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離散半導体製品（16626）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	電圧 -定格	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	入力タイプ	頻度	テクノロジー	パワー -マックス	構造	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	フェットタイプ	現在の評価（ amp）	現在-hold（ihmax）	テスト条件	電力 -出力	得	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	電圧 -状態外	現在 -state（it （rms	電圧 -ゲートトリガー（ vgt ）（最大）	現在 -非担当者サージ50、60Hz	現在 -ゲートトリガー（ Igt ）（最大）	現在 -State	ノイズ図	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	scr の数、ダイオード	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	vce（on max） @ vge	エネルギーの切り替え	ゲートチャージ	TD （オン/オフ） @ 25°C	電圧 -テスト	現在 -コレクターカットオフ（最大）	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移	抵抗 -ベース（r1）	抵抗 -エミッターベース（r2）
IPG20N06S2L35ATMA1	1.3200	RFQ	6008	Infineon Technologies	Automotive 、AEC-Q101、Optimos™	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜175°C	表面マウント	8-POWERVDFN	IPG20N			モスフェット（金属酸化物）	65W		PG-TDSON-8-4	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	5,000	2 nチャンネル（デュアル）								55V	20a		35mohm @ 15a 、10V	2V @ 27µA	23NC @ 10V		790pf @ 25V	ロジックレベルゲート
BCR196TE6327	0.0200	RFQ	7689	Infineon Technologies	aec-q101	バルク	アクティブ			表面マウント	TO-236-3	BCR196				200 MW		PG-SOT23-3-3	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	3,000																																			50 v	70 Ma						100na（icbo）	pnp-前バイアス	300MV @ 500µA 、10mA	50 @ 5MA 、5V	150 MHz	47 Kohms	22 Kohms
IRF2807L	-	RFQ	6834	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止		-55°C〜175°C	穴を通して	To-262-3 Long Leads				モスフェット（金属酸化物）			TO-262	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	*IRF2807L	ear99	8541.29.0095	50			nチャネル						75 v	82a（tc）	10V	13mohm @ 43a 、10V	4V @ 250µA	160 NC @ 10 V	±20V	3820 PF @ 25 V	-	230W
IRFR3504ZTRR	-	RFQ	4784	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	廃止		-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3				モスフェット（金属酸化物）			d-pak	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	3,000			nチャネル						40 v	42a	10V	9mohm @ 42a 、10V	4V @ 50µA	45 NC @ 10 V	±20V	1510 pf @ 25 v	-	90W
IPW65R190CFDFKSA1	-	RFQ	3122	Infineon Technologies	coolmos™	チューブ	sicで中止されました		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-247-3	IPW65R190			モスフェット（金属酸化物）			PG-to247-3-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	30			nチャネル						650 V	17.5a	10V	190mohm @ 7.3a 、10V	4.5V @ 730µA	68 NC @ 10 V	±20V	1850 PF @ 100 V	-	151W
IMBG120R008M2HXTMA1	51.9023	RFQ	6493	Infineon Technologies	*	テープ＆リール（ tr）	アクティブ												-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	448-IMBG120R008M2HXTMA1TR			1,000
IPI60R099CPXKSA1	9.4000	RFQ	6118	Infineon Technologies	coolmos™	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	To-262-3 Long Leads	IPI60R099			モスフェット（金属酸化物）			PG-to262-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	500			nチャネル						600 V	31a（tc）	10V	99mohm @ 18a 、10v	3.5V @ 1.2MA	80 NC @ 10 V	±20V	2800 PF @ 100 V	-	255W
IRF7413ZTR	-	RFQ	4632	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	廃止		-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）				モスフェット（金属酸化物）			8-SO	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	SP001551338	ear99	8541.29.0095	4,000			nチャネル						30 V	13a（ta）	4.5V 、10V	10mohm @ 13a 、10V	2.25V @ 250µA	14 NC @ 4.5 v	±20V	1210 PF @ 15 V	-	2.5W
