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離散半導体製品（16626）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	タイプ	基本製品番号	入力タイプ	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	フェットタイプ	テスト条件	現在	電圧	電圧 -分離	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターパルス（ icm）	vce（on max） @ vge	エネルギーの切り替え	ゲートチャージ	TD （オン/オフ） @ 25°C	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	入力容量（ cies @ vce	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移	抵抗 -ベース（r1）	抵抗 -エミッターベース（r2）
IDL04G65C5XUMA1	-	RFQ	9637	Infineon Technologies	coolsic™+	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました		表面マウント	4-PowertSfn		IDL04G65		sic （炭化シリコン）ショットキー			PG-VSON-4	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000		回復時間なし> 500ma																650 V	1.7 V @ 4 a	0 ns	70 µA @ 650 V	-55°C〜175°C	4a	130pf @ 1V、1MHz
IRLL024ZTRPBF	0.8900	RFQ	1	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-261-4、TO-261AA		IRLL024		モスフェット（金属酸化物）			SOT-223	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,500			nチャネル					55 v	5a（tc）	4.5V 、10V	60mohm @ 3a 、10V	3V @ 250µA	11 NC @ 5 V	±16V	380 PF @ 25 V	-	1W
IRF6648TR1PBF	-	RFQ	5251	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜150°C （TJ	表面マウント	directfet™mn				モスフェット（金属酸化物）			directfet™mn	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000			nチャネル					60 V	86a（tc）	10V	7mohm @ 17a 、10V	4.9V @ 150µA	50 NC @ 10 V	±20V	2120 pf @ 25 v	-	2.8W （TA ）、89W（TC）
IRF9335TRPBF	0.8200	RFQ	2	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）		IRF9335		モスフェット（金属酸化物）			8-SO	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	4,000			pチャネル					30 V	5.4a（ta）	4.5V 、10V	59mohm @ 5.4a 、10V	2.4V @ 10µA	14 NC @ 10 V	±20V	386 PF @ 25 V	-	2.5W
D3041N58TXPSA1	-	RFQ	8170	Infineon Technologies	-	バルク	廃止		シャーシマウント	DO-200AE		D3041N48		標準			-	ダウンロード		適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns																5800 v	1.7 V @ 4000 a		100 mA @ 5800 v	-40°C〜160°C	4090a	-
IRFR3709ZTRPBF	0.9000	RFQ	1	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	新しいデザインではありません	-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3		IRFR3709		モスフェット（金属酸化物）			d-pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,000			nチャネル					30 V	86a（tc）	4.5V 、10V	6.5mohm @ 15a 、10V	2.25V @ 250µA	26 NC @ 4.5 v	±20V	2330 PF @ 15 V	-	79W
IMBG120R116M2HXTMA1	5.7902	RFQ	9817	Infineon Technologies	*	テープ＆リール（ tr）	アクティブ											-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	448-IMBG120R116M2HXTMA1TR			1,000
IAUZ40N10S5L120ATMA1	0.6886	RFQ	6955	Infineon Technologies	Optimos™	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	8-powertdfn				モスフェット（金属酸化物）			PG-TSDSON-8-33	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	5,000			nチャネル					100 V	46a	4.5V 、10V	12mohm @ 20a 、10v	2.2V @ 27µA	22.6 NC @ 10 V	±20V	1589 PF @ 50 V	-	62W
IRLR8721PBF	-	RFQ	8037	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3				モスフェット（金属酸化物）			d-pak	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	75			nチャネル					30 V	65a（tc）	4.5V 、10V	8.4mohm @ 25a 、10V	2.35V @ 25µA	13 NC @ 4.5 v	±20V	1030 PF @ 15 V	-	65W
BCR08PNB6327XT	-	RFQ	4117	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました		表面マウント	6-VSSOP 、SC-88 、SOT-363		BCR08			250MW		pg-sot363-po	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	30,000																										50V	100mA						-			1 npn、1 pnp- バイアス前（デュアル）	300MV @ 500µA 、10mA	70 @ 5MA 、5V	170MHz	2.2kohms	47kohms
IRG4BC20KPBF	-	RFQ	6841	Infineon Technologies	-	チューブ	廃止	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3			標準		60 W		TO-220AB	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50				480V 、9A 、50OHM、15V																					-	600 V	16 a	32 a	2.8V @ 15V 、9a	150µj（オン）、250µJ	34 NC	28ns/150ns
IRFZ48VPBF	-	RFQ	2424	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3				モスフェット（金属酸化物）			TO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000			nチャネル					60 V	72a（tc）	10V	12mohm @ 43a 、10V	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	1985 PF @ 25 V	-	150W
BSC012N06NSATMA1	4.0200	RFQ	4419	Infineon Technologies	Optimos™	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	8-powertdfn		BSC012		モスフェット（金属酸化物）			PG-TSON-8-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	5,000			nチャネル					60 V	36a（ta ）、 306a（tc）	6V 、10V	1.2mohm @ 50a 、10V	3.3V @ 147µA	143 NC @ 10 V	±20V	11000 pf @ 30 v	-	214W
BDP948E6327HTSA1	-	RFQ	1616	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	150°C （TJ）	表面マウント	TO-261-4、TO-261AA		BDP948			5 W		PG-SOT223-4-10	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0075	1,000																										45 v	3 a						100na（icbo）			PNP	500MV @ 200MA 、2a	85 @ 500MA、1V	100MHz
