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離散半導体製品（16626）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	電圧 -定格	動作温度	アプリケーション	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	フェットタイプ	現在の評価（ amp）	現在 -マックス	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	容量 @ vr、f	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	vce（on max） @ vge	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	入力容量（ cies @ vce	@ @ if、f	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移	静電容量比	静電容量比条件	Q @ vr、f
BB659C02VH7902XTSA1	-	RFQ	3432	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C		表面マウント	SC-79、SOD-523					PG-SC79-2	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0070	1															2.75pf @ 28V、1MHz					シングル	30 V									15.3	C1/C28	-
BSB012N03LX3GXUMA1	1.0800	RFQ	4	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ											ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	5,000
FZ1800R12KF4S1	1.0000	RFQ	77	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ		シャーシマウント	モジュール			10500 w	標準	AG-IHMB190	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8541.29.0095	1	シングルスイッチ															溝	1200 v	2700 a	2.05V @ 15V、1.8ka			5 Ma	いいえ	110 nf @ 25 v
FZ1200R12KE3NOSA1	822.1000	RFQ	58	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ		-40°C〜125°C		シャーシマウント	モジュール			5600 w	標準	-	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	1	シングルスイッチ															-	1200 v	1700 a	2.15V @ 15V 、1.2ka			5 Ma	いいえ	86 nf @ 25 v
bsc886n03lsg	-	RFQ	6367	Infineon Technologies	Optimos™3	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C		表面マウント	8-powertdfn		モスフェット（金属酸化物）			PG-TDSON-8	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	5,000		nチャネル			30 V	13a	4.5V 、10V	6mohm @ 30a 、10V	2.2V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±20V	2100 PF @ 15 V	-	2.5w
BCP69-16	-	RFQ	6851	Infineon Technologies	aec-q101	バルク	アクティブ		150°C （TJ）		表面マウント	TO-261-4、TO-261AA			3 W		PG-SOT223-4	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0075	1,000																	20 v	1 a				100na（icbo）					500MV @ 100MA、1a	100 @ 500MA、1V	100MHz
BSM200GA120DN2FS	1.0000	RFQ	7509	Infineon Technologies	*	バルク	アクティブ						BSM200					-	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8541.29.0095	1
BB831E7904	-	RFQ	9031	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ		-55°C〜125°C（TJ）		表面マウント	SC-76、SOD-323					PG-SOD323-3D	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0070	3,000															1.2pf @ 28V、1MHz					シングル	30 V									9.5	C1/C28	-
BBY57-02VH6327	1.0000	RFQ	6401	Infineon Technologies	aec-q101	バルク	アクティブ		-55°C〜125°C		表面マウント	SC-79、SOD-523					PG-SC79-2-1	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0070	3,000															5.5pf @ 4V、1MHz					シングル	10 v									3.7	C1/C4	-
IPP50CN10NGHKSA1	-	RFQ	3009	Infineon Technologies	coolmos™	バルク	アクティブ		-55°C〜175°C		穴を通して	TO-220-3		モスフェット（金属酸化物）			PGから220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	1		nチャネル			100 V	20a（tc）	10V	50mohm @ 20a 、10V	4V @ 20µA	16 NC @ 10 V	±20V	1090 PF @ 50 V	-	44W
BCV61CE6327	-	RFQ	8327	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ	30V		現在のミラー	表面マウント	to-253-4、to-253aa	BCV61				PG-SOT143-4	-	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.21.0075	3,000			100mA																							2 NPN 、ベースコレクタージャンクション
BCW61A	-	RFQ	4016	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ		150°C （TJ）		表面マウント	TO-236-3			330 MW		PG-SOT23	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.21.0075	9,000																	32 v	100 Ma				20na（icbo）				PNP	550MV @ 1.25MA 、50mA	120 @ 2MA 、5V	250MHz
BB69C-02V	-	RFQ	6953	Infineon Technologies	*	バルク	アクティブ											ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8541.10.0070	1
bby58-03we6327	1.0000	RFQ	8622	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C		表面マウント	SC-76、SOD-323					PG-SOD323-2-1	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0070	3,000															5.5pf @ 6V、1MHz					シングル	10 v									1.3	C4/C6	-
BCW60FE6327	-	RFQ	6244	Infineon Technologies	aec-q101	バルク	アクティブ		150°C （TJ）		表面マウント	TO-236-3			330 MW		PG-SOT23-3-1	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8541.21.0075	3,000																	32 v	100 Ma				20na（icbo）				npn	550MV @ 1.25MA 、50mA	-	250MHz
