3-342	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,500			nチャネル							800 V	4.5a	10V	1.2OHM @ 1.7A 、10V	3.5V @ 80µA	11 NC @ 10 V	±20V	300 pf @ 500 v	-	37W （TC）
SGB02N120CT	-	RFQ	9419	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-263-3		SGB02N	標準		62 w			PG-to263-3-2	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.29.0095	1						800V 、2A 、91OHM、15V																												npt	1200 v	6.2 a	9.6 a	3.6V @ 15V 、2a	220µj	11 NC	23ns/260ns
IRF1010EZL	-	RFQ	1039	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	穴を通して	To-262-3 Long Leads				モスフェット（金属酸化物）				TO-262	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	*IRF1010EZL	ear99	8541.29.0095	50			nチャネル							60 V	75a（tc）	10V	8.5mohm @ 51a 、10V	4V @ 100µA	86 NC @ 10 V	±20V	2810 pf @ 25 v	-	140W
IRF7534D1TR	-	RFQ	7119	Infineon Technologies	fetky™	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	8-TSSOP 、8-MSOP （0.118 "、3.00mm 幅）				モスフェット（金属酸化物）				micro8™	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	4,000			pチャネル							20 v	4.3a（ta）	2.5V 、4.5V	55mohm @ 4.3a 、4.5V	1.2V @ 250µA	15 NC @ 5 V	±12V	1066 PF @ 10 V	ショットキーダイオード（分離）	1.25W
バー90-07LRH E6327	-	RFQ	4284	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	150°C （TJ）		4-xfdfn		bar90						PG-TSLP-4-7	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	15,000				100 Ma															250 MW													0.35pf @ 1V、1MHz										ピン-2独立	80V				800mohm @ 10ma 、100MHz
IRAMS12UP60A	-	RFQ	1051	Infineon Technologies	imotion™	チューブ	廃止		穴を通して	23-POWERSIP モジュール、19 のリード、リードを形成しました	IGBT								ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	SP001537108	ear99	8542.39.0001	80	3フェーズ						12 a	600 V	2000VRMS
SGW30N60	-	RFQ	6365	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-247-3		SGW30N	標準		250 W			PG-to247-3-21	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1						400V、30A 、11OHM15V																												npt	600 V	41 a	112 a	2.4V @ 15V、30a	640µj（オン）、650µJ	140 NC	44ns/291ns
IRF7338TRPBF	-	RFQ	5915	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）		IRF733		モスフェット（金属酸化物）	2W			8-SO	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	4,000	nおよびpチャネル									12V	6.3a、3a		34mohm @ 6a 、4.5V	1.5V @ 250µA	8.6NC @ 4.5V		640pf @ 9V	ロジックレベルゲート
IPB60R099CPATMA1	9.4000	RFQ	6	Infineon Technologies	coolmos™cp	テープ＆リール（ tr）	新しいデザインではありません	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-263-3		IPB60R099		モスフェット（金属酸化物）				PG-to263-3-2	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000			nチャネル							600 V	31a（tc）	10V	99mohm @ 18a 、10v	3.5V @ 1.2MA	80 NC @ 10 V	±20V	2800 PF @ 100 V	-	255W
T1400N16H75VTXPSA1	314.2500	RFQ	12	Infineon Technologies	-	トレイ	アクティブ	-	-			T1400N				-			ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.30.0080	4																							-										-
FP25R12W2T7B11BPSA1	61.1600	RFQ	10	Infineon Technologies	Easypim™	トレイ	アクティブ	-40°C〜175°C	シャーシマウント	モジュール		FP25R12			20 MW		三相ブリッジ整流器	ag-easy2b-2	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	15	三相インバーター																																	トレンチフィールドストップ	1200 v	25 a		1.6V @ 15V 、25a						5.6 µA	はい	4.77 NF @ 25 V
DZ1070N26KHPSA1	750.9600	RFQ	8135	Infineon Technologies	-	トレイ	アクティブ		シャーシマウント	モジュール		DZ1070		標準				モジュール	ダウンロード	ROHS3準拠	適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns																								2600 v	1.52 V @ 3400 a		150 mA @ 2600 v	-40°C〜150°C	1070a	-
BSC094N06LS5ATMA1	1.2400	RFQ	28	Infineon Technologies	Optimos™	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	8-powertdfn		BSC094		モスフェット（金属酸化物）				PG-TDSON-8-6	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	5,000			nチャネル							60 V	47a（tc）	4.5V 、10V	9.4mohm @ 24a 、10V	2.3V @ 14µA	9.4 NC @ 4.5 v	±20V	1300 PF @ 30 V	-	36W （TC）
T420N14TOFXPSA1	134.5400	RFQ	6354	Infineon Technologies	-	トレイ	前回購入します	-40°C〜125°C	シャーシマウント	do-200aa、a-puk		T420N14				シングル			ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.30.0080	12					300 Ma															1.8 kv	750 a	2 v	7200A @ 50Hz	200 ma	424 a								1 SCR
