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離散半導体製品（16626）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	電圧 -定格	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	入力タイプ	頻度	テクノロジー	パワー -マックス	構造	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	フェットタイプ	現在の評価（ amp）	現在-hold（ihmax）	テスト条件	現在 -テスト	電力 -出力	得	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	電圧 -状態外	現在 -state（it （rms	電圧 -ゲートトリガー（ vgt ）（最大）	現在 -非担当者サージ50、60Hz	現在 -ゲートトリガー（ Igt ）（最大）	現在 -State	ノイズ図	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	scr の数、ダイオード	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターパルス（ icm）	vce（on max） @ vge	エネルギーの切り替え	ゲートチャージ	TD （オン/オフ） @ 25°C	電圧 -テスト	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	静電容量比	静電容量比条件	Q @ vr、f
IPD65R1K4C6ATMA1	1.3000	RFQ	2	Infineon Technologies	coolmos™c6	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	to-252-3	IPD65R1			モスフェット（金属酸化物）				PG-to252-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,500			nチャネル							650 V	3.2a	10V	1.4OHM @ 1A 、10V	3.5V @ 100µA	10.5 NC @ 10 V	±20V	225 PF @ 100 V	-	28W （TC）
IDB30E120ATMA1	2.4300	RFQ	1	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	IDB30E120			標準				PG-to263-3-2	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns																										1200 v		2.15 V @ 30 a	243 ns	100 µA @ 1200 V	-55°C〜150°C	50a	-
IDL10G65C5XUMA1	-	RFQ	8903	Infineon Technologies	coolsic™+	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました			表面マウント	4-PowertSfn	IDL10G65			sic （炭化シリコン）ショットキー				PG-VSON-4	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	SP000941314	ear99	8541.10.0080	3,000		回復時間なし> 500ma																										650 V		1.7 V @ 10 a	0 ns	180 µA @ 650 v	-55°C〜150°C	10a	300pf @ 1V、1MHz
IRFR2905ZTRLPBF	-	RFQ	4332	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました		-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3				モスフェット（金属酸化物）				d-pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	SP001575886	ear99	8541.29.0095	3,000			nチャネル							55 v	42a	10V	14.5mohm @ 36a 、10V	4V @ 250µA	44 NC @ 10 V	±20V	1380 PF @ 25 V	-	110W
IRF8910TRPBFXTMA1	0.3899	RFQ	3784	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）				モスフェット（金属酸化物）	2W （TA）			PG-DSO-8-902	-	ROHS3準拠				ear99	8541.29.0095	4,000	2 nチャネル									20V	10a（ta）		13.4mohm @ 10a 、10V	2.55V @ 250µA	11NC @ 4.5V		960pf @ 10V	標準
IDK02G120C5XTMA1	3.7900	RFQ	8160	Infineon Technologies	coolsic™+	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	IDK02G120			sic （炭化シリコン）ショットキー				PG-to263-2-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	2156-IDK02G120C5XTMA1-448	ear99	8541.10.0080	1,000		回復時間なし> 500ma																										1200 v		1.65 V @ 2 a		18 µa @ 1200 v	-55°C〜175°C	11.8a	182pf @ 1V、1MHz
BAS70-05E6327	-	RFQ	9524	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ			表面マウント	TO-236-3	BAS70			ショットキー				PG-SOT23-3-11	ダウンロード					ear99	8541.10.0070	1		小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度																									1ペア共通カソード	70 v	70ma	1 V @ 15 mA	100 ps	100 Na @ 50 V	150°C
auirfp2907	-	RFQ	2978	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止		-55°C〜175°C	穴を通して	TO-247-3				モスフェット（金属酸化物）				TO-247AC	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	SP001516710	ear99	8541.29.0095	400			nチャネル							75 v	90a	10V	4.5mohm @ 125a 、10V	4V @ 250µA	620 NC @ 10 V	±20V	13000 pf @ 25 V	-	470W （TC）