BBY5802LE6327	0.0900	RFQ	11	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C		表面マウント	SOD-882					PG-TSLP-2-1	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0070	15,000															5.5pf @ 6V、1MHz					シングル	10 v									1.3	C4/C6	-
BCV61BE6327	1.0000	RFQ	2172	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ	30V		現在のミラー	表面マウント	to-253-4、to-253aa	BCV61				PG-SOT-143-3D	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.21.0075	3,000			100mA																							2 NPN 、ベースコレクタージャンクション
BSM300GA170DLS	161.7500	RFQ	33	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ		-40°C〜125°C		シャーシマウント	モジュール	BSM300		2500 W	標準	モジュール	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8541.29.0095	1	シングル															-	1700 v	600 a	3.3V @ 15V 、300A			600 µA	いいえ	20 nf @ 25 v
BSO080P03NS3 g	-	RFQ	3987	Infineon Technologies	Optimos™3	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C		表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）		モスフェット（金属酸化物）			PG-DSO-8	ダウンロード	適用できない	3 （168 時間）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	2,500		pチャネル			30 V	12a（ta）	6V 、10V	8mohm @ 14.8a 、10V	3.1V @ 150µA	81 NC @ 10 V	±25V	6750 PF @ 15 V	-	1.6W
IPB039N10N3GE8197ATMA1	0.8800	RFQ	7149	Infineon Technologies	Optimos™3	バルク	アクティブ		-55°C〜175°C		表面マウント	TO-263-7		モスフェット（金属酸化物）			PG-to263-7-3	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8541.29.0095	3		nチャネル			100 V	160a（tc）	6V 、10V	3.9mohm @ 100a 、10V	3.5V @ 160µA	117 NC @ 10 V	±20V	8410 PF @ 50 V	-	214W
BC847CWH6327	1.0000	RFQ	8620	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ		150°C （TJ）		表面マウント	SC-70、SOT-323			250 MW		PG-SOT323-3-1	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8541.21.0075	3,000																	45 v	100 Ma				15NA				npn	600MV @ 5MA 、100mA	420 @ 2MA 、5V	250MHz
auirg35b60pd-e	1.0000	RFQ	4608	Infineon Technologies	*	バルク	アクティブ						auirg35					-	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー			1
BC847CWH6778	0.0400	RFQ	93	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ		150°C （TJ）		表面マウント	SC-70、SOT-323			250 MW		PG-SOT323-3-1	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8541.21.0075	7,378																	45 v	100 Ma				15NA				npn	600MV @ 5MA 、100mA	420 @ 2MA 、5V	250MHz
BC848AE6327	0.0300	RFQ	78	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ		150°C （TJ）		表面マウント	TO-236-3			330 MW		PG-SOT23	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.21.0075	9,427																	30 V	100 Ma				15NA				npn	600MV @ 5MA 、100mA	110 @ 2MA 、5V	250MHz
BAR65-02VH6327	-	RFQ	4071	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ		150°C （TJ）			SC-79、SOD-523					PG-SC79-2-1	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0070	4,000				100 Ma										250 MW	0.8pf @ 3V、1MHz					ピン -シングル	30V				900mohm @ 10ma 、100MHz
bar63-03we6433	0.0300	RFQ	2588	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ		150°C （TJ）			SC-76、SOD-323					PG-SOD323-3D	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0070	7,000				100 Ma										250 MW	0.3pf @ 5V、1MHz					ピン -シングル	50V				1OHM @ 10MA 、100MHz
BAR6304WH6327	0.0600	RFQ	5	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ		150°C （TJ）			SC-70、SOT-323					PG-SOT323-3	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8541.10.0070	5,482				100 Ma										250 MW	0.3pf @ 5V、1MHz					ピン-1ペアシリーズ接続	50V				-
BA892-02VE6327	-	RFQ	1487	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ		150°C （TJ）			SC-79、SOD-523					PG-SC79-2	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8541.10.0070	3,000				100 Ma											1.1pf @ 3V、1MHz					標準 -シングル	35V				500mohm @ 10ma 、100MHz
BAT24-02LSE6327	0.5000	RFQ	121	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ		150°C （TJ）			0201 （0603 メトリック）					PG-TSSLP-2-1	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0070	1				110 Ma										100 MW	0.23pf @ 0V、1MHz					Schottky-シングル	4V				-
IP111N15N3G	-	RFQ	5769	Infineon Technologies	*	バルク	アクティブ											-	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8541.30.0080	1

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²