FZ1200R12ME4B11BOSA1	811.2600	RFQ	1	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ												-				2156-FZ1200R12ME4B11BOSA1			1
IPA80R460CEXKSA2	2.8200	RFQ	3909	Infineon Technologies	coolmos™	チューブ	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	穴を通して	TO-220-3フルパック		IPA80R460		モスフェット（金属酸化物）				PG-to220-3-31	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50			nチャネル							800 V	10.8a（ta）	10V	460mohm @ 7.1a 、10V	3.9V @ 680µA	64 NC @ 10 V	±20V	1600 PF @ 100 V	-	34W （TC）
BTS244ZE3062AATMA2	5.5700	RFQ	3572	Infineon Technologies	Tempfet®	テープ＆リール（ tr）	新しいデザインではありません	-40°C〜175°C	表面マウント	TO-263-5		BTS244		モスフェット（金属酸化物）				PG-to263-5-2	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000			nチャネル							55 v	35a（tc）	4.5V 、10V	13mohm @ 19a 、10V	2V @ 130µA	130 NC @ 10 V	±20V	2660 PF @ 25 V	温度センシングダイオード	170W
IPU60R1K4C6BKMA1	-	RFQ	1895年	Infineon Technologies	coolmos™	バルク	sicで中止されました	-55°C〜155°C	穴を通して	to-251-3		IPU60R		モスフェット（金属酸化物）				PG-to251-3	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1			nチャネル							600 V	3.2a	10V	1.4OHM @ 1.1A 、10V	3.5V @ 90µA	9.4 NC @ 10 V	±20V	200 pf @ 100 V	-	28.4W
TZ800N18KOFHPSA3	586.6500	RFQ	1	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ	-40°C〜125°C	シャーシマウント	モジュール		TZ800N18				シングル			ダウンロード	ROHS3準拠	適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.30.0080	1					500 Ma															1.8 kv	1500 a	2 v	35000A @ 50Hz	250 Ma	819 a								1 SCR
IRF3305PBF	-	RFQ	5819	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3				モスフェット（金属酸化物）				TO-220AB	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50			nチャネル							55 v	75a（tc）	10V	8mohm @ 75a 、10V	4V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±20V	3650 PF @ 25 V	-	330W
FP50R06KE3BPSA1	117.1600	RFQ	12	Infineon Technologies	econopim™2	トレイ	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	モジュール		FP50R06			190 w		三相ブリッジ整流器	ag-econo2c	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	15	三相インバーター																																	トレンチフィールドストップ	600 V	60 a		2V @ 15V、30A						1 Ma	はい	3.1 nf @ 25 v
BSS127L6327HTSA1	-	RFQ	6409	Infineon Technologies	SIPMOS®	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3				モスフェット（金属酸化物）				PG-SOT23	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	3,000			nチャネル							600 V	21ma（ta）	4.5V 、10V	500OHM @ 16MA 、10V	2.6V @ 8µA	1 NC @ 10 V	±20V	28 pf @ 25 v	-	500MW
BSP125L6433HTMA1	-	RFQ	4452	Infineon Technologies	SIPMOS®	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-261-4、TO-261AA				モスフェット（金属酸化物）				PG-SOT223-4-21	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	4,000			nチャネル							600 V	120ma（ta）	4.5V 、10V	45OHM @ 120MA 、10V	2.3V @ 94µA	6.6 NC @ 10 V	±20V	150 PF @ 25 V	-	1.8W
SPW47N60C3FKSA1	18.4700	RFQ	1	Infineon Technologies	coolmos™	チューブ	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-247-3		SPW47N60		モスフェット（金属酸化物）				PG-to247-3-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	30			nチャネル							650 V	47a（tc）	10V	70mohm @ 30a 、10V	3.9V @ 2.7MA	320 NC @ 10 V	±20V	6800 PF @ 25 V	-	415W
RKP404KS-1＃Q1	-	RFQ	7592	Infineon Technologies	-	バルク	廃止												-				2156-RKP404KS-1 ＃Q1			1
BCR 503 B6327	-	RFQ	6516	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました		表面マウント	TO-236-3		BCR 503			330 MW			PG-SOT23	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	30,000																																			50 v	500 Ma								100na（icbo）				npn-バイアス化	300MV @ 2.5MA 、50mA	40 @ 50ma 、5v	100 MHz	2.2 KOHMS	2.2 KOHMS
SDT10S60	-	RFQ	1913年年	Infineon Technologies	coolsic™+	チューブ	廃止		穴を通して	TO-220-2		SDT10S		sic （炭化シリコン）ショットキー				PG-to220-2-2	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	500		回復時間なし> 500ma																								600 V	1.7 V @ 10 a	0 ns	350 µA @ 600 V	-55°C〜175°C	10a	350pf @ 0V、1MHz
BSO201SPNTMA1	-	RFQ	8940	Infineon Technologies	Optimos™	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）				モスフェット（金属酸化物）				PG-DSO-8	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,500			pチャネル							20 v	14.9a	2.5V 、4.5V	8mohm @ 14.9a 、4.5V	1.2V @ 250µA	128 NC @ 4.5 v	±12V	5962 PF @ 15 V	-	2.5W

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²