D1481N65TVFXPSA1	969.6225	RFQ	9103	Infineon Technologies	-	トレイ	アクティブ			シャーシマウント	DO-200AC 、K-PUK	D1481N65			標準			BG-D7626K-1	ダウンロード	ROHS3準拠	適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	4		標準回復> 500ns																								6800 v	1.8 V @ 2500 a		50 mA @ 6800 v	160°C （最大）	2200a	-
BCW68FE6327HTSA1	0.0662	RFQ	1208	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	前回購入します		150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3	BCW68				330 MW		PG-SOT23	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	3,000																																			45 v	800 Ma						20na（icbo）	PNP	700mv @ 50ma 、500ma	100 @ 100MA、1V	200MHz
IPD06P007NATMA1	-	RFQ	1877	Infineon Technologies	Optimos™	テープ＆リール（ tr）	廃止		-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3	IPD06P			モスフェット（金属酸化物）			PG-to252-3	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	SP001661938	ear99	8541.29.0095	2,500			pチャネル						60 V	4.3a（tc）	10V	400mohm @ 4.3a 、10V	4V @ 166µA	6.7 NC @ 10 V	±20V	260 PF @ 30 V	-	19W （TC）
IRFS3507TRLPBF	-	RFQ	1302	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	廃止		-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3				モスフェット（金属酸化物）			d2pak	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	800			nチャネル						75 v	97a（tc）	10V	8.8mohm @ 58a 、10V	4V @ 100µA	130 NC @ 10 V	±20V	3540 PF @ 50 V	-	190W
BC857BE6327HTSA1	0.3600	RFQ	34	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	前回購入します		150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3	BC857				330 MW		PG-SOT23	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	3,000																																			45 v	100 Ma						15NA	PNP	650mv @ 5ma 、100ma	220 @ 2MA 、5V	250MHz
BF1005SE6327HTSA1	-	RFQ	5312	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	8 v		表面マウント	to-253-4、to-253aa	BF1005		800MHz	モスフェット			PG-SOT-143-3D	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	3,000	nチャネル			25ma			-	22dB																	1.6dB																5 v
IRLR7833	2.2300	RFQ	13	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止		-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3				モスフェット（金属酸化物）			d-pak	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	75			nチャネル						30 V	140a（tc）	4.5V 、10V	4.5mohm @ 15a 、10V	2.3V @ 250µA	50 NC @ 4.5 v	±20V	4010 PF @ 15 V	-	140W
IRLML2402TRPBF	0.4800	RFQ	173	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	新しいデザインではありません		-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	IRLML2402			モスフェット（金属酸化物）			Micro3™/SOT-23	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	3,000			nチャネル						20 v	1.2a（ta）	2.7V 、4.5V	250mohm @ 930ma 、4.5V	700MV @ 250µA （最小）	3.9 NC @ 4.5 v	±12V	110 PF @ 15 V	-	540MW
IRF7842TR	-	RFQ	8215	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	廃止		-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）				モスフェット（金属酸化物）			8-SO	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	4,000			nチャネル						40 v	18a（ta）	4.5V 、10V	5mohm @ 17a 、10V	2.25V @ 250µA	50 NC @ 4.5 v	±20V	4500 PF @ 20 V	-	2.5W
SPP20N60C3HKSA1	-	RFQ	9080	Infineon Technologies	coolmos™	バルク	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3	spp20n			モスフェット（金属酸化物）			PG-to220-3-1	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	500			nチャネル						600 V	20.7a（tc）	10V	190mohm @ 13.1a 、10V	3.9V @ 1MA	114 NC @ 10 V	±20V	2400 PF @ 25 V	-	208W