IPA029N06NM5SXKSA1	2.7700	RFQ	500	Infineon Technologies	Optimos™5	チューブ	アクティブ		-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3フルパック	IPA029			モスフェット（金属酸化物）				PG-to220フルパック	ダウンロード	ROHS3準拠	適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50			nチャネル							60 V	87a（tc）	6V 、10V	2.9mohm @ 87a 、10V	3.3V @ 36µA	74 NC @ 10 V	±20V	5300 PF @ 30 V	-	38W
BBY5805WH6327XTSA1	-	RFQ	6068	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	廃止		-55°C〜150°C	表面マウント	SC-70、SOT-323	BBY58							PG-SOT323	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	3,000																																			5.5pf @ 6V、1MHz											1ペア共通カソード	10 v	3.5	C1/C4	-
IDW10G65C5FKSA1	-	RFQ	8089	Infineon Technologies	coolsic™+	チューブ	sicで中止されました			穴を通して	TO-247-3	IDW10G65			sic （炭化シリコン）ショットキー				PG-to247-3-41	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	240		回復時間なし> 500ma																										650 V		1.7 V @ 10 a	0 ns	400 µA @ 650 v	-55°C〜175°C	10a	300pf @ 1V、1MHz
IPA95R750P7XKSA1	2.5300	RFQ	485	Infineon Technologies	coolmos™p7	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3フルパック	IPA95R750			モスフェット（金属酸化物）				PG〜220-FP	ダウンロード	ROHS3準拠	適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50			nチャネル							950 v	9a（tc）	10V	750mohm @ 4.5a 、10V	3.5V @ 220µA	23 NC @ 10 V	±20V	712 PF @ 400 v	-	28W （TC）
IPD70N12S311ATMA1	2.0100	RFQ	4218	Infineon Technologies	Automotive 、AEC-Q101、Optimos™	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3	IPD70			モスフェット（金属酸化物）				PG-to252-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,500			nチャネル							120 v	70a	10V	11.1mohm @ 70a 、10V	4V @ 83µA	65 NC @ 10 V	±20V	4355 PF @ 25 V	-	125W
IPDQ60R045CFD7XTMA1	12.3400	RFQ	3013	Infineon Technologies	coolmos™	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-	表面マウント	22-Powerbsopモジュール	IPDQ60R			モスフェット（金属酸化物）				PG-HDSOP-22-1	-	ROHS3準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	750			-							600 V	-	-	-	-		-		-	-
IRG4RC20FTRR	-	RFQ	2789	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	廃止		-55°C〜150°C	表面マウント	to-252-3	IRG4RC20F	標準			66 W			d-pak	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	3,000						480v																															-	600 V	22 a	44 a	2.1V @ 15V 、12a	190µj（オン）、920µJ	27 NC	26ns/194ns
IRF7905PBF	-	RFQ	8655	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止		-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）	IRF7905			モスフェット（金属酸化物）	2W			8-SO	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	SP001560078	ear99	8541.29.0095	95	2 nチャンネル（デュアル）									30V	7.8a 、8.9a		21.8mohm @ 7.8a 、10V	2.25V @ 25µA	6.9NC @ 4.5V		600pf @ 15V	ロジックレベルゲート
IRFH7914TR2PBF	-	RFQ	5731	Infineon Technologies	-	カットテープ（CT）	廃止			表面マウント	8-powertdfn				モスフェット（金属酸化物）				8-PQFN	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	400			nチャネル							30 V	15a（ta ）、 35a		8.7mohm @ 14a 、10V	2.35V @ 25µA	12 NC @ 4.5 v		1160 PF @ 15 V	-
IPZ40N04S5L7R4ATMA1	0.9500	RFQ	10	Infineon Technologies	Automotive 、AEC-Q101、Optimos™-5	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜175°C	表面マウント	8-POWERVDFN	IPZ40N04			モスフェット（金属酸化物）				PG-TSDSON-8	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	5,000			nチャネル							40 v	40a（tc）	4.5V 、10V	7.4mohm @ 20a 、10V	2V @ 10µA	17 NC @ 10 V	±16V	920 PF @ 25 V	-	34W （TC）
PX8143HDMG008XTMA1	-	RFQ	6956	Infineon Technologies	-	トレイ	廃止					PX8143HD								-	ROHS3準拠		影響を受けていない		廃止		1
