画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | タイプ | 基本製品番号 | 入力タイプ | テクノロジー | パワー -マックス | 構造 | 入力 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | フェットタイプ | 現在-hold(ihmax) | テスト条件 | 得 | 現在 | 電圧 | 電圧 -分離 | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | 電圧 -状態外 | 現在 -state(it (rms | 電圧 -ゲートトリガー( vgt )(最大) | 現在 -非担当者サージ50、60Hz | 現在 -ゲートトリガー( Igt )(最大) | 現在 -State | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | scr の数、ダイオード | IGBTタイプ | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 現在 -コレクターパルス( icm) | vce(on max) @ vge | エネルギーの切り替え | TD (オン/オフ) @ 25°C | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | NTCサーミスタ | 入力容量( cies @ vce | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 | 抵抗 -ベース(r1) | ノイズフィギュア(DBタイプ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | T1410N04TOFXPSA1 | 227.5178 | ![]() | 3798 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜140°C | シャーシマウント | do-200ab、b-puk | T1410N04 | シングル | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.30.0080 | 9 | 300 Ma | 600 V | 2500 a | 1.5 v | 23000A @ 50Hz | 250 Ma | 1490 a | 1 SCR | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCR 519 E6327 | - | ![]() | 6541 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | TO-236-3 | BCR 519 | 330 MW | PG-SOT23 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 500 Ma | 100na(icbo) | npn-バイアス化 | 300MV @ 2.5MA 、50mA | 120 @ 50MA 、5V | 100 MHz | 4.7 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SIDC06D60F6X1SA2 | - | ![]() | 3377 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | 廃止 | 表面マウント | 死ぬ | SIDC06D60 | 標準 | 死ぬ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 600 V | 1.6 V @ 15 a | 27 µA @ 600 v | -40°C〜175°C | 15a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7317PBF | - | ![]() | 4696 | 0.00000000 | Infineon Technologies | hexfet® | チューブ | sicで中止されました | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | IRF731 | モスフェット(金属酸化物) | 2W | 8-SO | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 95 | nおよびpチャネル | 20V | 6.6a 、5.3a | 29mohm @ 6a 、4.5V | 700MV @ 250µA | 27NC @ 4.5V | 900pf @ 15V | ロジックレベルゲート | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF9410TR | - | ![]() | 2574 | 0.00000000 | Infineon Technologies | hexfet® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | モスフェット(金属酸化物) | 8-SO | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 4,000 | nチャネル | 30 V | 7a(ta) | 4.5V 、10V | 30mohm @ 7a 、10V | 1V @ 250µA | 27 NC @ 10 V | ±20V | 550 PF @ 25 V | - | 2.5W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IDW30E65D1 | - | ![]() | 7942 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | 標準 | PG-to247-3-1 | ダウンロード | 適用できない | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 650 V | 1.7 V @ 30 a | 115 ns | 40 µA @ 650 v | -40°C〜175°C | 60a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TT215N22KOFHPSA1 | 235.9700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | アクティブ | -40°C〜125°C | シャーシマウント | モジュール | TT215N22 | シリーズ接続 -すべてのscr | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | 影響を受けていない | ear99 | 8541.30.0080 | 3 | 300 Ma | 2.2 kv | 2 v | 7000A @ 50Hz | 200 ma | 215 a | 2 SCRS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BF799WE6327 | - | ![]() | 5122 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | 280MW | SOT-323 | ダウンロード | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | - | 20V | 35ma | npn | 40 @ 20MA 、10V | 800MHz | 3DB @ 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SPS03N60C3AKMA1 | - | ![]() | 6835 | 0.00000000 | Infineon Technologies | coolmos™ | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-251-3 スタブリード、IPAK | SPS03N | モスフェット(金属酸化物) | PG-to251-3-11 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 75 | nチャネル | 650 V | 3.2a | 10V | 1.4OHM @ 2A 、10V | 3.9V @ 135µA | 17 NC @ 10 V | ±20V | 400 pf @ 25 V | - | 38W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPD90P04P405AUMA1 | - | ![]() | 9134 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | テープ&リール( tr) | 廃止 | IPD90 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | SP001004240 | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 10V | ±20V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF6644TRPBF | 3.0200 | ![]() | 16 | 0.00000000 | Infineon Technologies | hexfet® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜150°C (TJ | 表面マウント | directfet™mn | IRF6644 | モスフェット(金属酸化物) | directfet™mn | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 4,800 | nチャネル | 100 V | 10.3a | 10V | 13mohm @ 10.3a 、10V | 4.8V @ 150µA | 47 NC @ 10 V | ±20V | 2210 pf @ 25 v | - | 2.8W (TA )、89W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FP15R06YE3B4BOMA1 | 70.8720 | ![]() | 4513 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 新しいデザインではありません | FP15R06 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 20 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IDH10G65C5ZXKSA2 | - | ![]() | 6478 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | チューブ | アクティブ | IDH10G65 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | SP001673846 | ear99 | 8541.10.0080 | 500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | T640N16TOFXPSA1 | 133.7700 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜125°C | シャーシマウント | do-200aa、a-puk | T640N16 | シングル | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.30.0080 | 12 | 300 Ma | 1.8 kv | 1250 a | 2.2 v | 9400A @ 50Hz | 250 Ma | 644 a | 1 SCR | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCR573 | 0.0600 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | アクティブ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 