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離散半導体製品（16626）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	電圧 -定格	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	頻度	テクノロジー	パワー -マックス	構造	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	フェットタイプ	現在の評価（ amp）	現在-hold（ihmax）	現在 -テスト	電力 -出力	得	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	電圧 -状態外	現在 -state（it （rms	電圧 -ゲートトリガー（ vgt ）（最大）	現在 -非担当者サージ50、60Hz	現在 -ゲートトリガー（ Igt ）（最大）	現在 -State	ノイズ図	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	scr の数、ダイオード	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	vce（on max） @ vge	電圧 -テスト	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	入力容量（ cies @ vce
IPL60R210P6AUMA1	3.4400	RFQ	3	Infineon Technologies	CoolMos™P6	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ	表面マウント	4-PowertSfn	IPL60R210		モスフェット（金属酸化物）				PG-VSON-4	ダウンロード	ROHS3準拠	2a （4 週間）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	3,000			nチャネル						600 V	19.2a（tc）	10V	210mohm @ 7.6a 、10V	4.5V @ 630µA	37 NC @ 10 V	±20V	1750 PF @ 100 V	-	151W
IPB70P04P409ATMA1	-	RFQ	9184	Infineon Technologies	Automotive 、AEC-Q101、Optimos™	テープ＆リール（ tr）	廃止		-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3	IPB70P04		モスフェット（金属酸化物）				PG-to263-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000			nチャネル						40 v	72a（tc）	10V	9.1mohm @ 70a 、10V	4V @ 120µA	70 NC @ 10 V	±20V	4810 PF @ 25 V	-	75W
auirfs3006	-	RFQ	3576	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止		-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3			モスフェット（金属酸化物）				d2pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	SP001521196	ear99	8541.29.0095	50			nチャネル						60 V	195a（tc）	10V	2.5mohm @ 170a 、10V	4V @ 250µA	300 NC @ 10 V	±20V	8970 PF @ 50 V	-	375W
IRF1503STRLPBF	-	RFQ	6772	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	廃止		-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3	IRF1503		モスフェット（金属酸化物）				d2pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	SP001550938	ear99	8541.29.0095	800			nチャネル						30 V	75a（tc）	10V	3.3mohm @ 140a 、10V	4V @ 250µA	200 NC @ 10 V	±20V	5730 PF @ 25 V	-	200W （TC）
PTFA261301F V1	-	RFQ	6289	Infineon Technologies	Goldmos®	トレイ	廃止	65 v		表面マウント	2 フラットパック、フィンのリード、フランジ		2.68GHz	ldmos				H-31260-2	ダウンロード		3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1				10µA		1.4 a	130W	13.5dB																	-															28 v
IPS65R1K5CEAKMA1	-	RFQ	3880	Infineon Technologies	coolmos™ce	チューブ	廃止		-40°C〜150°C （TJ	穴を通して	TO-251-3 スタブリード、IPAK	IPS65R		モスフェット（金属酸化物）				TO-251	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,500			nチャネル						650 V	3.1a（tc）	10V	1.5OHM @ 1A 、10V	3.5V @ 100µA	10.5 NC @ 10 V	±20V	225 PF @ 100 V	-	28W （TC）
ETT540N22P60HPSA1	312.3400	RFQ	2	Infineon Technologies	-	トレイ	アクティブ		-40°C〜135°C	シャーシマウント	モジュール	ETT540				シリーズ接続 -すべてのscr			ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.30.0080	2					300 Ma														2.2 kv	700 a	2.2 v	16300A @ 50Hz	250 Ma	542 a											2 SCRS
DD800S33K2CNOSA1	-	RFQ	5695	Infineon Technologies	-	バルク	廃止			シャーシマウント	モジュール			標準				A-IHV130-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2		標準回復> 500ns																								2独立	3300 v	-	3.5 V @ 800 a		1100 A @ 1800 V	-40°C〜125°C
IRL3714SPBF	-	RFQ	9418	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止		-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3			モスフェット（金属酸化物）				d2pak	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	*IRL3714SPBF	ear99	8541.29.0095	50			nチャネル						20 v	36a（tc）	4.5V 、10V	20mohm @ 18a 、10V	3V @ 250µA	9.7 NC @ 4.5 v	±20V	670 PF @ 10 V	-	47W （TC）