IPP50N10S3L16AKSA1	-	RFQ	2811	Infineon Technologies	Optimos™	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3		IPP50N		モスフェット（金属酸化物）			PG-to220-3-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	500			nチャネル					100 V	50a（tc）	4.5V 、10V	15.7mohm @ 50a 、10V	2.4V @ 60µA	64 NC @ 10 V	±20V	4180 PF @ 25 V	-	100W （TC）
IRLB3813PBF	1.8700	RFQ	6	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3		IRLB3813		モスフェット（金属酸化物）			TO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50			nチャネル					30 V	260a（tc）	4.5V 、10V	1.95mohm @ 60a 、10V	2.35V @ 150µA	86 NC @ 4.5 v	±20V	8420 PF @ 15 V	-	230W
BSS138WH6327XTSA1	0.4200	RFQ	1384	Infineon Technologies	SIPMOS®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-70、SOT-323		BSS138		モスフェット（金属酸化物）			PG-SOT323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	3,000			nチャネル					60 V	280ma（ta）	4.5V 、10V	3.5OHM @ 200MA 、10V	1.4V @ 26µA	1.5 NC @ 10 V	±20V	43 PF @ 25 V	-	500MW
BSB881N03LX3GXUMA1	0.9600	RFQ	260	Infineon Technologies	*	バルク	アクティブ											-	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.29.0095	5,000
IRF3707STRLPBF	-	RFQ	8373	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3				モスフェット（金属酸化物）			d2pak	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	800			nチャネル					30 V	62a（tc）	4.5V 、10V	12.5mohm @ 15a 、10V	3V @ 250µA	19 NC @ 4.5 v	±20V	1990 PF @ 15 V	-	87W
IRF7750TR	-	RFQ	6590	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm）		IRF7750		モスフェット（金属酸化物）	1W		8-tssop	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	4,000	2 P-Channel （デュアル）							20V	4.7a		30mohm @ 4.7a 、4.5v	1.2V @ 250µA	39NC @ 5V		1700pf @ 15V	ロジックレベルゲート
Igot60R070D1AUMA1	-	RFQ	6771	Infineon Technologies	Coolgan™	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	20 パウアーティック（0.433 "、11.00mm 幅）		Igot60		ガンフェット（窒化ガリウム）			PG-DSO-20-87	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	800			nチャネル					600 V	31a（tc）	-	-	1.6V @ 2.6MA		-10V	380 pf @ 400 v	-	125W
IDWD15G120C5XKSA1	10.8400	RFQ	240	Infineon Technologies	coolsic™+	チューブ	アクティブ		穴を通して	TO-247-2		IDWD15		sic （炭化シリコン）ショットキー			PG-to247-2	ダウンロード	ROHS3準拠	適用できない	影響を受けていない	SP001687164	ear99	8541.10.0080	30		回復時間なし> 500ma																1200 v	1.65 V @ 15 a	0 ns	124 µA @ 1200 v	-55°C〜175°C	49a	1050pf @ 1V、1MHz
IKCM20L60GDXKMA1	20.2800	RFQ	486	Infineon Technologies	cipos™	チューブ	アクティブ		穴を通して	24-POWERDIP モジュール（1.028 "、26.10mm）	IGBT	IKCM20						ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8542.39.0001	14	3フェーズ				20 a	600 V	2000VRMS
IRF9910TRPBF-1	-	RFQ	8641	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）		IRF99		モスフェット（金属酸化物）	2W （TA）		8-SOIC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	4,000	2 nチャンネル（デュアル）							20V	10a（ta ）、12a（ta）		13.4mohm @ 10a 、10v、9.3mohm @ 12a 、10v	2.55V @ 250µA	11NC @ 4.5V 、23NC @ 4.5V		900pf @ 10V 、1860pf @ 10V	-
BUZ31 H3045A	1.2600	RFQ	1	Infineon Technologies	SIPMOS®	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-263-3		buz31		モスフェット（金属酸化物）			PG-to263-3	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000			nチャネル					200 v	14.5a	10V	200mohm @ 9a 、10V	4V @ 1MA		±20V	1120 PF @ 25 V	-	95W
IPD12CN10NGATMA1	2.5000	RFQ	4	Infineon Technologies	Optimos™	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3		IPD12CN10		モスフェット（金属酸化物）			PG-to252-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,500			nチャネル					100 V	67a（tc）	10V	12.4mohm @ 67a 、10V	4V @ 83µA	65 NC @ 10 V	±20V	4320 PF @ 50 V	-	125W
IPWS65R022CFD7AXKSA1	19.3402	RFQ	5159	Infineon Technologies	coolmos™	チューブ	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	穴を通して	TO-247-3		IPWS65R		モスフェット（金属酸化物）			PG-to247-3-31	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	240			nチャネル					650 V	96a（tc）	10V	22mohm @ 58.2a 、10V	4.5V @ 2.91MA	234 NC @ 10 V	±30V	11659 PF @ 400 v	-	446W
IRG7U50HF12A	-	RFQ	3670	Infineon Technologies	-	箱	廃止	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	Powir®34モジュール		IRG7U			310 w	標準	POWIR®34	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	20	ハーフブリッジ																								-	1200 v	100 a		2V @ 15V、50a				1 Ma	いいえ	6 NF @ 25 V
IPD60R360P7SE8228AUMA1	1.1600	RFQ	2	Infineon Technologies	coolmos™p7	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	表面マウント	to-252-3		IPD60R		モスフェット（金属酸化物）			PG-to252-3	-	ROHS3準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,500			nチャネル					600 V	9a（tc）	10V	360mohm @ 2.7a 、10V	4V @ 140µA	13 NC @ 10 V	±20V	555 PF @ 400 V	-	41W
IRLR8743TRLPBF	-	RFQ	2419	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	廃止	-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3				モスフェット（金属酸化物）			d-pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	SP001568702	ear99	8541.29.0095	3,000			nチャネル					30 V	160a（tc）	4.5V 、10V	3.1mohm @ 25a 、10V	2.35V @ 100µA	59 NC @ 4.5 v	±20V	4880 PF @ 15 V	-	135W

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²