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離散半導体製品（16626）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	入力タイプ	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	フェットタイプ	現在 -マックス	テスト条件	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターパルス（ icm）	vce（on max） @ vge	エネルギーの切り替え	TD （オン/オフ） @ 25°C	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	入力容量（ cies @ vce	@ @ if、f
FS800R07A2E3BOSA4	-	RFQ	2627	Infineon Technologies	HybridPack™2	トレイ	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	モジュール	FS800R07			1500 w	標準	モジュール	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	3	三相インバーター																						トレンチフィールドストップ	650 V	700 a		1.6V @ 15V 、550A					5 Ma	はい	52 nf @ 25 v
BSO080P03NS3GXUMA1	-	RFQ	1628	Infineon Technologies	Optimos™	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）	BSO080		モスフェット（金属酸化物）			PG-DSO-8	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,500			pチャネル			30 V	12a（ta）	6V 、10V	8mohm @ 14.8a 、10V	3.1V @ 150µA	81 NC @ 10 V	±25V	6750 PF @ 15 V	-	1.6W
DF14MR12W1M1HFB67BPSA1	158.8800	RFQ	24	Infineon Technologies	coolsic™	トレイ	アクティブ	-	シャーシマウント	モジュール	DF14MR12		モスフェット（金属酸化物）	-		ag-easy1b	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	24	-					1200V（1.2kv）	-		-	-	-		-	-
98-0299	-	RFQ	5939	Infineon Technologies	-	チューブ	廃止										-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		廃止		1							-
IPA028N08N3G	3.8000	RFQ	5	Infineon Technologies	Optimos™3	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3フルパック			モスフェット（金属酸化物）			PG-to220-3-111	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	1			nチャネル			80 v	89a（tc）	6V 、10V	2.8mohm @ 89a 、10V	3.5V @ 270µA	206 NC @ 10 V	±20V	14200 PF @ 40 V	-	42W
IPN60R360PP7SATMA1	1.1600	RFQ	9129	Infineon Technologies	coolmos™p7	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	表面マウント	TO-261-4、TO-261AA	IPN60R		モスフェット（金属酸化物）			PG-SOT223	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	3,000			nチャネル			600 V	9a（tc）	10V	360mohm @ 2.7a 、10V	4V @ 140µA	13 NC @ 10 V	±20V	555 PF @ 400 V	-	7W （TC）
IRF3703PBF	4.1700	RFQ	2	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3	IRF3703		モスフェット（金属酸化物）			TO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50			nチャネル			30 V	210a（tc）	7V 、10V	2.8mohm @ 76a 、10V	4V @ 250µA	209 NC @ 10 V	±20V	8250 PF @ 25 V	-	3.8W
IPP65R190C7FKSA1	3.4900	RFQ	455	Infineon Technologies	coolmos™c7	チューブ	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3	IPP65R190		モスフェット（金属酸化物）			PGから220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50			nチャネル			650 V	13a（tc）	10V	190mohm @ 5.7a 、10V	4V @ 290µA	23 NC @ 10 V	±20V	1150 pf @ 400 v	-	72W
IPP120P04PL03AKSA1	-	RFQ	6451	Infineon Technologies	Automotive 、AEC-Q101、Optimos™	チューブ	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3	IPP120		モスフェット（金属酸化物）			PG-to220-3-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50			pチャネル			40 v	120a（tc）	4.5V 、10V	3.4mohm @ 100a 、10V	2.2V @ 340µA	234 NC @ 10 V	±16V	15000 PF @ 25 V	-	136W
IPSH6N03LB g	-	RFQ	1043	Infineon Technologies	Optimos™	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-251-3 スタブリード、IPAK	IPSH6N		モスフェット（金属酸化物）			PG-to251-3-11	ダウンロード		3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,500			nチャネル			30 V	50a（tc）	4.5V 、10V	6.3mohm @ 50a 、10V	2V @ 40µA	22 NC @ 5 V	±20V	2800 PF @ 15 V	-	83W
IHW30N140R5LXKSA1	4.1500	RFQ	7726	Infineon Technologies	-	チューブ	アクティブ										ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		448-IHW30N140R5LXKSA1	ear99	8541.29.0095	30
BTC30010-1TAA	2.8900	RFQ	8	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ		表面マウント	TO-263-7						PGから263-7-8	ダウンロード	適用できない	3 （168 時間）	未定義のベンダー		ear99	8542.39.0001	1,000
IPA50R950CEXKSA2	0.9300	RFQ	3299	Infineon Technologies	coolmos™ce	チューブ	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	穴を通して	TO-220-3フルパック	IPA50R950		モスフェット（金属酸化物）			PG-to220-3-fp	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50			nチャネル			500 V	3.7a（tc）	13V	950mohm @ 1.2a、13V	3.5V @ 100µA	10.5 NC @ 10 V	±20V	231 PF @ 100 V	-	25.7W
SPP80N06S209	0.7500	RFQ	894	Infineon Technologies	Optimos™	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3			モスフェット（金属酸化物）			PG-to220-3-1	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1			nチャネル			55 v	80a（tc）	10V	9.1mohm @ 50a 、10V	4V @ 125µA	80 NC @ 10 V	±20V	3140 PF @ 25 V	-	190W
BSL302SNH6327XTSA1	-	RFQ	2939	Infineon Technologies	Optimos™	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	SOT-23-6薄い、TSOT-23-6			モスフェット（金属酸化物）			PG-TSOP6-6	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	3,000			nチャネル			30 V	7.1a（ta）	4.5V 、10V	25mohm @ 7.1a 、10V	2V @ 30µA	6.6 NC @ 5 V	±20V	750 PF @ 15 V	-	2W （TA）