FZ1800R12HP4B9HOSA2	1.0000	RFQ	4603	Infineon Technologies	IHM-B	トレイ	アクティブ		-40°C〜150°C	シャーシマウント	モジュール	FZ1800			10500 w		標準	モジュール	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	シングルスイッチ																																			溝	1200 v	2700 a	2.05V @ 15V、1800A		5 Ma	いいえ	110 nf @ 25 v
SPD30N03S2L-07	-	RFQ	3057	Infineon Technologies	Optimos™	テープ＆リール（ tr）	廃止		-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3	SPD30N		モスフェット（金属酸化物）				PG-to252-3-11	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,500			nチャネル						30 V	30a（tc）	4.5V 、10V	6.7mohm @ 30a 、10V	2V @ 85µA	68 NC @ 10 V	±20V	2530 PF @ 25 V	-	136W
auirf2805	-	RFQ	1797	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止		-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3			モスフェット（金属酸化物）				TO-220AB	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000			nチャネル						55 v	75a（tc）	10V	4.7mohm @ 104a 、10v	4V @ 250µA	230 NC @ 10 V	±20V	5110 PF @ 25 V	-	330W
bsc884n03msg	0.3500	RFQ	14	Infineon Technologies	Optimos™	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	8-powertdfn			モスフェット（金属酸化物）				PG-TDSON-8-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	5,000			nチャネル						34 v	17a	4.5V 、10V	4.5mohm @ 30a 、10V	2V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±20V	2700 PF @ 15 V	-	2.5W （TA ）、50W（TC）
IPD50R520CPBTMA1	-	RFQ	8332	Infineon Technologies	coolmos™cp	テープ＆リール（ tr）	廃止		-55°C〜150°C	表面マウント	to-252-3	IPD50R		モスフェット（金属酸化物）				PG-to252-3-313	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	SP000307380	ear99	8541.29.0095	2,500			nチャネル						500 V	7.1a（tc）	10V	520mohm @ 3.8a 、10V	3.5V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	680 PF @ 100 V	-	66W
IRF7341QTRPBF	-	RFQ	8867	Infineon Technologies	-	カットテープ（CT）	廃止			表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）	IRF734		モスフェット（金属酸化物）	2.4W			8-SO	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	4,000	2 nチャンネル（デュアル）								55V	5.1a		50mohm @ 5.1a 、10V	1V @ 250µA	44NC @ 10V		780pf @ 25V	ロジックレベルゲート
BUZ73AE3046XK	-	RFQ	9304	Infineon Technologies	SIPMOS®	チューブ	sicで中止されました		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3	buz73		モスフェット（金属酸化物）				PGから220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	500			nチャネル						200 v	5.5a（tc）	10V	600mohm @ 4.5a 、10V	4V @ 1MA		±20V	530 PF @ 25 V	-	40W （TC）
TZ800N14KOFHPSA3	560.8900	RFQ	1070	Infineon Technologies	-	トレイ	アクティブ		-40°C〜125°C	シャーシマウント	モジュール	TZ800N14				シングル			ダウンロード	ROHS3準拠	適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.30.0080	1					500 Ma														1.4 kV	1500 a	2 v	35000A @ 50Hz	250 Ma	819 a											1 SCR
D4810N22TVFXPSA1	868.1100	RFQ	2	Infineon Technologies	-	トレイ	アクティブ			シャーシマウント	DO-200AE	D4810N22		標準				-	ダウンロード	ROHS3準拠	適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2		標準回復> 500ns																									2200 v		1.078 V @ 4000 a		200 mA @ 2200 v	-40°C〜150°C	4810a	-
IPP80N04S204AKSA1	-	RFQ	7124	Infineon Technologies	Optimos™	チューブ	廃止		-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3	IPP80N		モスフェット（金属酸化物）				PG-to220-3-1	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	500			nチャネル						40 v	80a（tc）	10V	3.7mohm @ 80a 、10V	4V @ 250µA	170 NC @ 10 V	±20V	5300 PF @ 25 V	-	300W （TC）