4,792 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFS730TRL7PP | 3.7000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Infineon Technologies | strongirfet™ | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | TO-263-7 | IRFS7730 | モスフェット(金属酸化物) | d2pak(7 リード) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 800 | nチャネル | 75 v | 240a | 6V 、10V | 2mohm @ 100a 、10V | 3.7V @ 250µA | 428 NC @ 10 V | ±20V | 13970 PF @ 25 V | - | 375W | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FF200R12KE3B2HOSA1 | 197.5400 | ![]() | 1830 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜125°C | シャーシマウント | モジュール | FF200R12 | 1050 w | 標準 | モジュール | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 10 | ハーフブリッジ | - | 1200 v | 295 a | 2.15V @ 15V 、200A | 5 Ma | いいえ | 14 nf @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 64-2116pbf | - | ![]() | 1904年 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | チューブ | アクティブ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | SP001562776 | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF8327STR1PBF | - | ![]() | 5466 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜150°C (TJ | 表面マウント | directfet™sq | モスフェット(金属酸化物) | directfet™sq | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | nチャネル | 30 V | 14a(ta )、 60a(tc) | 4.5V 、10V | 7.3mohm @ 14a 、10V | 2.4V @ 25µA | 14 NC @ 4.5 v | ±20V | 1430 pf @ 15 v | - | 2.2W | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCX69-10E6327 | 0.0200 | ![]() | 190 | 0.00000000 | Infineon Technologies | aec-q101 | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-243AA | 3 W | PG-SOT89-4-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 20 v | 1 a | 100na(icbo) | 500MV @ 100MA、1a | 85 @ 500MA、1V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPP024N08NF2SAKMA1 | 2.7900 | ![]() | 388 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Strongirfet™2 | チューブ | アクティブ | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-220-3 | IPP024N | モスフェット(金属酸化物) | PGから220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 80 v | 28a(タタ)、 182a(tc) | 6V 、10V | 2.4mohm @ 100a 、10V | 3.8V @ 139µA | 133 NC @ 10 V | ±20V | 6200 PF @ 40 V | - | 3.8W | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IGC10T65QEX1SA1 | - | ![]() | 5874 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | 廃止 | -40°C〜175°C | 表面マウント | 死ぬ | IGC10T65 | 標準 | 死ぬ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | - | トレンチフィールドストップ | 650 V | 20 a | 60 a | 2.32V @ 15V 、20a | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IDK10G65C5XTMA1 | - | ![]() | 3919 | 0.00000000 | Infineon Technologies | coolsic™+ | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | TO-263-3 | IDK10G65 | sic (炭化シリコン)ショットキー | PG-to263-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.8 V @ 10 a | 0 ns | 1.7 MA @ 650 v | -55°C〜175°C | 10a | 300pf @ 1V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRAM256-2067A | - | ![]() | 7124 | 0.00000000 | Infineon Technologies | imotion™ | チューブ | 廃止 | 穴を通して | 29-POWERSSIP モジュール、21 のリード、リードを形成しました | IGBT | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.39.0001 | 80 | 3フェーズ | 20 a | 600 V | 2000VRMS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSZ0911LSATMA1 | 0.6400 | ![]() | 30 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos™5 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-powertdfn | BSZ0911 | モスフェット(金属酸化物) | PG-TDSON-8 FL | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | nチャネル | 30 V | 12a(タタ)、40a(tc) | 4.5V 、10V | 7mohm @ 20a 、10v | 2V @ 250µA | 10 NC @ 10 V | ±20V | 670 PF @ 15 V | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS12507WE6327HTSA1 | - | ![]() | 3687 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | SC-82A 、SOT-343 | BAS12507 | ショットキー | PG-SOT343-3D | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 2独立 | 25 v | 100MA (DC) | 950 mV @ 35 Ma | 150 Na @ 25 V | 150°C (最大) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRGPC50FD2 | - | ![]() | 3297 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バッグ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-247-3 | 標準 | 200 W | TO-247AC | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 25 | - | 600 V | 70 a | 1.7V @ 15V、39a | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF6100 | - | ![]() | 5937 | 0.00000000 | Infineon Technologies | hexfet® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 4-flipfet™ | モスフェット(金属酸化物) | 4-flipfet™ | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 6,000 | pチャネル | 20 v | 5.1a(ta) | 2.5V 、4.5V | 65mohm @ 5.1a 、4.5V | 1.2V @ 250µA | 21 NC @ 5 V | ±12V | 1230 PF @ 15 V | - | 2.2W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPT65R033G7XTMA1 | 19.6600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Infineon Technologies | coolmos™c7 | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-POWERSFN | IPT65R033 | モスフェット(金属酸化物) | PG-HSOF-8-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | nチャネル | 650 V | 69a | 10V | 33mohm @ 28.9a 、10V | 4V @ 1.44MA | 110 NC @ 10 V | ±20V | 5000 pf @ 400 v | - | 391W | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFI4227PBF | 3.1800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Infineon Technologies | hexfet® | チューブ | アクティブ | -40°C〜150°C (TJ | 穴を通して | TO-220-3フルパック | IRFI4227 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220AB FULL-PAK | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 200 v | 26a(tc) | 10V | 25mohm @ 17a 、10V | 5V @ 250µA | 110 NC @ 10 V | ±30V | 4600 PF @ 25 V | - | 46W |
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