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離散半導体製品（26937）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	入力タイプ	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	フェットタイプ	テスト条件	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターパルス（ icm）	vce（on max） @ vge	エネルギーの切り替え	ゲートチャージ	TD （オン/オフ） @ 25°C	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	現在 -コレクターカットオフ（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移	抵抗 -ベース（r1）	抵抗 -エミッターベース（r2）
2SK536-MTK-TB-E	-	RFQ	8288	onsemi	-	テープ＆リール（ tr）	廃止		125°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3	2SK536		-		3-CP	-		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	3,000			-			100MA （TJ）	10V	-	-		±12V		-	-
FGP10N60UNDF	1.9200	RFQ	181	onsemi	-	チューブ	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3	FGP10N60	標準		139 w	TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50				400V 、10A 、10OHM15V															37.7 ns					npt	600 V	20 a	30 a	2.45V @ 15V 、10a	150µj（on50µj （オフ）	37 NC	8ns/52.2ns
ISL9R18120G2	-	RFQ	9667	onsemi	Stealth™	チューブ	廃止			穴を通して	TO-247-2	ISL9R18120		標準		TO-247-2	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	450		高速回復= <500ns														1200 v		3.3 V @ 18 a	70 ns	100 µA @ 1200 V	-55°C〜150°C	18a	-
NSVMMBT5401WT1G	0.3800	RFQ	4920	onsemi	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	SC-70、SOT-323	NSVMMBT5401			400 MW	SC-70-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	3,000																									150 v	500 Ma								50na（icbo）			PNP	500MV @ 5MA 、50mA	60 @ 10ma 、5v	300MHz
MMBT4403LT3G	0.1400	RFQ	1973年年	onsemi	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBT4403			300 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	10,000																									40 v	600 Ma								-			PNP	750mv @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、2V	200MHz
FDBL86062-F085	7.0900	RFQ	4	onsemi	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜175°C	表面マウント	8-POWERSFN	FDBL86062		モスフェット（金属酸化物）		8-hpsof	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,000			nチャネル		100 V	300a（tc）	10V	2mohm @ 80a 、10V	4.5V @ 250µA	124 NC @ 10 V	±20V	6970 PF @ 50 V	-	429W
SMUN5232DW1T1G	0.3700	RFQ	2	onsemi	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363	SMUN5232			187mw	SC-88/SC70-6/SOT-363	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	3,000																									50V	100mA								500na			2 npn- バイアス（デュアル）	250MV @ 1MA 、10ma	15 @ 5MA 、10V	-	4.7kohms	4.7kohms
MMSZ5234BT3G	-	RFQ	7134	onsemi	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	MMSZ5234			500 MW	SOD-123	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000																		900 mV @ 10 Ma		5 µA @ 4 V															6.2 v	7オーム
2SC3495-AA	0.1900	RFQ	52	onsemi	*	バルク	アクティブ										ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	1
sznzl7v5axv3t1g	0.0965	RFQ	3018	onsemi	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-89 、SOT-490	SZNZL7V5			240 MW	SC-89-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000	1ペア共通アノード																	900 mV @ 10 Ma		1 µA @ 7.5 v															7.5 v
HUF75639P3-F102	2.4400	RFQ	8368	onsemi	-	チューブ	アクティブ		-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3	HUF75639		モスフェット（金属酸化物）		TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	800			nチャネル		100 V	56a（tc）	10V	25mohm @ 56a 、10V	4V @ 250µA	130 NC @ 20 V	±20V	2000 PF @ 25 V	-	200W （TC）
SB05W05C-TB-E	0.5300	RFQ	6926	onsemi	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-236-3	SB05		ショットキー		3-CP	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	3,000		高速回復= <500ns													1ペア共通カソード	50 v	500mA	550 mV @ 500 Ma	10 ns	50 µA @ 25 V	-55°C〜125°C
SBC807-25LT1	0.0200	RFQ	33	onsemi	aec-q101	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3				300 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	3,000																									45 v	500 Ma								100na（icbo）			PNP	700mv @ 50ma 、500ma	160 @ 100MA、1V	100MHz
SZ1SMA5933BT3G	0.8800	RFQ	8	onsemi	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-214AC、SMA	SZ1SMA5933			1.5 w	SMA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	5,000																		1.5 V @ 200 mA		500 NA @ 16.7 v															22 v	17.5オーム
