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離散半導体製品（26937）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	タイプ	基本製品番号	入力タイプ	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	フェットタイプ	現在-hold（ihmax）	テスト条件	現在	電圧	電圧 -分離	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	電圧 -状態外	現在 -state（it （rms	電圧 -ゲートトリガー（ vgt ）（最大）	現在 -非担当者サージ50、60Hz	現在 -ゲートトリガー（ Igt ）（最大）	電圧 -状態（ vtm ）（最大）	現在 -オフステート（最大）	scrタイプ	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターパルス（ icm）	vce（on max） @ vge	エネルギーの切り替え	ゲートチャージ	TD （オン/オフ） @ 25°C	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	現在 -コレクターカットオフ（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移	抵抗 -ベース（r1）	抵抗 -エミッターベース（r2）	静電容量比	静電容量比条件	Q @ vr、f
MUN2231T1G	0.0257	RFQ	1676	onsemi	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-236-3		MUN2231			338 MW	SC-59	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	3,000																																				50 v	100 Ma								500na			npn-バイアス化	250MV @ 5MA 、10MA	8 @ 5MA 、10V		2.2 KOHMS	2.2 KOHMS
BC560CTA	-	RFQ	8389	onsemi	-	カットテープ（CT）	廃止		150°C （TJ）	穴を通して	to-226-3		BC560			500 MW	to-92-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	2,000																																				45 v	100 Ma								15NA			PNP	650mv @ 5ma 、100ma	420 @ 2MA 、5V	150MHz
KSE13003H1AS	-	RFQ	1089	onsemi	-	バルク	廃止		150°C （TJ）	穴を通して	TO-225AA、to-126-3		KSE13003			20 W	TO-126-3	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,000																																				400 V	1.5 a								-			npn	3V @ 500MA 、1.5a	9 @ 500MA 、2V	4MHz
NSBC143ZPDP6T5G	0.4000	RFQ	16	onsemi	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	SOT-963		NSBC143			339MW	SOT-963	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	8,000																																				50V	100mA								500na			2 npn- バイアス（デュアル）	250MV @ 1MA 、10ma	80 @ 5MA 、10V	-	4.7kohms	47kohms
NTH4L027N65S3F	23.0300	RFQ	8005	onsemi	FRFET®、Superfet®iii	チューブ	新しいデザインではありません		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-247-4		NTH4L027		モスフェット（金属酸化物）		TO-247-4L	ダウンロード	ROHS3準拠	適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	450			nチャネル						650 V	75a（tc）	10V	27.4mohm @ 35a 、10V	5V @ 3MA	259 NC @ 10 V	±30V	7690 PF @ 400 V	-	595W
FDMF5075	2.9500	RFQ	2	onsemi	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	25-POWERWFQFN	モスフェット	FDMF5075					-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8542.39.0001	3,000	1フェーズ					20 a	30 V	-
FDMA037N08LC	1.5900	RFQ	2	onsemi	PowerTrench®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	6-wdfn露出パッド		FDMA037		モスフェット（金属酸化物）		6-wdfn （2x2）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	3,000			nチャネル						80 v	6a（tc）	4.5V 、10V	36.5mohm @ 4a 、10V	2.5V @ 20µA	9 NC @ 10 V	±20V	595 PF @ 40 V	-	2.4W
nttfs4c65ntwg	-	RFQ	2808	onsemi	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-	表面マウント	8-POWERWDFN		NTTFS4		-		8-WDFN （3.3x3.3）	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	5,000			-							7.7a（ta）		-	-				-	-
MCR22-6RLRPG	-	RFQ	9588	onsemi	-	カットテープ（CT）	廃止		-40°C〜110°C	穴を通して	TO-226-3		MCR22				to-92（to-226）	-		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.30.0080	2,000				5 Ma															400 V	1.5 a	800 mv	15a @ 60Hz	200 µA	1.7 v	10 µA	敏感なゲート
BC337ZL1G	-	RFQ	3921	onsemi	-	テープ＆ボックス（ TB）	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-226-3		BC337			625 MW	to-92（to-226）	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	2,000																																				45 v	800 Ma								100NA			npn	700mv @ 50ma 、500ma	100 @ 100MA、1V	210MHz
2N5401RLRM	-	RFQ	6937	onsemi	-	テープ＆ボックス（ TB）	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-226-3		2N5401			625 MW	to-92（to-226）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	2,000																																				150 v	600 Ma								50na（icbo）			PNP	500MV @ 5MA 、50mA	60 @ 10ma 、5v	300MHz
FGA70N30TTU	-	RFQ	6462	onsemi	-	チューブ	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	to-3p-3、SC-65-3		FGA70	標準		201 w	to-3pn	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	30					-																														溝	300 V		160 a	1.5V @ 15V 、20a	-	125 NC	-
FQA10N80	-	RFQ	1470	onsemi	QFET®	チューブ	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	to-3p-3、SC-65-3		FQA1		モスフェット（金属酸化物）		to-3p	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	30			nチャネル						800 V	9.8a（tc）	10V	1.05OHM @ 4.9A 、10V	5V @ 250µA	71 NC @ 10 V	±30V	2700 PF @ 25 V	-	240W