IRF7324D1TRPBF	-	RFQ	6798	Infineon Technologies	fetky™	テープ＆リール（ tr）	廃止		-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）				モスフェット（金属酸化物）			8-SO	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	4,000			pチャネル						20 v	2.2a（ta）	2.7V 、4.5V	270mohm @ 1.2a 、4.5V	700MV @ 250µA （最小）	7.8 NC @ 4.5 v	±12V	260 PF @ 15 V	ショットキーダイオード（分離）	2W （TA）
T3710N04TOFVTXPSA1	670.9700	RFQ	7466	Infineon Technologies	-	トレイ	アクティブ		-40°C〜140°C	シャーシマウント	do-200ad	T3710N04					シングル		ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.30.0080	2					300 Ma														600 V	7000 a	1.5 v	70000A @ 50Hz	250 Ma	3710 a									1 SCR
IQE046N08LM5ATMA1	2.8700	RFQ	4	Infineon Technologies	Optimos™5	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜175°C	表面マウント	8-powertdfn	IQE046			モスフェット（金属酸化物）			PG-TSON-8-5	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	5,000			nチャネル						80 v	15.6a	4.5V 、10V	4.6mohm @ 20a 、10V	2.3V @ 47µA	38 NC @ 10 V	±20V	3250 PF @ 40 V	-	2.5W （TA ）、100W（TC）
IRG6S320UPBF	-	RFQ	7420	Infineon Technologies	-	チューブ	廃止		-40°C〜150°C （TJ	表面マウント	TO-263-3	IRG6S320	標準			114 w		d2pak	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	SP001533800	ear99	8541.29.0095	50						196v																												溝	330 v	50 a	1.65V @ 15V 、24A	-	46 NC	24ns/89ns
FS28MR12W1M1HB11HPSA1	138.1300	RFQ	8168	Infineon Technologies	-	トレイ	アクティブ					FS28MR12							-	ROHS3準拠			448-FS28MR12W1M1HB11HPSA1	ear99	8542.39.0001	24
T4771N28TOFXPSA1	5.0000	RFQ	9493	Infineon Technologies	-	トレイ	アクティブ		-40°C〜125°C	シャーシマウント	TO-200AF	T4771N28					シングル		ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.30.0080	1					350 Ma														2.9 kv	6820 a	2.5 v	100000A @ 50Hz	350 Ma	6110 a									1 SCR
IPD640N06LGBTMA1	-	RFQ	4210	Infineon Technologies	Optimos™	テープ＆リール（ tr）	廃止		-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3	IPD640			モスフェット（金属酸化物）			PG-to252-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,500			nチャネル						60 V	18a（tc）	4.5V 、10V	64mohm @ 18a 、10v	2V @ 16µA	13 NC @ 10 V	±20V	470 PF @ 30 V	-	47W （TC）
FS45MR12W1M1PB11BPSA1	-	RFQ	8589	Infineon Technologies	*	トレイ	sicで中止されました												-		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	30
HFA15TB60PBF	-	RFQ	9436	Infineon Technologies	hexfred®	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-2	HFA15			標準			TO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns																								600 V	1.7 V @ 15 a	60 ns	10 µA @ 600 V	-55°C〜150°C	15a	-
IPA70R900P7SXKSA1	1.1000	RFQ	989	Infineon Technologies	coolmos™p7	チューブ	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ	穴を通して	TO-220-3フルパック	IPA70R900			モスフェット（金属酸化物）			PG〜220-FP	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50			nチャネル						700 V	6a（tc）	10V	900mohm @ 1.1a 、10V	3.5V @ 60µA	6.8 NC @ 400 v	±16V	211 PF @ 400 v	-	20.5W
SIDC06D120F6X1SA2	-	RFQ	2530	Infineon Technologies	-	バルク	sicで中止されました			表面マウント	死ぬ	SIDC06D120			標準			ホイル上の鋸	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns																								1200 v	2.1 V @ 5 a		27 µA @ 1200 v	-55°C〜150°C	5a	-
BSZ0911LSATMA1	0.6400	RFQ	30	Infineon Technologies	Optimos™5	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	8-powertdfn	BSZ0911			モスフェット（金属酸化物）			PG-TDSON-8 FL	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	5,000			nチャネル						30 V	12a（タタ）、40a（tc）	4.5V 、10V	7mohm @ 20a 、10v	2V @ 250µA	10 NC @ 10 V	±20V	670 PF @ 15 V	-	-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²