IPP06N03LA	-	RFQ	8836	Infineon Technologies	Optimos™	チューブ	廃止		-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3	IPP06N		モスフェット（金属酸化物）				PGから220-3	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	500			nチャネル						25 v	50a（tc）	4.5V 、10V	6.2mohm @ 30a 、10V	2V @ 40µA	22 NC @ 5 V	±20V	2653 PF @ 15 V	-	83W
T420N12TOFXPSA1	-	RFQ	6071	Infineon Technologies	-	トレイ	廃止		-40°C〜125°C	クランプオン	do-200aa、a-puk	T420N				シングル			ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.30.0080	1					300 Ma														1.8 kv	750 a	2 v	7200A @ 50Hz	200 ma	424 a											1 SCR
IRFS3507	-	RFQ	7504	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止		-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3			モスフェット（金属酸化物）				d2pak	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	*IRFS3507	ear99	8541.29.0095	50			nチャネル						75 v	97a（tc）	10V	8.8mohm @ 58a 、10V	4V @ 100µA	130 NC @ 10 V	±20V	3540 PF @ 50 V	-	190W
auirf2804l	10.6800	RFQ	9003	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	アクティブ		-55°C〜175°C	穴を通して	To-262-3 Long Leads	auirf2804		モスフェット（金属酸化物）				TO-262	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000			nチャネル						40 v	195a（tc）	10V	2mohm @ 75a 、10V	4V @ 250µA	240 NC @ 10 V	±20V	6450 PF @ 25 V	-	300W （TC）
IPI90R1K0C3	0.9800	RFQ	11	Infineon Technologies	coolmos™	バルク	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	To-262-3 Long Leads			モスフェット（金属酸化物）				PG-to262-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1			nチャネル						900 V	5.7a（tc）	10V	1OHM @ 3.3A 、10V	3.5V @ 370µA		±20V	850 PF @ 100 V	-	89W
IDC08S60CEX1SA2	-	RFQ	4755	Infineon Technologies	coolsic™+	バルク	廃止			表面マウント	死ぬ	IDC08S60		sic （炭化シリコン）ショットキー				死ぬ	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	SP00059932	ear99	8541.10.0080	1		回復時間なし> 500ma																									600 V		1.7 V @ 8 a	0 ns	100 µA @ 600 V	-55°C〜175°C	8a	310pf @ 1V、1MHz
IRFS4010TRLPBF	3.8000	RFQ	52	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3	IRFS4010		モスフェット（金属酸化物）				d2pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	800			nチャネル						100 V	180a（tc）	10V	4.7mohm @ 106a 、10v	4V @ 250µA	215 NC @ 10 V	±20V	9575 PF @ 50 V	-	375W
IPD65R650CEAUMA1	1.1000	RFQ	2	Infineon Technologies	coolmos™ce	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ	表面マウント	to-252-3	IPD65R650		モスフェット（金属酸化物）				PG-to252-3	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,500			nチャネル						650 V	7a（tc）	10V	650mohm @ 2.1a 、10V	3.5V @ 210µA	23 NC @ 10 V	±20V	440 PF @ 100 V	-	86W
BSS131E6327	-	RFQ	8427	Infineon Technologies	SIPMOS®	テープ＆リール（ tr）	廃止		-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3			モスフェット（金属酸化物）				PG-SOT23	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	3,000			nチャネル						240 v	110ma（ta）	4.5V 、10V	14OHM @ 100MA 、10V	1.8V @ 56µA	3.1 NC @ 10 V	±20V	77 PF @ 25 V	-	360MW
IRF6648TR1	-	RFQ	9492	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	廃止		-40°C〜150°C （TJ	表面マウント	directfet™mn			モスフェット（金属酸化物）				directfet™mn	ダウンロード	ROHS非準拠	2（1 年）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000			nチャネル						60 V	86a（tc）	10V	7mohm @ 17a 、10V	4.9V @ 150µA	50 NC @ 10 V	±20V	2120 pf @ 25 v	-	2.8W （TA ）、89W（TC）
IPA60R600C6XKSA1	1.1203	RFQ	6754	Infineon Technologies	coolmos™	チューブ	新しいデザインではありません		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3フルパック	IPA60R600		モスフェット（金属酸化物）				PG〜220-FP	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	500			nチャネル						600 V	7.3a（tc）	10V	600mohm @ 2.4a 、10V	3.5V @ 200µA	20.5 NC @ 10 V	±20V	440 PF @ 100 V	-	28W （TC）

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²