MJ11029G	2.4000	RFQ	350	onsemi	*	バルク	アクティブ											ダウンロード		未定義のベンダー	影響を受けていない	2156-MJ11029G-488			1
FDS5690	0.9500	RFQ	24	onsemi	PowerTrench®	テープ＆リール（ tr）	廃止		-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）		FDS56		モスフェット（金属酸化物）		8-SOIC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,500			nチャネル						60 V	7a（ta）	6V 、10V	28mohm @ 7a 、10V	4V @ 250µA	32 NC @ 10 V	±20V	1107 PF @ 30 V	-	2.5W
SMMBD301LT3G	0.3800	RFQ	5	onsemi	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-236-3		SMMBD301		ショットキー		SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	10,000		高速回復= <500ns																										30 V		600 mV @ 10 Ma	200 Na @ 25 V	-55°C〜125°C	200mA	1.5pf @ 15V、1MHz
FQP2NA90	-	RFQ	2252	onsemi	QFET®	チューブ	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3		FQP2		モスフェット（金属酸化物）		TO-220-3	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000			nチャネル						900 V	2.8a（tc）	10V	5.8OHM @ 1.4A 、10V	5V @ 250µA	20 NC @ 10 V	±30V	680 PF @ 25 V	-	107W （TC）
SCBCP56-10T1G	-	RFQ	1838年	onsemi	-	バルク	廃止		-65°C〜150°C	表面マウント	TO-261-4、TO-261AA					1.5 w	SOT-223	-	ROHS非準拠		影響を受けていない	2156-SCBCP56-10T1G	ear99	8541.21.0095	1																																				80 v	1 a								100na（icbo）			npn	500MV @ 50MA 、500MA	63 @ 150MA 、2V	130MHz
NSBA143TDXV6T5	0.0500	RFQ	56	onsemi	*	バルク	アクティブ											ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	8,000
MCH6305-H-TL-E	0.1500	RFQ	279	onsemi	*	バルク	アクティブ											-	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.29.0095	3,000
1SMB5918BT3	-	RFQ	5434	onsemi	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-214AA、SMB		1SMB5918			3 W	SMB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	2,500																														1.5 V @ 200 mA	5 µA @ 2 V															5.1 v	4オーム
SZMMSZ4690T3G	0.3700	RFQ	2673	onsemi	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123		SZMMSZ4690			500 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000																														900 mV @ 10 Ma	10 µA @ 4 V															5.6 v
NTJS3151PT2G	0.5000	RFQ	3	onsemi	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363		NTJS3151		モスフェット（金属酸化物）		SC-88/SC70-6/SOT-363	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	3,000			pチャネル						12 v	2.7a（ta）	1.8V 、4.5V	60mohm @ 3.3a 、4.5V	1.2V @ 100µA	8.6 NC @ 4.5 v	±12V	850 pf @ 12 v	-	625MW
2SK4120LS	0.2800	RFQ	1	onsemi	*	バルク	アクティブ											ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1
TN6714A	-	RFQ	4938	onsemi	-	バルク	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-226-3		TN6714			1 W	TO-226-3	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,500																																				30 V	2 a								100na（icbo）			npn	500MV @ 100MA、1a	50 @ 1a、1V	-
NRVBB40L45CTT4G	2.7100	RFQ	1404	onsemi	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3		NRVBB40		ショットキー		d²pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800		高速回復= <500ns																									1ペア共通カソード	45 v	20a	500 mV @ 20 a	1.2 mA @ 45 v	-65°C〜175°C
MMBV2105LT1G	-	RFQ	9864	onsemi	-	テープ＆リール（ tr）	廃止		150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3		MMBV21				SOT-23-3	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	3,000																																		16.5pf @ 4V、1MHz									シングル	30 V										3.2	C2/C30	400 @ 4V、50MHz
PCP1203-TD-H	-	RFQ	5140	onsemi	-	テープ＆リール（ tr）	廃止		150°C （TJ）	表面マウント	TO-243AA		PCP1203			1.3 w	PCP	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0075	1,000																																				30 V	1.5 a								100na（icbo）			npn	225MV @ 15MA 、750MA	200 @ 100MA 、2V	500MHz
FDC6561AN-NB5S007A	1.1000	RFQ	22	onsemi	-	テープ＆リール（ tr）	廃止		-55°C〜150°C	表面マウント	SOT-23-6薄い、TSOT-23-6		FDC6561		モスフェット（金属酸化物）	700MW	SuperSot™-6	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	リクエストに応じて利用可能な情報にアクセスしてください	2832-FDC6561AN-NB5S007ATR	ear99	8541.29.0095	455	2 nチャンネル（デュアル）								30V	2.5a（ta）		95mohm @ 2.5a 、10V	3V @ 250µA	3.2NC @ 5V		220pf @ 15V	ロジックレベルゲート
MBRB30CTT4	-	RFQ	9908	onsemi	SwitchMode™	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	TO-263-3		MBRB3030		ショットキー		d²pak	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800		高速回復= <500ns																									1ペア共通カソード	30 V	15a	540 mV @ 15 a	600 µA @ 30 V	-55°C〜175°C

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²