auirf7319qtr	-	RFQ	4004	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	廃止		-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）	auirf7319			モスフェット（金属酸化物）	2W			8-SOIC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	SP001520168	ear99	8541.29.0095	4,000	nおよびpチャネル									30V	6.5a 、4.9a		29mohm @ 5.8a 、10V	3V @ 250µA	33NC @ 10V		650pf @ 25V	ロジックレベルゲート
BSC016N06NSSCATMA1	3.0500	RFQ	6120	Infineon Technologies	Optimos™	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜175°C	表面マウント	8-powertdfn				モスフェット（金属酸化物）				PG-TDSON-8	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	4,000			nチャネル							60 V	234a（tc）	6V 、10V	1.6mohm @ 50a 、10V	3.3V @ 95µA	95 NC @ 10 V	±20V	6500 PF @ 30 V	-	167W （TC）
SPP06N60C3XKSA1	-	RFQ	5420	Infineon Technologies	coolmos™	チューブ	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3	spp06n			モスフェット（金属酸化物）				PG-to220-3-1	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	SP000681028	ear99	8541.29.0095	500			nチャネル							600 V	6.2a（tc）	10V	750mohm @ 3.9a 、10V	3.9V @ 260µA	31 NC @ 10 V	±20V	620 PF @ 25 V	-	74W
SIGC76T60R3EX1SA1	-	RFQ	6888	Infineon Technologies	TrenchStop™	バルク	アクティブ		-40°C〜175°C	表面マウント	死ぬ	SIGC76	標準						死ぬ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない			0000.00.0000	1						-																															トレンチフィールドストップ	600 V	150 a	450 a	1.9V @ 15V 、150a	-		-
D251K18BB01XPSA1	-	RFQ	6385	Infineon Technologies	-	トレイ	廃止			スタッドマウント	BG-DSW27-1	D251K			標準				BG-DSW27-1	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	SP000090533	ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns																										1800 v				30 mA @ 1800 v	-40°C〜180°C	255a	-
IPU80R750P7AKMA1-ND	0.7700	RFQ	1	Infineon Technologies	coolmos™p7	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	to-251-3				モスフェット（金属酸化物）				PGから251-3-341	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8542.39.0001	1			nチャネル							800 V	7a（tj）	10V	750mohm @ 2.7a 、10V	3.5V @ 140µA	17 NC @ 10 V	±20V	460 pf @ 500 v	-	51W （TC）
IQE030N06NM5CGATMA1	3.1000	RFQ	4	Infineon Technologies	Optimos™	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜175°C	表面マウント、濡れ可能な側面	8-powertdfn	IQE030N			モスフェット（金属酸化物）				PG-TTFN-9-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	5,000			nチャネル							60 V	21a（ta ）、 137a（tc）	6V 、10V	3mohm @ 20a 、10V	3.3V @ 50µA	49 NC @ 10 V	±20V	3800 PF @ 30 V	-	2.5W
BAT6404E6433HTMA1	0.4700	RFQ	7149	Infineon Technologies	自動車、AEC-Q101、BAT64	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-236-3	BAT6404			ショットキー				PG-SOT23	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	10,000		小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度																									1ペアシリーズ接続	40 v	250ma	750 mv @ 100 Ma	5 ns	2 µA @ 30 V	150°C （最大）
TT280N18SOFHPSA1	111.3333	RFQ	4789	Infineon Technologies	-	トレイ	アクティブ		-40°C〜130°C	シャーシマウント	モジュール	TT280N18					-scr/ダイオード			ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.30.0080	3					150 Ma															1.8 kv	520 a	2 v	9000A @ 50Hz	150 Ma	280 a											1 scr、1ダイオード
PTFA190451EV4XWSA1	-	RFQ	7446	Infineon Technologies	-	トレイ	廃止	65 v		表面マウント	H-36265-2	PTFA190451		1.96GHz	ldmos				H-36265-2	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50				10µA			450 Ma	11W	17.5dB																	-																			28 v
FS200T12A1T4BOSA1	-	RFQ	7984	Infineon Technologies	-	トレイ	廃止		-	-	-	FS200T12						-	-	-		1 （無制限）	影響を受けていない	SP000840730	廃止	0000.00.0000	1	-																																				-				-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²