NTMFS5C410NLT1G	4.4300	RFQ	7974	onsemi	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜175°C	表面マウント	8-powertdfn	NTMFS5		モスフェット（金属酸化物）		5-dfn	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,500			nチャネル		40 v	46a（タタ）、302a（tc）	4.5V 、10V	0.9mohm @ 50a 、10V	2V @ 250µA	143 NC @ 10 V	±20V	8862 PF @ 25 V	-	3.2W
MMDF1300R2	0.1600	RFQ	73	onsemi	*	バルク	アクティブ										ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	8541.21.0095	2,500
DBA100G-K15	-	RFQ	8539	onsemi	-	トレイ	廃止		150°C （TJ）	穴を通して	4平方、GBPC-W	DBA1		標準		-	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000																		1.05 V @ 5 a		10 µA @ 600 V		3.7 a										単相	600 V
BC858BLT1	0.0200	RFQ	492	onsemi	-	バルク	廃止					BC858					ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	3,000
MBR30H100MFST1G	-	RFQ	1642	onsemi	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	8-powertdfn	MBR30H100		ショットキー		5-dfn	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,500		高速回復= <500ns														100 V		900 mV @ 30 a		100 µA @ 100 V	-55°C〜150°C	30a	-
M1MA141WAT1G	0.1800	RFQ	1074	onsemi	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	SC-70、SOT-323	M1MA141		標準		SC-70-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	3,000		小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度													1ペア共通アノード	40 v	100MA （DC）	1.2 V @ 100 MA	10 ns	100 Na @ 35 V	150°C （最大）
nvmys6d2n06cltwg	1.6500	RFQ	3	onsemi	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜175°C	表面マウント	SOT-1023、4-LFPAK	nvmys6		モスフェット（金属酸化物）		lfpak4 （5x6）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	3,000			nチャネル		60 V	17a（タタ71a（tc）		6.1mohm @ 35a 、10V	2V @ 53µA	20 NC @ 10 V	±20V	1400 PF @ 25 V	-	3.6W （TA ）、61W（TC）
FDB10AN06A0	-	RFQ	6388	onsemi	PowerTrench®	テープ＆リール（ tr）	廃止		-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3	FDB10		モスフェット（金属酸化物）		d²pak（ to-263）	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	800			nチャネル		60 V	12a（タタ）、 75a（tc）	6V 、10V	10.5mohm @ 75a 、10V	4V @ 250µA	37 NC @ 10 V	±20V	1840 pf @ 25 v	-	135W
NTMFS4C09NT3G	0.4314	RFQ	3663	onsemi	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	8-powertdfn	NTMFS4		モスフェット（金属酸化物）		5-dfn	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	5,000			nチャネル		30 V	9a（ta）	4.5V 、10V	5.8mohm @ 30a 、10V	2.1V @ 250µA	10.9 NC @ 4.5 v	±20V	1252 PF @ 15 V	-	760MW
2SA2011-TD-E	0.1800	RFQ	18	onsemi	*	バルク	アクティブ										-	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.29.0075	1,000
FCMT299N60	4.3400	RFQ	2	onsemi	superfet®ii	テープ＆リール（ tr）	新しいデザインではありません		-55°C〜150°C	表面マウント	4-PowertSfn	FCMT299		モスフェット（金属酸化物）		Power88	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	3,000			nチャネル		600 V	12a（ta）	10V	299mohm @ 6a 、10V	3.5V @ 250µA	51 NC @ 10 V	±20V	1948 pf @ 380 v	-	125W
BZX85C22	-	RFQ	6142	onsemi	-	バルク	廃止	±6％	-65°C〜200°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	BZX85C22			1 W	DO-41	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000																		1.2 V @ 200 mA		500 na @ 15.5 v															22 v	25オーム
MMBZ5234B_D87Z	-	RFQ	8681	onsemi	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ52			350 MW	SOT-23-3	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000																		900 mV @ 10 Ma		5 µA @ 4 V															6.2 v	7オーム
NTTFS003N04CTAG	-	RFQ	1149	onsemi	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜175°C	表面マウント	8-POWERWDFN	NTTFS003		モスフェット（金属酸化物）		8-WDFN （3.3x3.3）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,500			nチャネル		40 v	22a（ta ）、 103a （tc）	10V	3.5mohm @ 50a 、10V	3.5V @ 60µA	23 NC @ 10 V	±20V	1600 pf @ 25 v	-	3.2W
ATP102-TL-H	-	RFQ	1098	onsemi	-	テープ＆リール（ tr）	廃止		150°C （TJ）	表面マウント	atpak	ATP102		モスフェット（金属酸化物）		atpak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	3,000			pチャネル		30 V	40a（ta）	4.5V 、10V	18.5mohm @ 20a 、10V	-	34 NC @ 10 V	±20V	1490 PF @ 10 V	-	40W （TC）
FCU2250N80Z	-	RFQ	2317	onsemi	superfet®ii	チューブ	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	to-251-3	FCU2250		モスフェット（金属酸化物）		i-pak	ダウンロード	ROHS3準拠	適用できない	影響を受けていない	2166-FCU2250N80Z-488	ear99	8541.29.0095	1,800			nチャネル		800 V	2.6a（tc）	10V	2.25OHM @ 1.3A 、10V	4.5V @ 260µA	14 NC @ 10 V	±20V	585 PF @ 100 V	-	39W （TC）

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（26937）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²