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離散半導体製品（16626）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	電圧 -定格	動作温度	アプリケーション	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	入力タイプ	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	フェットタイプ	現在の評価（ amp）	現在 -マックス	テスト条件	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	容量 @ vr、f	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターパルス（ icm）	vce（on max） @ vge	エネルギーの切り替え	ゲートチャージ	TD （オン/オフ） @ 25°C	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	入力容量（ cies @ vce	@ @ if、f	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移	静電容量比	静電容量比条件	Q @ vr、f
IPA65R660CFDXKSA2	1.3395	RFQ	7438	Infineon Technologies	coolmos™cfd2	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C		穴を通して	TO-220-3フルパック	IPA65R660		モスフェット（金属酸化物）			PG-to220フルパック	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	500		nチャネル				700 V	6a（tc）	10V	660mohm @ 2.1a 、10V	4.5V @ 200µA	22 NC @ 10 V	±20V	615 PF @ 100 V	-	27.8W
IPA083N10NM5SXKSA1	1.9300	RFQ	500	Infineon Technologies	Optimos™5	チューブ	アクティブ		-55°C〜175°C		穴を通して	TO-220-3フルパック	IPA083		モスフェット（金属酸化物）			PG-to220フルパック	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	500		nチャネル				100 V	50a（tc）	6V 、10V	8.3mohm @ 25a 、10V	3.8V @ 49µA	40 NC @ 10 V	±20V	2700 PF @ 50 V	-	36W （TC）
F3L200R07W2S5FB11BOMA1	98.4400	RFQ	1128	Infineon Technologies	Easypack™、TrenchStop™	トレイ	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ		シャーシマウント	モジュール	F3L200			20 MW	標準	ag-easy2b	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	15	3つのレベルインバーター																トレンチフィールドストップ	650 V	95 a		1.38V @ 15V 、100A						1 Ma	はい	14.3 nf @ 25 v
FS35R12W1T7B11BOMA1	52.4300	RFQ	12	Infineon Technologies	Easypack™、TrenchStop™	トレイ	アクティブ		-40°C〜175°C		シャーシマウント	モジュール	FS35R12			20 MW	標準	ag-easy1b	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	2156-FS35R12W1T7B11BOMA1-448	ear99	8541.29.0095	24	三相インバーター																トレンチフィールドストップ	1200 v	35 a		1.6V @ 15V、35a						7.3 µA	はい	6.62 NF @ 25 V
FP10R12W1T7B3BOMA1	43.5000	RFQ	5105	Infineon Technologies	Easypim™	トレイ	アクティブ		-40°C〜175°C		シャーシマウント	モジュール	FP10R12			20 MW	三相ブリッジ整流器	ag-easy1b-2	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	24	三相インバーター																トレンチフィールドストップ	1200 v	10 a		1.6V @ 15V						4.5 µA	はい	1.89 NF @ 25 V
FR900R12IP4DBPSA1	1.0000	RFQ	2	Infineon Technologies	Econopack™2	トレイ	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ		シャーシマウント	モジュール	FR900R12			20 MW	標準	AG-PRIME3-1	ダウンロード	ROHS3準拠	適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2	デュアルブレーキチョッパー																トレンチフィールドストップ	1200 v	900 a		2.05V @ 15V 、900A						5 Ma	はい	54 nf @ 25 v
BSS79C	-	RFQ	9419	Infineon Technologies	-	バルク	廃止		-55°C〜150°C		表面マウント	TO-236-3				350 MW		SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.21.0075	3,000																		40 v	800 Ma								10na （icbo）				npn	1V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	250MHz
IPAN60R125PFD7SXKSA1	2.8800	RFQ	2	Infineon Technologies	coolmos™pfd7	チューブ	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ		穴を通して	TO-220-3フルパック	IPAN60		モスフェット（金属酸化物）			PG〜220-FP	ダウンロード	ROHS3準拠	適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50		nチャネル				650 V	25a（tc）	10V	125mohm @ 7.8a 、10V	4.5V @ 390µA	36 NC @ 10 V	±20V	1503 PF @ 400 V	-	32W
IPI80N04S3-04	-	RFQ	8281	Infineon Technologies	*	バルク	廃止												ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	370
FS450R12KE4BDSA1	734.6700	RFQ	1	Infineon Technologies	econopack™	バルク	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ		シャーシマウント	モジュール				2250 w	標準	Ag-econopp-1-1	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.29.0095	1	フルブリッジ																トレンチフィールドストップ	1200 v	675 a		2.1V @ 15V 、450A						3 Ma	はい	28 nf @ 25 v
bar63-03we6433	0.0300	RFQ	2588	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ		150°C （TJ）			SC-76、SOD-323						PG-SOD323-3D	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	7,000				100 Ma											250 MW	0.3pf @ 5V、1MHz									ピン -シングル	50V				1OHM @ 10MA 、100MHz
BAR6304WH6327	0.0600	RFQ	5	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ		150°C （TJ）			SC-70、SOT-323						PG-SOT323-3	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.10.0070	5,482				100 Ma											250 MW	0.3pf @ 5V、1MHz									ピン-1ペアシリーズ接続	50V				-
BA892-02VE6327	-	RFQ	1487	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ		150°C （TJ）			SC-79、SOD-523						PG-SC79-2	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.10.0070	3,000				100 Ma												1.1pf @ 3V、1MHz									標準 -シングル	35V				500mohm @ 10ma 、100MHz