SIGC61T60NCX1SA1	-	RFQ	8876	Infineon Technologies	-	バルク	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	死ぬ	SIGC61T60	標準				死ぬ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		廃止		1					300V、75a、3ohm、15V																		npt	600 V	75 a	225 a	2.5V @ 15V 、75a	-	65ns/170ns
FZ1800R12KF4S1	1.0000	RFQ	77	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	モジュール				10500 w	標準	AG-IHMB190	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.29.0095	1	シングルスイッチ																						溝	1200 v	2700 a		2.05V @ 15V、1.8ka					5 Ma	いいえ	110 nf @ 25 v
IDV04S60CXKSA1	-	RFQ	6861	Infineon Technologies	coolsic™+	チューブ	廃止		穴を通して	TO-220-2フルパック	IDV04S60		sic （炭化シリコン）ショットキー			PG-to220-2フルパック	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	500		回復時間なし> 500ma														600 V	1.9 V @ 4 a	0 ns	50 µA @ 600 V	-55°C〜175°C	4a	130pf @ 1V、1MHz
FS800R07A2E3IBPSA1	-	RFQ	5466	Infineon Technologies	HybridPack™2	トレイ	sicで中止されました				FS800R07						-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8542.39.0001	3
IRFR5505PBF	-	RFQ	7002	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	sicで中止されました	-55°C〜150°C	表面マウント	to-252-3			モスフェット（金属酸化物）			d-pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	75			pチャネル			55 v	18a（tc）	10V	110mohm @ 9.6a 、10V	4V @ 250µA	32 NC @ 10 V	±20V	650 PF @ 25 V	-	57W
SN7002WL6327	-	RFQ	3648	Infineon Technologies	SIPMOS®	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-70、SOT-323			モスフェット（金属酸化物）			PG-SOT323-3-2	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	6,000			nチャネル			60 V	230ma（ta）	4.5V 、10V	5OHM @ 230MA 、10V	1.8V @ 26µA	1.5 NC @ 10 V	±20V	45 PF @ 25 V	-	500MW
FZ1200R12HE4HOSA2	637.5500	RFQ	1	Infineon Technologies	IHM-B	トレイ	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	モジュール	FZ1200			7150 w	標準	-	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2	シングルスイッチ																						トレンチフィールドストップ	1200 v	1825 a		2.1V @ 15V 、1.2ka					5 Ma	いいえ	74 nf @ 25 v
IRL2203NSPBF	-	RFQ	7113	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	sicで中止されました	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3			モスフェット（金属酸化物）			d2pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50			nチャネル			30 V	116a（tc）	4.5V 、10V	7mohm @ 60a 、10V	3V @ 250µA	60 NC @ 4.5 v	±16V	3290 PF @ 25 V	-	3.8W （TA ）、180W（TC）
IDP30E60XKSA1	1.2518	RFQ	3281	Infineon Technologies	-	チューブ	前回購入します		穴を通して	TO-220-2	IDP30		標準			PG-to220-2-2	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	500		高速回復= <500ns														600 V	2 V @ 30 a	126 ns	50 µA @ 600 V	-55°C〜175°C	52.3a	-
IPI040N06N3GHKSA1	-	RFQ	8536	Infineon Technologies	Optimos™	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	穴を通して	To-262-3 Long Leads	IPI04N		モスフェット（金属酸化物）			PG-to262-3	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	500			nチャネル			60 V	90a	10V	4mohm @ 90a 、10V	4V @ 90µA	98 NC @ 10 V	±20V	11000 pf @ 30 v	-	188W
IRF630NS	-	RFQ	6230	Infineon Technologies	hexfet®	バルク	廃止	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3			モスフェット（金属酸化物）			d2pak	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	*IRF630NS	ear99	8541.29.0095	200			nチャネル			200 v	9.3a（tc）	10V	300mohm @ 5.4a 、10V	4V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V	575 PF @ 25 V	-	82W
IPI032N06N3GE8214AKSA1	-	RFQ	6516	Infineon Technologies	Optimos™	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	穴を通して	To-262-3 Long Leads	IPI032N		モスフェット（金属酸化物）			PG-to262-3-1	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	500			nチャネル			60 V	120a（tc）	10V	3.2mohm @ 100a 、10V	4V @ 118µA	165 NC @ 10 V	±20V	13000 pf @ 30 V	-	188W
IPA65R660CFDXKSA2	1.3395	RFQ	7438	Infineon Technologies	coolmos™cfd2	チューブ	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3フルパック	IPA65R660		モスフェット（金属酸化物）			PG-to220フルパック	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	500			nチャネル			700 V	6a（tc）	10V	660mohm @ 2.1a 、10V	4.5V @ 200µA	22 NC @ 10 V	±20V	615 PF @ 100 V	-	27.8W
BSL806NL6327HTSA1	-	RFQ	4389	Infineon Technologies	Optimos™	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	SOT-23-6薄い、TSOT-23-6	BSL806		モスフェット（金属酸化物）	500MW		PG-TSOP6-6	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	3,000	2 nチャンネル（デュアル）					20V	2.3a		57mohm @ 2.3a 、2.5V	750mv @ 11µa	1.7NC @ 2.5V		259pf @ 10V	ロジックレベルゲート
bar63-03we6433	0.0300	RFQ	2588	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ	150°C （TJ）		SC-76、SOD-323						PG-SOD323-3D	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	7,000				100 Ma											250 MW							0.3pf @ 5V、1MHz								ピン -シングル	50V				1OHM @ 10MA 、100MHz

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²