BC847CWH6327	1.0000	RFQ	8620	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ		150°C （TJ）		表面マウント	SC-70、SOT-323				250 MW		PG-SOT323-3-1	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.21.0075	3,000																		45 v	100 Ma								15NA				npn	600MV @ 5MA 、100mA	420 @ 2MA 、5V	250MHz
auirg35b60pd-e	1.0000	RFQ	4608	Infineon Technologies	*	バルク	アクティブ						auirg35						-	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー				1
BC847CWH6778	0.0400	RFQ	93	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ		150°C （TJ）		表面マウント	SC-70、SOT-323				250 MW		PG-SOT323-3-1	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.21.0075	7,378																		45 v	100 Ma								15NA				npn	600MV @ 5MA 、100mA	420 @ 2MA 、5V	250MHz
BC848AE6327	0.0300	RFQ	78	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ		150°C （TJ）		表面マウント	TO-236-3				330 MW		PG-SOT23	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	9,427																		30 V	100 Ma								15NA				npn	600MV @ 5MA 、100mA	110 @ 2MA 、5V	250MHz
BAR65-02VH6327	-	RFQ	4071	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ		150°C （TJ）			SC-79、SOD-523						PG-SC79-2-1	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	4,000				100 Ma											250 MW	0.8pf @ 3V、1MHz									ピン -シングル	30V				900mohm @ 10ma 、100MHz
SGB15N60	1.1300	RFQ	2	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C		表面マウント	TO-263-3	SGB15N	標準		139 w		PG-to263-3-2	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1					400V、15A 、21OHM 、15V												npt	600 V	31 a	62 a	2.4V @ 15V 、15a	570µj	76 NC	32ns/234ns
BB831E7904	-	RFQ	9031	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ		-55°C〜125°C（TJ）		表面マウント	SC-76、SOD-323						PG-SOD323-3D	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	3,000																1.2pf @ 28V、1MHz									シングル	30 V									9.5	C1/C28	-
BBY57-02VH6327	1.0000	RFQ	6401	Infineon Technologies	aec-q101	バルク	アクティブ		-55°C〜125°C		表面マウント	SC-79、SOD-523						PG-SC79-2-1	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	3,000																5.5pf @ 4V、1MHz									シングル	10 v									3.7	C1/C4	-
IPP50CN10NGHKSA1	-	RFQ	3009	Infineon Technologies	coolmos™	バルク	アクティブ		-55°C〜175°C		穴を通して	TO-220-3			モスフェット（金属酸化物）			PGから220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル				100 V	20a（tc）	10V	50mohm @ 20a 、10V	4V @ 20µA	16 NC @ 10 V	±20V	1090 PF @ 50 V	-	44W
BCV61CE6327	-	RFQ	8327	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ	30V		現在のミラー	表面マウント	to-253-4、to-253aa	BCV61					PG-SOT143-4	-	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	3,000			100mA																												2 NPN 、ベースコレクタージャンクション
BCV61BE6327	1.0000	RFQ	2172	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ	30V		現在のミラー	表面マウント	to-253-4、to-253aa	BCV61					PG-SOT-143-3D	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	3,000			100mA																												2 NPN 、ベースコレクタージャンクション
BB69C-02V	-	RFQ	6953	Infineon Technologies	*	バルク	アクティブ												ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.10.0070	1
BBY5802LE6327	0.0900	RFQ	11	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C		表面マウント	SOD-882						PG-TSLP-2-1	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	15,000																5.5pf @ 6V、1MHz									シングル	10 v									1.3	C4/C6	-
BB659H7902	0.0300	RFQ	12	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C		表面マウント	SC-80						PG-SCD80-2	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.10.0070	12,000																2.9pf @ 28V、1MHz									シングル	30 V									14.7	C1/C28	-
BB659C02VH7902XTSA1	-	RFQ	3432	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C		表面マウント	SC-79、SOD-523						PG-SC79-2	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	1																2.75pf @ 28V、1MHz									シングル	30 V									15.3	C1/C28	-
IP111N15N3G	-	RFQ	5769	Infineon Technologies	*	バルク	アクティブ												-	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.30.0080	1
SPI12N50C3IN	1.1300	RFQ	480	Infineon Technologies	coolmos™	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C		穴を通して	To-262-3 Long Leads			モスフェット（金属酸化物）			PG-to262-3-1	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル				500 V	11.6a（tc）	10V	380mohm @ 7a、10V	3.9V @ 500µA	49 NC @ 10 V	±20V	1200 PF @ 25 V	-	125W

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²